一个模糊关联规则挖掘系统的设计与实现

将模糊技术和概念分层应用到关联规则挖掘中，给出了多层次模糊关联规则挖掘系统的设计和实现的具体方案．并以Fnodmark2000数据库为基础，建立了客户信息主题数据库．建立起系统基本框架，实现了模糊关联规则挖掘算法，使用该算法成功挖掘出客户消费—特征之间的关联规则，并对得到的模糊关联规则作了分析。     

麻黄苗期水分特性初探

用兰州大学生产的ZLZ-4型植物水势仪测定水势,利用美国拉哥公司(LI-COR)制造的LI-6400便携式光合作用系统测定了麻黄的蒸腾速率,分析结果表明:麻黄水势较低,平均为-4.5MP,与梭梭相近,低于所研究的其它15种植物.日变化在-4至-5MP之间,变化曲线比较平缓.麻黄蒸腾速率基本呈单峰型,上午7时最低,下午13时最高,14时有所下降,15时又达到一个高峰值,随即开始稳定下降.19时达到一个较低值.     

高铬铸铁锤式破碎机锤头的研制及耐磨性的提高

本文介绍了15—2—1高铬铸铁锤式破碎机锤头的研制和使用情况,对提高其耐磨性的热处理工艺进行了对比试验.结果表明,高铬铸铁锤头经二次硬化热处理(1100℃×100min+540℃×2hr)后,寿命可比普通铸铁锤头提高10.7倍,比常规“最佳” 硬化处理的高铬铸铁锤头提高0.59倍.使用这种锤头,可使材料消耗降低到原来的26%,同时减少了更换次数,提高了生产率.     

硫化镉胶体体系光反应产生的自由基的研究

本文作者制备了硫化镉的十二烷基磺酸钠胶体，测定了其ＵＶ－Ｖｉｓ吸收光谱和荧光发射光谱，用自旋捕捉－ＥＳＲ技术研究了一些无机盐，有机盐和几种有机物分别在ＣｄＳ／ＳＤＳ胶体系中的光反应产生的活泼自由基。     

某些含氮有机物光催化氧化产生的自由基中间体

本文用自旋捕捉技术与ESR相结合的方法研究了某些含氮有机物TiO₂光催化降解的过程中形成的活泼中间体.选择的化合物中有丁胺、戊胺、庚胺、六氢吡啶、吡啶、2-甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶,这些分子中的氮原子分别作为初级脂肪胺、饱和环中的二级胺以及芳环中的三级胺出现,实验中观察到N-中心自由基及C-中心自由基与自旋捕捉剂加合物的ESR信号,表明这些自由基参与这些化合物光降解的初始过程,对深入了解其光降机理是有意义的.     

浅海温跃层声散射实验研究

本文给出１９８８、１９８９和１９９２年夏季南黄海海域三站位（水深３４米、４４米和３９米）处的温跃层声脉冲反向散射实验结果。实验用窄带脉冲声源的中心频率分别为１２０ｋＨｚ、１６０ｋＨｚ和２００ｋＨｚ。实验过程中同时用ＣＴＤ仪昼夜分段记录温、盐、深参数和分层拖网采集浮游生物样本。作者根据Ｒ．Ｋｉｎｄ关于平面波在任意分布不均匀层系上反射系数谱的计算方法，求出以实测温、盐垂直分布构成的不均匀层系上反射系数谱，得到跃层散射在时域上的数值模拟散射信号，与海上实测记录在时域和幅度进行对比。三年同期重复实验结果表明：实测跃层散射波到达接收点的时间与按温度剖面所做数值模拟计算结果相符。浮游生物样品分析数据与声信号记录看不出确定的对应关系，说明声散射主要是海水介质的物理不均匀性引起。     

高密度聚乙烯（HDPE）在静高压下的强度研究

 高密度聚乙烯（HDPE）在1~2 GPa的静高压下发生熔体结晶。用压缩的方法对经过高压处理后的样品进行了杨氏模量的测量。测量结果表明：样品的杨氏模量随压力和结晶度的增加而增大，最大值达到1.46 GPa。伸直链晶体的形成是杨氏模量增加的重要因素。     

限制在疏水板中的新的六边形-四边形三层冰结构 (cited: 1)

对限制在两个光滑的疏水板间的水进行了分子动力学模拟,观察到了两种晶体结构,都满足冰规则. 在1 GPa的压强和1.0 nm的板间距下获得的新的冰相是平坦的六边形-四边形三层冰. 在此结构中,靠近板的两层(外层)中的水分子形成六边形环,中间层的水分子形成四边形环. 对于外层的水分子,其四个氢键中的三个在同一层中,另一个氢键与中间层连接. 对于中间层的水分子,四个氢键中的两个在同一层中,而另外两个氢键与两个不同的外层相连. 虽然三层的形状不同,但其面密度却接近相等. 另一种结构是在0.8 nm的板间距和100     

外电场作用下飞秒激光成丝辐射太赫兹波的全电流模型

针对外加横、纵直流电场作用下的单色飞秒激光成丝辐射太赫兹波现象,提出了一种将微观等离子体电流振荡与宏观电流传输线辐射相结合的全电流模型,旨在解释外电场作用下太赫兹波增强、空间分布演变等辐射特征。与现有渡越-切连科夫辐射理论相比,所提出的全电流模型在等光速条件下可实现相位匹配,物理图像清晰、公式简洁,且能很好地复现实验结果。     

基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术EI北大核心CSCD

在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素。但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失配等问题对获得高质量的GaAs薄膜造成了严重影响。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术开展Si基GaAs生长研究。通过采用三步生长法,运用低温成核层、高温GaAs层与循环热退火等结合的方式,进一步降低Si基GaAs材料的表面粗糙度和穿透位错密度。并利用X射线衍射(XRD)ω-2θ扫描追踪采用不同方法生长的样品中残余应力的变化。最终,在GaAs低温成核层生长时间62 min(生长厚度约25 nm)时,采用三步生长、循环热退火等结合的方式获得GaAs(004)XRD摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)为401″、缺陷密度为6.8×10^(7) cm^(-2)、5μm×5μm区域表面粗糙度为6.71 nm的GaAs外延材料,在材料中表现出张应力。