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161.
双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收增强研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用真空镀膜工艺制备了具有762 nm和800 nm双缺陷模的含两个CdS缺陷层的TiO2/SiO2一维光子晶体,运用抽运探测技术测量了其双光子吸收。对于两个缺陷模,双光子吸收均得到很大的增强,其中缺陷模为800nm时的双光子吸收系数307 cm/GW要大于缺陷模为762 nm时的116 cm/GW,分别为单层CdS薄膜的48倍和18倍。这种双光子吸收的增强是由于光局域化导致一维光子晶体缺陷层内的电场强度增大而形成的。通过传输矩阵法计算了一维光子晶体的内部场强,发现800 nm波长光入射时缺陷层内的电场强度要大于762 nm波长光入射时的电场强度值。 相似文献
162.
基础隔震结构的能量反应分析 总被引:3,自引:0,他引:3
文章通过建立有隔震和无隔震的4层框架结构的分析模型,对其分别输入3条典型的地震波进行地震能量反应分析,结果表明隔震结构能较好地满足能量方程;适当降低隔震支座屈服强度对于保护上部结构更加有利;地震波的能量持时和卓越周期对结构地震能量反应具有重大影响。 相似文献
163.
164.
本文使用气相输运沉积的方式制备了硒化锑(Sb2Se3)薄膜太阳电池,并采用氯化铯(CsCl2)溶液对器件上界面进行处理,同时对薄膜和器件进行了一系列表征。研究发现,CsCl2溶液的背接触处理不仅可以提高器件的载流子收集以及降低上界面复合,还可以优化薄膜的结晶性、表面粗糙度和光电性能。基于FTO/CdS/Sb2Se3/CsCl2/Au的器件结构,得到了转换效率为6.32%的高效Sb2Se3薄膜太阳电池,比基础器件效率提升了12%。本文的工作对Sb2Se3薄膜太阳电池未来的研究有一定的指导作用,其他同类型半导体光伏器件也可借鉴。 相似文献
165.
166.
167.
168.
研究了三甲基硅烷基丙块与五甲基二硅烷基丙块共聚物〔poly(TMSP-co-PMDSP)〕的成膜特点。poly(TMSP-co-PMDSP)膜的气体透过系数分别为:P_(O2):4×10~3~12×10~3,P_(N2):3×10~3~8×10~3和P_(CO2):2×10~4~4×10~4barrer,气体透过稳定性低,透过行为偏离第二Fick定律,过系数下降,其中溶解系数降低的比例远大于扩散系数的增加比例,在含有凝聚性气体的环境里,膜的气体透过出现表面吸附控制的特征。 相似文献
169.
成核剂含量对β晶相聚丙烯结晶与熔融行为的影响 总被引:13,自引:2,他引:13
用DSC研究了β成核剂含量对β聚丙烯在等温与非等温结晶条件下的结晶与熔融行为的影响,发现当成核剂含量为0.005%时,结晶焓△H_c、β晶的熔融焓△H_(mβ)及熔点T_(mβ)均为最大,而α晶的相对含量最小.广角X-衍射数据表明,成核剂含量高的试样的(301)衍射峰的相对强度下降,反映分子链排列的纵向有序性降低.根据聚丙烯分子在β成核剂上附生结晶的成核机理解释了上述结果. 相似文献
170.