钯(Ⅱ)-苯并咪唑邻菲咯啉氨基酸配合物稳定性研究

用pH电位滴定法测定了以Pd2+为中心离子,以苯并咪唑邻菲咯啉(PIP)为第一配体,以甘氨酸根(gly-)、苯丙氨酸根(phe-)和亮氨酸根(leu-)为第二配体的(PIP)(Aa)+型混合配体配合物在37℃,μ(离子强度)=0 1(KNO3)乙醇/水混合介质(乙醇体积分数为10%、20%、30%、40%和50%)条件下的稳定常数lgK及表征常数ΔlgK和lgX·lgK值≥14,表明配合物具有极强的分子内键合作用,ΔlgK和lgX均大于相应的统计期望值,说明配合物获得了附加稳定性,并从分子内配体间的弱相互作用及熔化角度对配合物的稳定性进行了讨论·     

液晶彩色显示

七十年代,液晶显示器（ＬＣＤ）由于其独具的低电压、低功耗工作特性而得到迅速发展,其中扭曲场效应黑白显示已被广泛应用．近年来,日本、英国、瑞士、西德等国对液晶彩色显示的研究也相当活跃,并在应用于手表电视等方面获得成功．液晶彩色显示与黑白显示一样,都是利用加电场后液晶分子排列状态发生变化,液晶盒的光学性质也随之变化的原理而构成液晶显示元件的．目前已经开发的液晶彩色显示技术按其工作方式可归为四大类?...     

红外光谱法测定高碱性磺酸盐的碱值

采用简单、快速且有选择性的红外光谱法测定高碱性磺酸盐添加剂的碱值。在高碱性磺酸盐同一张谱图上,可以测定到在865厘米～(-1),1180厘米～(-1)分别属于δco_3～(2-),v_(asso)振动的吸收强度,由于样品厚度未知,而采用了吸收比的方法。     

原子吸收分光光度计用于分子吸收分析测定稀土氧化物中铝和硅

用原子吸收分光光度计代替紫外－可见光度计测定元素的分子络合物的分子吸收。作为初步尝试，测定了稀土氧化物中的铝和硅，取得了满意的结果。     

FTIR-ATR技术考察TiO2膜对油酸的光催化氧化性能

采用Sol-Gel和PVD法在玻璃、陶瓷、铝片表面制备出TiO2膜,直接将食用油中的主成分油酸用溶剂稀释后均匀涂在膜表面,采用FTIR-ATR技术实现了对膜样品光催化自清洁性能的快速准确评价,并通过测量水的接触角评价了膜的亲水性。结果表明,Sol-Gel法和PVD法制备的TiO2/玻璃膜都具有较好的光致亲水性和光催化降解油酸性能,两者的亲水性没有明显差别,但前者的光催化活性稍优于后者。比较Sol-Gel法制备的TiO2/玻璃、TiO2/陶瓷和TiO2/铝片膜对油酸的光催化降解性能发现,光照3·5h后3个样品的降解率分别为92%,85%和46%,表明基底材料性质对TiO2膜的光催化活性有明显影响,镀在非导电性玻璃和陶瓷表面的TiO2膜比镀在导电性金属铝表面的TiO2膜对油酸有更高的光催化降解能力。     

基于PFN-Marx技术的紧凑型重频脉冲功率源

针对低磁场相对论磁控管高功率微波器件实验驱动需求,对基于脉冲形成网络（PFN）储能的高功率脉冲产生技术进行了研究。为了使其结构紧凑且具有较好的输出脉冲波形,设计了半环形PFN脉冲形成单元,两个半环形带状PFN与一体化开关、绝缘盘组成圆环形高压脉冲产生模块。PFN脉冲形成单元由13个陶瓷电容与半环形金属电极板构成,多个高压脉冲产生模块同轴层叠,所有开关导通后各模块PFN串联放电,产生快前沿高功率方波脉冲,再通过对触发开关和充电电源的同步控制实现重频工作。采用电磁仿真软件对PFN物理结构进行优化设计,研制的高压脉冲产生模块充电51 kV在负载8.5?上输出电压峰值49.6 kV、脉冲半高宽108 ns、脉冲前沿14 ns、平顶（90%～90%） 74 ns,具有较好的方波特性;11个高压脉冲产生模块层叠集成为1个22级紧凑PFN-Marx装置,在充电51 kV的条件下,84?负载上获得峰值516 kV的高电压脉冲输出,半高宽104 ns、平顶63 ns、脉冲前沿11 ns,实现了20 Hz连续15 s重频稳定工作,输出波形完全一致。     

亚纳秒重频脉冲信号源设计与实验

亚纳秒前沿、数百伏幅度、近似高斯单周波的重频窄脉冲信号源在超宽带探测、电磁兼容测试等领域有着十分广泛的应用。设计了一种全固态Marx电路结构型重频脉冲信号源,选用云母电容、雪崩三极管、贴片电阻、电感等元器件,根据信号输出要求优化印制电路板（PCB）布局及微带线结构,调整匹配电路元件参数,在50Ω电阻负载上获得了脉冲峰值约1 kV、脉宽约650 ps、前沿约450 ps、后沿约700 ps的单极性负脉冲信号,脉冲波形前后沿相似且光滑陡峭,实现了10 kHz重频输出,波形峰值抖动和半高宽抖动均小于10%。     

两个回归函数相等的Bootstrap检验

两个回归参数相等性检验一直是统计界感兴趣的问题之一．在这篇文章中，四个检验统计量被用于度量两曲线的差异，在原假设下统计量的分布采用向量数据的重复抽样来逼近，并给出了—些模拟结果．     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据，对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估，发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离，在不考虑共振过程的情况下，我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的，但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较，此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。