X射线激光在等离子体中传播过程的简化模拟研究

对于电子密度为线性分布的等离子体,在几何光学近似下,通过简化模型研究了X射线激光的传播和增益过程,并给出了计算X射线激光的偏转角、发散角和最大光强的简单方法。其结果与理论模拟和实验结果都符合得比较好。     

一个K1,3-free图猜想

1988年在美国的Kalamazoo召开的“第六届国际图论及其应用会议”上提出无爪图猜想：若3连通;n≥3阶K1,3-free图G的NC≥(2n-6)／3,则G是哈密尔顿图。证明此猜想,并指出此猜想可能不是最好,但用此方法可有利于进一步得到更好的结果。     

集成结构振动主动控制和抑制

采用一种新的压电板单元,建立了含有分布压电传感元件和执行元件的集成结构的有限元动力模型。研究了这种集成结构在常增益负速度反馈控制规律作用下,振动的主动控制与抑制的问题,并提出了集成结构振动主动控制和抑制的一般方法。最后,提供了数值示例,说明本文提出方法的有效性。     

旋涂法制备纳米ZnO阴极涂层及场发射性能

采用水热法制备了烟花状的纳米氧化锌,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的结构和形貌进行了表征与分析.然后通过旋涂技术将掺入不同质量的氧化锌沉积到镍衬底上,经过热处理后进行了形貌表征和场发射特性的测试.结果表明:制备的样品是六方纤锌矿结构的花状纳米晶,镍基片上沉积的纳米ZnO涂层具有突出的发射体尖端且分布较均匀;在一定范围内,电流密度随掺杂氧化锌粉末的增多而增大,开启场强逐渐下降.原因是随着ZnO的增加,有效地增强了涂层的电子输运能力,增加了有效发射体数目进而提高了场增强因子.最后,分析了涂层的场发射机制.     

磁控溅射法制备InN薄膜的可控生长及表征

为了开发氮化铟(InN)半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si(111)衬底上实现了InN薄膜的制备.通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对获得的InN薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对InN薄膜结构、形貌的影响.结果表明:随着压强的增加,(101)峰的强度先增加后减小,晶面距离d先变小后变大且均获得三角锥形的InN薄膜;随着Ar与N2流量比的增加,InN薄膜的生长取向由沿(101)面变为沿(002)面生长且均获得三角锥状的InN晶粒;随着衬底温度的升高,InN薄膜的生长取向发生了变化且形貌逐渐由三角锥状向截面为六方的颗粒状结构转化.     

低温相HI分子晶体振动光谱计算

本文用弹性力常数模型计算了低温相ＨＩ晶体的振动光谱。利用９个可调参数计算出３７个晶格模式和８个内部模式晶场分裂谱线频率，结果与实验值甚符合，同时结合群论分析对晶体拉曼和红外光谱进行了全面指认，计算还给出晶体中各类相互作用力参数。     

CONTINUITY AND HAUSDORFF DIMENSION OF JULIA SET CONCERNING YANG-LEE ZEROS

Considering the Julia set J（Tλ） of the Yang-Lee zeros of the Potts model on the diamond hierarchical Lattice on the complex plane, the authors proved that HDJ（Tλ） 〉 1 and discussed the continuity of J（Tλ） in Hausdorff topology for λ∈R.     

On Joint Realization of (0,1) -matrices

Let R=(r_1,…,r_m),S=(s_1,…,s_n),R’=(r_1',…,r_m') and S'=(S_1',…,S_m')be non-negative integral vectors.Denote by (R,S)the class of(0,1)-matrices withrow sum vector R and column sum vector S. The three classes (R,S), (R’,S’)and (R R’,S S’)are called jointly realizable if there exist a matrix A in (R,S)and a matrix B in (R’,S’)such that A B∈ (R R’,S S’). In 1980,R.A.Brualdi and R.P.Anstee posed the following conjecture inde-pendently(see [1]).     

HL-30型液压钻机在施工中的应用

文章介绍了新产品HL－30型液压钻机的结构型式，特点及在施工中的广泛应用。     

超导螺线管磁体实验研究

实验研究了超导螺线管磁体内部损耗分布以及导线位移和短路对磁体临界电流的影响.实验结果表明 (1)磁体内部线圈的损耗比外部线圈小.内部和外部线圈损耗的总和等于整个磁体的损耗. (2)导线位移和短路分别引起磁体磁滞迥线形状两种畸变,而且这两种畸变是不一样的. (3)导线位移和短路都可以降低磁体的临界电流. (4)磁体内部有短路时,可能成倍或几十倍地增加磁体的损耗.