简支夹层矩形板的非线性弯曲

本文应用变分法导出了具有软夹心的夹层矩形板的非线性弯曲理论的基本方程和边界条件.然后,使用摄动法研究了均布横向载荷作作用下简支夹层矩形板的非线性弯曲问题,得到了相当精确的解析解.     

直接键连原子间的NMR偶合常数的自然杂化轨道研究Ⅲ、α-C-H键核自旋偶合常数1JCH

报道了一种计算直接键连原子间的核自旋-自旋偶合常数的通用关系式,结合CNDO/2分子轨道方法和自然杂化轨道方法,具体计算了一些极性α-C-H键的核自旋偶合常数。结果表明,本文方法适合于多种类型的直接键连原子间的偶合常数的计算,且与已有实验值吻合一致.     

激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤

 在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场。通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值。研究表明：在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大。为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度。采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4~5 s基本吻合。     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出φ12 mm×40 mm和φ15 mm×50 mm优质CdSiP单晶体.所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40".透过光谱表明CdSiP2晶体在2～6.5tμm的透过率达到57;,接近其理论最大值.辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属.电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn2的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收.     

竹红菌甲素和吲哚类化合物的相互作用

本文利用吸收光谱,荧光光谱研究了竹红菌甲素(以下简称HA)和吲哚类化合物的相互作用。发现HA和吲哚类化合物在一定条件下可形成复合物。这种复合物带有电荷转移性质。吲哚环上带有给电子取代基,位阻小,溶剂的极性大和溶液呈中性有利于该复合物的形成。     

棉酚及其应用研究的概况和某些进展

介绍了棉酚应用研究的概况,结合自己的工作报道了这方面研究的某些进展,并提出了几个急待解决的问题。     

基于土地利用的杭州湾滨海湿地景观生态风险评价

明确滨海湿地景观生态风险评价对于湿地生态保护和修复具有重要意义．本文基于1995年至2015年5期遥感数据分析杭州湾滨海湿地土地利用动态变化特征,结合景观生态风险评价模型和空间分析方法,分析1995—2015年湿地生态风险时空分异特征和空间相关性．结果表明：1)1995—2015年景观格局变化较大,其中建设用地增量最多,水域面积持续下降,大量沿海水域滩涂被围垦转换为其他用地类型;2）研究区总体生态风险呈好转趋势,但局部地区生态风险仍然居高;较高风险和高风险区面积持续下降,分布呈现不断向海域推进趋势,低风险和较低风险区面积上升,主要分布在研究区南部和中部;3）研究区各时段生态风险空间分布呈正相关,并在空间上聚集．冷点区主要分布在景观类型较为单一、人为干扰小的南部和东南部地区,热点区主要分布在城镇化较快的西南地区和围垦速度较快的沿海区域．热点和冷点的分布与研究区区域地理环境具有较高的耦合性,整体生态风险地域性增强．研究结果可以为杭州湾滨海湿地的开发利用和保护恢复提供参考．     

塔中中上奥陶统礁、滩相储层的特征及评价

塔中中上奥陶统碳酸盐岩储层是在一发育良好的镶边陆棚体系中形成的礁、滩组合,并经过后期多次成岩和构造破裂作用改造而成。储层的储集空间类型多样,孔隙结构复杂,非均质性强。储层可划分四种类型,以裂缝—孔洞型和裂缝—孔隙型的储层质量最优。储层质量好坏和分布主要受沉积相类型、埋藏溶蚀作用强度和构造破裂作用强度的共同控制。运用多因素叠合概率法对本区优质储层的分布区域进行定量评价和预测表明,优质储层主要沿塔中I号断层上盘附近呈带状分布,同时在塔中10构造带东段也有分布。     

TiO2/Si与TiO2-SnO2/Si的制备及表面光伏特性

用溶胶 -凝胶法在 p型单晶硅的表面镀上一层TiO2 或TiO2 -SnO2 纳米结构薄膜 ,并用表面光电压谱 (SPS)研究了TiO2 /Si和TiO2 -SnO2 /Si的表面光伏特性 .结果表明 ,在单晶硅表面镀一层TiO2 或TiO2 -SnO2 薄膜后所得的复合纳米材料的光伏效应比单晶硅提高了 1个数量级 ,且在 4 0 0～ 70 0℃热处理温度范围内TiO2 /Si和TiO2 -SnO2 /Si的光伏效应均随着温度的升高而增强 ,同一温度下TiO2 -SnO2 /Si的光伏效应比TiO2 /Si强