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在火炮上利用金属铋(Bi)直接撞击单晶LiF窗口, 开展了金属Bi反向碰撞的冲击加载-卸载实验研究, 实验采用激光位移干涉测试系统, 获得了金属Bi在11—16 GPa压力范围内完整的卸载粒子速度剖面. 实验结果结合特征线方法计算表明, 金属Bi经冲击加载进入体心立方相, 并在11—16 GPa冲击压力作用下发生了卸载熔化, 界面粒子速度剖面的卸载拐点, 对应着金属Bi经冲击加载后发生的卸载熔化, 而这一结论同Cox的理论计算及一维流体力学程序计算结果基本一致. 本文报道的金属Bi卸载波剖面解读技术, 对于认识冲击加载下其他相似材料相变具有实用价值. 相似文献
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To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications,a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced,and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to665 cm2/V·s are demonstrated on a Ge(111) substrate.Moreover,a physical model is proposed to explain the dipole layer formation at the metal–oxide–semiconductor(MOS) interface by analyzing the electrical characteristics of HCl- and(NH4)2S-passivated samples. 相似文献
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本文测量了氮气、氨气及其混合气体的快脉冲放电等离子体的光谱,用光谱分析方法研究了等离子体成分及其与气压和配比的关系,并讨论了在制备氮化物时使用氮、氨混合气体的有利之处。 相似文献
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本文介绍了一种频率连续可调的等离子体辐射源。它是利用波与相对论等离子体前沿相互作用产生多普勒频移来产生辐射的。针对TE波与圆波导内低密度等离子体前沿相互作用,本文推导了所产生的辐射脉冲的上移频率、反射效率、传输效率和脉冲长度等计算公式。 相似文献
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光纤通信技术发展的阶段性飞跃总是伴随新型光电材料和功能器件的突破.文章介绍了光纤通信系统中应用到的各种光电子器件,从光纤通信的3个环节:光发送、光接受、光放大为出发点,着重阐述了半导体激光器、光调制器、光检测器、光放大器等关键器件的基本原理、工作特性以及发展现状和趋势,并在回顾传统集成光电子器件发展的同时,展望了以新一代微纳结构光电子器件为基础的光子集成技术的发展趋势. 相似文献