外加偏置电场下类金刚石薄膜激光损伤形貌

使用非平衡测控溅射技术沉积了类金刚石薄膜,对比了外加偏置电场前后薄膜的抗激光损伤表面形貌变化,发现薄膜施加偏置电场后,薄膜的激光损伤区域内有大量丝状薄膜,损伤形貌存在明显不同,损伤面积减小,薄膜的激光损伤情况得到改善。这表明外加偏置电场对薄膜的损伤有影响,激光在薄膜中激励产生的光生电子在电场作用下产生快速漂移,间接降低了激光辐照区域内的局部能量密度,减缓了薄膜的石墨化,提高了薄膜的抗激光损伤能力。     

超快光电导开关的传输特性分析及优化方案

超快光电导开关输出的是超宽带的电脉冲信号,因此开关至负载的传输线路设计优劣对输出波形影响很大。本研究分析了光电导开关典型的同轴-微带传输结构,计算了线性工作模式下开关电阻瞬态变化在传输线路阻抗不连续处引起的电磁波反射,及其对输出脉冲波形和电压传输率产生的影响,然后与实测脉冲波形进行了对比,解释了肩峰现象。最后根据仿真结果提出了提高光电导开关传输特性的三种优化方案。     

Photon-activated charge domain in high-gain photoconductive switches

We report our experimental observation of charge domain oscillation in semi-insulating GaAs photocon-ductive semiconductor switches (PCSSs). The high-gain PCSS is intrinsically a photon-activated charge domain device. It is the photon-activated carriers that satisfy the requirement of charge domain formation on carrier concentration and device length product of 1012 cm-2. We also show that, because of the repeated process of domain formation, the domain travels with a compromised speed of electron saturation velocity and the speed of light. As a result, the transit time of charge domains in PCSS is much shorter than that of traditional Gunn domains.     

Theoretical Study of Field Intensity of THz Radiation from GaAs Large-Aperture Photoconductive Antennas

We simulate the THz radiation＇s time domain waveforms of both the near field and the far field of a GaAs large aperture photoconductive antenna based on the current surge model. Because the micro-kinetic factors, such as transient state changes of current carrier＇s mobility and lifetime of current carriers, are taken into account in the calculation, we find out the influences of these factors on the THz radiation intensity by changing the above parameters. The results are of guiding significance to design of high-power photoconductive THz radiation antenna materials.     

用光电导开关产生稳幅ps量级时间晃动超快电脉冲的研究

报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果.分别用ns，ps和 fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明，在低电场偏置下，电极间隙为1 mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于10 ps、电压幅值变化小于1.2 %、亚ns量级脉冲宽度的稳定超短电脉冲.分析了触发光脉冲能量起伏对光电导开关产生超快电脉冲电压幅值的影响，指出通过控制光电导开关的触发条件和对开关的优化设计，就可以获得电压幅值稳定、时间晃动在ps量级的超快电脉冲. 关键词： 光电导开关 超快电脉冲 电压幅值稳定性 时间晃动     

光导开关中的感生电流与传导电流

利用数值方法对线性条件下横向光电导开关的感生电流和传导电流进行了计算和比较.结果表明在特定的实验条件下，感生电流才会对输出电脉冲产生较大的影响.分析了超快光电导开关在不同实验条件下传导电流与位移电流对输出电脉冲的影响.根据该结论，给出非线性模式下，光电导开关电脉冲超快上升沿小于载流子以饱和速度在电极间渡越所需时间的现象. 关键词： 光电导开关 传导电流 位移电流     

例谈物理问题中数学工具的运用

数学工具的掌握和运用是解决物理问题、探讨物理思想的有效手段.讨论了大学物理习题教学中遇到的问题,举例分析了大学物理教学中数学工具的运用,指出了应用数学工具求解物理习题应注意的问题.     

用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

 报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV。分别用ns, ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动。3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns、能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A。用重复频率为76MHz和10⁸Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列。     

连铸机铸坯表面温度测量系统的研究

采用风帘式红外测温系统检测铸坯表面温度 ,克服了铸坯表面氧化铁皮和水雾气等复杂现场环境对红外测温的影响 ,结合自学习机制和人工智能算法实现了铸坯表面温度场多点测量 ,并可在线实时显示温度场的瞬态分布和随时间演化过程。为方坯、板坯连铸铸坯表面温度测量提供了一种可靠的方法连铸机铸坯表面温度测量系统的研究@李琦$西安理工大学自动化与信息工程学院!陕西西安710048 @施卫$西安理工大学自动化与信息工程学院!陕西西安710048 @刘丁$西安理工大学自动化与信息工程学院!陕西西安710048 @刘涵$西安理工大学自动化与信息工程…     

用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究

报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV.分别用ns,ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns,能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A.用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列.