美国第16届晶体生长及外延会议

美国第16届晶体生长及外延会议于2005年7月10-15日在蒙托纳州Big Sky召开。该会议由美国晶体生长学会主持召开。公司和大学给予资助。该会议是几年来规模最大的一次，有来自美、英、法、德、俄、加、日、中国等十几个国家400余名科技工作者参加。会议报告共282篇，其中邀请报告占到三分之一，会议大字报96篇，这些会议报告反映了近年来国际上在晶体材料及相关功能材料领域最新研究成果和发展动态。     

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

 研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。     

KDP/DKDP晶体生长的研究进展

采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1～2 mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20～50 mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高.本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展.并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态.     

用热力学理论对热释电晶体TGS的改性研究

从热力学德文希尔理论出发,指出关系Ｐ／χ＝Ｐｓ／Ｃ可作为提高铁电晶体的热释电材料优值Ｍ（Ｐ／ε）的一条途径,即通过提高其自发极化强度Ｐｓ来提高其材料优值Ｍ（Ｐ／ε）,并生长出了用大极性分子尿素改性的ＴＧＳ晶体－ＵＴＧＳ、ＤＵＴＧＳ、ＬＵＴＧＳ和ＤＬＵＴＧＳ．测试结果表明,这些晶体的自发极化强度Ｐｓ和材料优值Ｍ（Ｐ／ε）均比纯ＴＧＳ有显著提高．     

pH值对KDP晶体中散射颗粒的影响

探讨了不同pH值对KDP晶体散射颗粒的影响。结果表明,不同pH值生长条件下生长的KDP晶体中散射颗粒的尺寸、密度呈现明显差异,pH值为5.5条件下KDP晶体中散射颗粒尺寸明显变大,分布稀疏;pH值为2.0时,散射颗粒密度高,尺寸小。其原因在于形成散射的杂质颗粒的存在形式不同。     

KDP晶体中点缺陷Na取代K的电子结构研究

对磷酸二氢钾(KDP)晶体中Na取代K点缺陷的几何结构及电子结构进行了第一性研究。计算的形成能约为0.46 eV,因此在KDP晶体中此类缺陷比较容易形成。Na取代K以后没有在带隙中形成缺陷态,但在价带中引入两个占据态。它们分别位于费米面以下49 eV和21.5 eV处,这两个占据态分别由Na原子的s和p轨道形成。相对于K来说,由于它们位于价带深处,具有很低的能量,因此Na在KDP中比K稳定。Na在KDP晶体中与周围氧原子的重叠布居仅为0.09, 故它不与主体原子发生共价作用,仅以静电库仑力影响周围原子,此缺陷周围晶格仅发生微小畸变。     

0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜的MOSD+Dipping制备

采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还研究了薄膜的存储性能.     

快速生长KDP晶体的光学性质研究

本文研究了快速生长的KDP晶体光学性质,结果表明快速生长的KDP晶体的光学性质低于传统降温法生长的晶体,原料中阴离子杂质的存在是造成这一结果的主要原因,确保快速生长晶体质量的首要条件是提高原料的纯度.     

《DKDP晶体的亚稳四方相生长》

在这篇论文中,作者测量了DKDP晶体的过饱和溶液的亚稳区和亚稳四方相生长区域,这些结果表明,在单斜相稳定区域中,存在着相当宽的亚稳四方相生长区,(20～30℃),因此可以用降温法在该区域中生长出光学质量好的四方DKDP大晶体。     

MODELING AND SCALING OF CHIELECTRIC RELAXATION OF NONLINEAR OPTICAL POLYMERS IN FREQUENCY DOMAIN

chielectric relaxation theory was demonstrated, chielectric relaxation that selectively probes chromophore reorientation in the frequency domain was described by the Havriliak Negami(HN) function, chielectric spectra of several nonlinear optical (NLO) polymers were fitted well by the HN function. To describe the scaling of chromophore reorientation relaxation in frequency domain, two-shape parameters m and n describing the low- and high- frequency wings of the chielectric spectra need to be specified, besides the chielectric characteristic relaxation time τ and the chielectric strength Δχ⁽²⁾. From the temperature dependences of m and n of NLO polymers, the relations between the chromophore relaxation and the a relaxation of the polymer host have been revealed.