素质教育中班主任工作的中心任务

素质教育中班主任工作是一项非常重要的基础性工作。工作实践表明，班主任工作的中心任务应当是一方面强化学生管理，通过协调学生之间，学生与学校各部门之间的种种关系，调动学生的积极主动性，达到管理的最佳状态，以保证教学秩序正常运行和教学目标的完成。另一方面，班主任工作还应教人做人，创造条件，培养和提高学生的思想觉悟，创造性思维能力以及加强对学生的情感、意志等非理性因素的培养和训练。     

网络环境下的编辑之路

面对全球信息化的发展形势,阐述了网络环境下利用现代化信息技术,期刊编辑模式的变化与发展,从思想品质、职业道德、专业知识等方面提出了作为期刊编辑为适应期刊现代化、国际化的发展要求应具备的素质。     

在轨运行低温液氢箱体蒸发量计算与增压过程研究

为了研究低温箱体在外部漏热下的在轨增压过程,采用FLUENT软件中的流体体积(VOF)方法,对AS-203飞行试验中低温液氢箱体进行数值模拟。通过对默认可实现k-ε模型进行参数调整,并与试验结果对比发现,调整参数后的模型可较好地预测低温液氢箱体在轨增压过程。因此,采用该模型对所研究低温液氢箱体进行500s增压数值模拟,计算结果表明:与气枕接触的壁面漏热绝大部分用来使箱体增压,小部分用来产生相变;在外部漏热下低温箱体压增速率约49.6Pa/s,箱体气液界面的蒸发率约为0.101 6%/h;在一定的微重力水平下,自然对流作用依然存在,其对流强弱主要取决于箱体尺寸以及外部漏热热流大小;在整个模拟过程中,气枕区热分层较之液相区更为严重;随着重力水平的降低,表面张力的作用逐渐凸显,界面形状变为曲面。     

CsI（TI）与LYSO转换屏在高能X射线激发下的发光光谱

转换屏在高能X射线激发下的发光光谱对高能X光闪光照相接收系统的组建有着重要意义。应用OMA光谱采集系统，设计实验对CsI（TI）和LYSO转换屏在“神龙一号”直线感应加速器（LIA）X射线激发下的发光光谱进行研究，给出了光谱曲线。结果表明，相对于文献报道的低能X射线辐射，高能辐射下CsI（TI）屏的发光峰值波长向短波方向移动了14nm，LYSO屏的发光峰值波长向长波方向移动了18nm，而两屏的谱线半值宽度均没有明显变化。实验结果对当前闪光照像光电接收系统质量的评估及将来系统的优化设计将起到重要作用。     

汉英语码转换的动因浅探

以斯科顿的＂标记模式理论＂和弗希曼提出的＂域分析法＂等为理论依据,通过对实际语料的分析,揭示了印刷媒体及网络中汉英语码转换现象复杂的动因。语码转换不是随意的,是一种主观性的言语选择过程,是用来传递一种社会及语用特性。汉语中夹着英语的这种现象是一种复杂的社会语言学现象,汉语语境下的汉英语码转换反映了中国社会、经济的发展。     

我国氧化铝工艺蒸发装置效能分析及应用前景研讨

本文详细地分析了国内几大氧化铝厂蒸发工艺及装置的效能状况，介绍了国外先进工艺流程及装置，并进行了应用前景的研讨。     

浅谈液压管道安装施工工艺

从液压管道的施工准备、工艺流程、施工工艺、质量标准、注意事项等方面介绍了液压管道的施工工艺。     

带红外线定位功能的锯子

那天，数学老师布置的作业是做一块三角形木板。放学回家，我找来木板，又从储藏室拿出锯子，开始动手。可没想到的是，锯子竟然“不听话”，锯着锯着就偏了，木板被锯成了四边形。     

Influences of SiO2 laser-induced protective layers and damage threshold of annealing on the Ta2O5 films

Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold （LIDT） of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity （EFI） distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing.