文克尔地基上阶梯式单向矩形薄板的振动

用奇异函数建立文克尔地基上阶梯式单向矩形薄板自由振动和强迫振动的微分方程并求得其通解，用Ｗ算子给出主振型函数的表达式及常见支承条件下板的频率方程，用广义函数讨论板在不同形式载荷作用下的强迫振动响应·     

两类最优循环局部修复码的构造

局部修复码是一种能修复多个故障节点的纠删码,在分布式存储系统中被广泛使用,构造最优局部修复码是目前分布式存储编码理论研究的热点问题之一.文章利用有限域Fq上循环码构造了以下两类具有局部修复性(r,δ)的最优局部修复码:1)[3(q+1),3(q+1)-3δ+1,δ+2],其中 q ≡ 1(mod 6),r+δ-1=q+...     

废弃植物油对破囊壶菌生产多不饱和脂肪酸的影响

为研究废弃植物油对破囊壶菌生产PUFA的影响, 以混合葵花籽油和橄榄油高温烹煮后的废弃油为研究对象, 比较了在常规培养基中添加植物油和废弃植物油前后破囊壶菌Thraustochy-trium sp.S-3的繁殖变化和脂肪酸组成变化. 结果表明, 添加烹调前后的植物油均能对破囊壶菌生长产生明显的促进作用, 单位体积培养基中的总脂量可增加1倍左右; 同时, 破囊壶菌的脂肪酸组成跟植物油本身的脂肪酸组成有着明显正相关, 添加废弃植物油后, 能明显增加破囊壶菌合成DHA等PUFA的能力, 同时增加了破囊壶菌中十八碳不饱和脂肪酸的含量. 研究结果对利用废弃植物油类作为碳源应用到破囊壶菌产业化生产PUFA提供了理论依据.     

密度泛函理论研究ScnO(n=1—9)团簇的结构、稳定性与电子性质

采用基于密度泛函理论的BP86/CEP-121G （O原子采用6-311G^**基组）方法,对Sc_nO （n=1—9）团簇的几何结构、能量与稳定性、电子结构性质及其随团簇尺寸的变化趋势进行了研究.随着团簇原子个数的增加,O原子从位于Sc_n团簇结构的边缘转变为占据团簇的内部位置.O原子的掺入增加了Sc_n团簇的稳定性,使其能隙升高,并改变了其稳定性及电子结构性质随团簇尺寸变化的规律;含有偶数个Sc原子的氧化物团簇比其周围邻近的含有奇数个Sc原子的氧化物团簇具有相对较高的稳定性.Sc_nO团簇电离势的理论计算值与实验值符合得较好,而其电子亲和势呈现振荡交替上升的变化趋势;用最大化学硬度规律等方法表征了Sc_nO氧化物团簇的稳定性和电子结构性质. 关键词： nO团簇')" href="#">Sc_nO团簇 几何结构 电子性质 密度泛函理论     

CO2激光干涉检验轮胎面面形及双曲率半径

轮胎面属于高次非球面,不同于二次回转球面,在光学系统中具有独特重要的用途,但至今无有效的面形检验方法.本文用自行研制的移相式CO₂激光(λ=10.6μm)球波面干涉仪,检验双曲率半径之差为亚毫米量级的轮胎面面形;文中分析了测试原理,给出了测试实例的移相干涉图、双曲率半径测量值及面形波差三维立体图,并分析了测试误差.     

微通道板选通X射线皮秒分幅相机

本文报道的超高速摄影机可在1.2ns内连续拍摄12幅图象,每幅图象的曝光时间为100ps,空间分辨率201p/mm,它具有几何畸变小、动态范围大等特点。对MCP皮秒选通的数值模拟考虑了电子渡越时间及弥散影响。变象管研制着重解决了微通道板上微带线的欧姆损耗问题。     

空心微球结构Au/Ag合金泡沫块体的制备

将平均晶粒尺寸为4.6 nm的金粒子通过静电作用粘附于聚苯乙烯（PS）微球表面用于化学镀,化学镀金后PS表面的金沉积层几乎达到完全包覆,厚度70~90 nm;在Au/PS表面进行化学镀银,沉积的银颗粒堆积紧密,颗粒大小较先前沉积的金颗粒大,镀覆层厚度增厚至200~400 nm;模板去除后,获得了完全自支撑的Au40Ag60空心微球结构的圆柱状泡沫材料。制备的金银合金泡沫由直径约10 m的空心球壳组成,圆柱体直径约5 mm,密度约1.2 g/cm3。     

Sputtering pressure influence on growth morphology,surface roughness,and electrical resistivity for strong anisotropy beryllium film

The strong anisotropy beryllium （Be） films are fabricated at different sputtering pressures by direct current magnetron sputtering. With the increase of pressure, the deposition rate of Be film first increases, and when the pressure exceeds 0.8 Pa, it gradually descends. The X-ray diffraction analysis indicates that Be film is of α-Be phase, its surface always reveals the （101） crystal plane possessing the low surface energy. As for the growth morphology of Be film, the surface is mainly characterized by the fibrous grains, while the cross section shows a transition from a columnar grain to a mixed grain consisting of a cone-shaped grain and a columnar grain as the sputtering pressure increases. The large grain fraction decays exponentially from 75.0% to 59.3% with the increase of sputtering pressure p, which can improve the grain size uniformity. The surface roughness increases due to the insufficient atom diffusion, which is comparable to its decrease due to the etching effect at p 〈 0.8 Pa, while it increases drastically at p 〉 0.8 Pa, and this increase is dominated by the atom diffusion. The electrical resistivity values of Be films range from 1.7 μΩ m to 2.7 μΩ m in the range 0.4 Pa-1.2 Pa, which is 50 times larger than the bulk resistivity.     

计入次近邻作用的─维点阵的定＂长＂比热

计算了计入次近邻相互作用后一维点阵在低温下的定＂长＂比热,结果表明次近邻的影响使比热减小．比热;次近邻作用     

开口谐振环阵列在太赫兹波段的谐振特性实验研究

实验制备了单元尺寸在微米量级的开口谐振环周期阵列样品,测试了其在0.1~2 THz频段的散射系数,验证了不同极化方向的垂直入射可产生单独的电谐振或同时产生磁谐振的传输特性,验证了材料电导率对样品的谐振频率的影响。结合仿真计算结果,得到了等效的负介电常数和负磁导率随频率的变化关系,及其电、磁谐振频率与谐振环单元尺寸增大倍数k的关系曲线。实验和仿真均表明,样品的电谐振频率与1/k线性相关,而磁谐振频率与1/k成正比关系。