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据美国 ISI(科技信息研究所 )网络版刊载的 1985~ 2000年的文章引用情况,我们对在我刊发表的论文的有关情况进行了统计,并按作者总被引频次顺序整理出来 (见表 )。是否可以说,这个结果从一个侧面反映出,这些作者对我刊走向世界,扩大影响作出了突出的贡献。同时,我们也要对每一位向本刊投稿的作者、稿件评审人,以及关心、帮助过我们的各方人士表示衷心的感谢。我刊刊出文章按作者被引频次排序(前 10名)表(根据 1985~ 2000年 SCI网络版提供的数据 ) 作者总被引频次在我刊发表论文数名次作者总被引频次在我刊发表论文数名次赵新… 相似文献
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为适应我国信息化建设需要,扩大作者学术交流渠道,本刊加入《中国学术期 刊(光盘版)》和“中国期刊网”。作者著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。如作者不同意 将文章编入该数据库,请在来稿时声明,本刊将作适当处理。 本刊加入万方数据(ChinaInfo)系统科技期刊群的声明 为了实现科技期刊编辑、出版发行工作的电子化,推进科技信息交流的网络化进程,我刊现 已入网“万方数据(ChinaInfo)系统科技期刊群”。所以,向本刊投稿并录用的稿件文章, 将一律由编辑部统一纳入万方数据(ChinaInfo)系统,进行因特网提供信息服务。凡有不同 意者,请在来稿时声明,本刊将作适当处理。本刊所付稿酬包含刊物内容上网服务报酬,不 再另付。 《光谱实验室》编辑部 相似文献
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如果说2008年8月之前是国际金融危机第一阶段的话,那么,G8峰会和"金砖四国"首脑峰会以后,国际金融危机可能正在告别全球流动性恐慌的第二阶段,进入了走出危机的第三阶段,即"后危机时代"。 相似文献
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准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm~2. 相似文献
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