微铂电极上1-酰基二茂铁动力学参数的测定

本文合成并研究了１－酰基二茂铁在ＣＨ２Ｃｌ２中的伏安行为，测定了它们在ＣＨ２Ｃｌ２中不同支持电解质浓度时的扩散系数，并分明用Ｚ．Ｇａｌｕｓ和Ｋ．Ａｏｋｉ方法计算了两种状态下的电子迁移速率常数。讨论了取代基的诱导效应和共轭效应及其链长对１－酰基二茂铁的动力学性质的影响以及支持电解质及其浓度等因素对伏安曲线的影响。     

铈对Al-Mg-Si合金断裂特性的影响

用扫描电镜、透射电镜研究了铈对Al-Mg-Si合金断裂特性的影响。结果表明,在充分时效条件下,铈使该合金由沿晶脆性断裂变为穿晶与沿晶混合断裂,显著提高了合金的韧性。这是由于铈改变了合金晶内和晶界沉淀物的大小和分布,并在合金的晶内形成含铈的非共格弥散粒子的缘故。     

用热重分析法研究氢氧化镧的热分解过程

在研究固相交换反应过程中,我们对氢氧化镧进行了热重分析,发现氢氧化镧的热分解过程是分两步进行的,由其热重曲线计算了氢氧化镧热分解反应的活化能和反应级数。     

褐煤蜡树脂中多环芳烃组成的研究

采用气相色谱法对云南寻甸褐煤蜡树脂和吉林舒兰褐煤蜡树脂,进行了多环芳烃分布特征的研究,从树脂中鉴定出６８个化合物的同系物。两个树脂样均以菲系化合物占有优势,舒兰树脂中菲系列量约三倍于寻甸树脂的相应量     

“产、学、研、用”一体化仪器分析实验教学改革的探索与实践

仪器分析实验在大学化学实验教学中占有非常重要的地位,结合吉林大学化学学院仪器分析实验“产、学、研、用”一体化教学模式,从实验教学内容的改革与探索和实验教学平台的建设与实践2个方面,围绕教学仪器的研制与开发、教学方法与课程设计、育人模式与运行机制等内容进行了分析和论述。     

豆薯种子中一种具有抗植物病毒活性的蛋白质的初步晶体学研究

从豆科植物豆薯 (Pachyrrhizuserosus,Leguminosae)的种子中分离纯化了一种具有抗植物病毒活性的蛋白质 ,分子量约为 1 5kD。在 2 0 % (w/v)PEG60 0 0 ,0 .1mol/L磷酸盐缓冲液 (pH7.4)条件下得到了可供衍射用的单晶 ,在MarResearchIP上进行了衍射数据收集 ,其衍射能力达 2 .3 。经MarDenzo软件包处理 ,确定其空间群为P2 1 2 1 2 1 ,晶胞参数为 :a =2 8.80 8,b =32 .840 ,c=1 40 .397 。根据Matthews常数估算 ,每个不对称单元含 1个分子。     

碳纤维微电极研究(Ⅺ)——利用温度效应测定电极反应的热力学和动力学参数

研究了温度对碳纤维微电极上伏安曲线的影响及温度与电极电位的关系,测定了电极反应的热力学参数.由电流与温度的关系测定了去极剂的扩散活化能E_(al)和D_o,利用微电极具有高速传质的特性,测定了常规电极上为可逆反应的电极反应标准速率常数(?),并通过(?)与温度的关系测定了电极反应的活化能.     

北京大学1982年研究生入学考试试题选登(附简单提示)

<正> 一、1.求极限(?)(xy~2dy-x~2ydx)/((x~2+y~2)~2)=?其中 C_r 是圆周:x~2+y~2=r~2(?)(提示:用参数表示圆周,或将分母部分提到积分号外再用格林公式,简单计算即可求出极限为π/2.)2.设α,β为常数,α>0,β≠0,且有     

Fringe multiplication by reflection

A new method of fringe multiplication is presented in this paper.The method is simpleand applicable.Only one polarizer and one quarter-wave plate are adopted to get fringemultiplication by reflection.     

硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。