High mobility ultrathin ZnO p–n homojunction modulated by Zn_(0.85)Mg_(0.15)O quantum barriers

The adding of ZnMgO asymmetric double barriers(ADB) in p-ZnO:(Li, N)/n-ZnO homojunction affects the p–n junction device performance prominently. Two different homojunctions are fabricated on Si(100) substrates by pulsed laser deposition; one is the traditional p-ZnO:(Li, N)/n-ZnO homojunction with different thicknesses named as S_1 (250 nm) and S_2 (500 nm), the other is the one with ADB embedded in the n-layer named as Q (265 nm). From the photoluminescence spectra, defect luminescence present in the S-series devices is effectively limited in the Q device. The current–voltage curve of the Q device shows Zener-diode rectification property because the two-dimensional electron gas tunnels through the narrow ZnMgO barrier under a reverse bias, thus decreasing the working p–n homojunction thickness from 500 nm to265 nm. The ADB-modified homojunction shows higher carrier mobility in the Q device. The electroluminescence of the ZnO homojunction is improved in Q compared to S_2, because the holes in p-type ZnO(Li, N) can cross the wide ZnMgO barrier under a forward bias voltage into the ZnO quantum well. Therefore, electron–hole recombination occurs in the narrow bandgap of n-type ZnO, creating an ultraviolet light-emitting diode using the ZnO homojunction.     

溶胶-凝胶法制备的Co0.7Fe2.3O4纳米晶薄膜结构与磁性

采用柠檬酸溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了钴铁氧体Co0.7Fe2.3O4纳米晶薄膜.用X射线衍射仪、振动样品磁强计对不同热处理温度样品的结构及磁性进行了测量与分析.测量结果表明,退火400℃时样品已生成单一的尖晶石结构,晶粒尺寸变化范围在15~33 nm之间,样品的磁性能强烈地依赖于退火温度的变化;550℃时退火样品获得最大矫顽力1475 Oe.Co0.7Fe2.3O4薄膜还具有平行膜面方向的择优取向.     

单轴型六角结构铁氧体纳米晶粒改性研究

从结构相变、磁性能和温度特性3个方面,阐述了过渡族金属离子掺杂对改善锶铁氧体颗粒磁记录性能的影响,介绍了笔者最近在ZnNb,LnZn和ZnCr 3个系列代换研究中取得的最新成果.     

钴铁氧体CoxFe3-xO4结构和磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备CoxFe3-xO4钴铁氧体,在不同的退火温度下(1100℃～1300℃)得到了一系列的样品,利用X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)对粉末样品的结构和磁性进行了分析.实验结果表明,当钴含量高(x＞0.7)时,样品形成单一的具有尖晶石结构的钴铁氧体,当钴含量较低时,样品生成尖晶石结构的钴铁氧体和α-Fe2O3的复合相.     

纳米晶CoFe2-xCexO4的结构与磁性能研究

采用化学共沉法制备了纳米尺度的CoFe2-xCexO4（x=0～0．3）粉料,分别在不同温度下进行了热处理,利用X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）对样品的结构和磁性进行了测量和分析．实验结果表明：在铈掺杂量x≤0．2时样品形成了单一的具有尖晶石结构的钴铁氧体相,而x〉0．2时钴铁氧体相和CeO2相并存;铈掺杂量对样品的磁性能有较强的影响,在铈含量较低（x≤0．2）时,比饱和磁化强度σs变化不大,矫顽力Hc大幅度增大,而在x〉0．2之后二者都急剧下降,在x=0．1附近样品能同时获得较大的Hc和σs值．     

单轴M型SrFe12-xCrxO19超细粒子结构与磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备了单轴M型锶铁氧体SrFe12-x_12-xCrx_xO 19₁₉(x=0—1)超细晶粒.实验结果表明, 随掺杂量x的增大，质量饱和磁化强 度σs_s在x≤04范围内增大，在x=02附近达到极大值.矫顽力Hc_c在x＜05的范围 内单调降低，这对于用作高密度磁记录材料非常有利.当x≤04时，样品是单相结构， 在 x=06以后出现非磁性相α-Fe2₂O3< 关键词： 锶铁氧体 3+')" href="#">Cr3+³⁺ 结构 磁性     

复合型锶铁氧体纳米晶粒的改性研究

利用X光衍射和透射电子显微技术,对粒子Fe₃O₄-SrFe₁₂O₁₉的复合机理进行了研究.弄清了尖晶石型外延包裹层的生长机理.证实了外延层和内核粒子通过电子交换产生了很强的耦合作用.经过改性之后,尖晶石型晶体层在SiFe₁₂O₁₉粒子表面得到良好的生长. 关键词：     

MnBiRE-SiO光学系统中的极向Kerr角及其增强因子

从Ｍａｘｗｅｌ方程出发，利用相干光迭加原理，导出入射光在从透明衬底面入射时，磁性薄膜ＭｎＢｉＲＥ－ＳｉＯ光学系统极向Ｋｅｒ角及其增强因子的解析表达式，讨论了透明介质层对ＭｎＢｉＲＥ薄膜光学系统θｋ的增强作用。     

溶剂热法合成纳米结构四氧化三铁空心微球磁性研究

通过溶剂热反应合成了Fe3O4空心微球.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了表征.结果表明,所制备的单分散Fe3O4空心微球为立方多晶结构,其直径约400 nm,是由约40 nm纳米颗粒组装而成.用振动样品磁强计(VSM)测量了Fe3O4空心微球的室温和变温磁性.室温磁滞回线表明不同反应时间所得产物均表现为良好的亚铁磁性,其饱和磁化强度Ms随反应时间的增加先升后降.由反应时间为12 h所得的Fe3O4空心微球在1000 Oe下的M-T曲线测得其居里温度为778 K,并测得其在外磁场H=5000 Oe场冷却至液氮温度再升至不同温度(100 K,200 K,300 K)时的磁滞回线,发现不同温度时测得的Fe3O4空心微球磁滞回线都是左右对称的,没有明显的交换偏置效应,且随测量温度增加,其饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc均降低.     

关于功率计算电路方法使用条件的讨论

电路理论中的功率计算作为场理论的近似值,满足什么样的条件,以及这些条件是如何实现的?本文就此问题进行了讨论,并提出了两个限定条件: