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101.
1 关于主、客观题的评估高考试卷中 ,计有三种题型 :填空题 ,选择题与解答题 .其中填空题、选择题不受阅卷人的主观影响 ,评分较为客观 ,被称为客观题 ;解答题由于会受到阅卷人的主观影响 ,因而被叫做主观题 .1.1 选择题并非客观数学选择题通常只有一个选项是正确的 ,其余三个都是错误的 ,称为迷惑答案 .编制得好的选择题 ,其迷惑性是很大的 ,它能诱使考生作出错误的判断 ,并使它们对正确答案熟视无睹 .但这样的选择题是较难编制的 ;加之为了降低试题的难度 ,也不能刻意追求迷惑性 .这样 ,在一份试卷中 ,具有迷惑性的选择题仅是极少数 ,绝… 相似文献
102.
宽频惯性基准(H-IRU)能够提供一束稳定于惯性空间的参考光束,作为捕获、跟踪与瞄准(ATP)系统视轴的惯性参考.根据H-IRU的弹簧-质量模型推导了系统的传递函数,并对系统的频响特性进行了辨识实验.为了抑制H-IRU柔性支撑结构引入的低频谐振,提出了一种改进型陷波器.为了避免因陷波器参数设计不合理导致谐振抑制效果不理... 相似文献
103.
104.
105.
采用射频磁控溅射技术制备了系列金属钛(Ti)为过渡层的NbSe_2薄膜,分析了Ti过渡层的厚度对薄膜成分、结构和机械性能的影响,并研究了在大气环境下薄膜的润滑-导电性能.结果表明:改变Ti过渡层的厚度,可实现对薄膜中Se/Nb原子比和结晶度的调控.随着Ti过渡层厚度的增加,薄膜的致密度、膜-基结合强度及力学性能得到了明显改善.同时,NbSe_2薄膜维持原有(002)面择优取向,这利于薄膜的侧向滑移,从而提升了薄膜的减摩耐磨性能.然而,过厚的Ti过渡层会导致薄膜中Se/Nb原子比和结晶度下降,致使薄膜中游离金属元素含量升高. Ti过渡层的厚度超过30 nm时,虽然薄膜的结构仍然致密,且导电性能也有所增强,但其减摩耐磨性能却明显减弱.可见,适当厚度的Ti过渡层,才有助于提高NbSe_2薄膜的润滑-导电性能. 相似文献
106.
107.
用多箔活化法测定了由Am Be中子源慢化屏蔽系统构成的中子活化在线分析系统样品处的中子能谱。 根据待测场点的中子注量率水平, 选用了5种非裂变核材料箔, 其中4种是中能区和热区的, 1种是快区的, 给出了各箔片的特性参数。 通过在待测场点对箔片进行辐照, 并测量其生成放射性核的γ放射性, 计算出了各箔片的活化率。 运用SAND II和MSIT迭代方法, 解出了待测场点的中子能谱。 详细分析了数据处理过程中群截面的加工处理以及由于自屏蔽效应引起的群截面修正问题; 研究了影响解谱精度的主要因素; 对解谱结果作了一定的分析讨论; 并用蒙特卡罗(MC)方法对最后的中子能谱做了不确定度分析。 相似文献
108.
用^93Nb(n,2n)^92mNb和^90Zr(n,2n)^89m+gZr截面比法测定中子能量,以^93Nb(n,2n)^92mNb反应截面作中子注量标准,用活化法测量了13.5-14.6MeV中子引起的^89Y(n,2n)^88Y的反应截面值。由(13.5±0.3),(14.1±0.2),(14.6±0.3)MeV中子引起的^89Y(n,2n)^88Y反应截面值分别为(759±42),(835±42)和(958±53)mb。Cross section for (n, 2n) reaction on Yttrium have been measured at energy of 14 MeV neutrons from H(d, n)He by using activation technique. The ^93Nb(n, 2n)^92mNb reaction was used to monitor the neutron fluence, HPGe detector was used to detect the γ-rays. The cross section of ^89Y (n, 2n)^88Y reaction are 759 ± 42, 835 ±42, 958 ±53 mb for neutron energy 13.5 ±0.3, 14.1±0.2, 14.6 ±0.3 MeV, respectively. 相似文献
109.
目前我国学前教育正处于体制转型期,从原来提倡社会力量办园模式转变为以政府主导、公办民办幼儿园并存的办园体制,政府对学前教育的重视程度提高,对办园的资金投入加大。学前教育实施的成功与否,最关键的是要建立一支师德高尚、业务精湛的幼儿教师队伍。如何做好学前教育师资培训是我们需要深思和实践的一项课题。这对于全面提升幼儿教师的整体素质和发展幼儿学前教育有着非常重要的意义。 相似文献
110.
文化与科技深度融合是文化科技产业的颠覆性概念,是推动文化和科技内涵式发展的机遇和挑战.在技术赋能的背景下,从文化与科技深度融合的意蕴内涵、逻辑关系、框架模型、目标指向几个方面对文化与科技深度融合的演进机理展开诠释,进一步明晰文化与科技深度融合的理论基础,推动我国文化与科技深度融合发展.文化与科技深度融合具有两方面的意蕴,一方面是促进精神文明和人类社会进步,另一方面是加快物质文明和经济产业发展.在高新技术发展日新月异的当下,对文化与科技深度融合的发展历程进行梳理,辨析其逻辑关系.同时,对文化与科技深度融合进行剖析,运用系统论的相关理论,参照开放式系统互联模型OSI,对文化与科技深度融合的技术赋能框架模型进行深入探讨.最后,总结了文化与科技深度融合的目标指向,以期进一步厘清文化与科技深度融合发展的实践理路. 相似文献