浅谈建筑设计阶段的工程造价控制

设计阶段的的造价控制是项目全过程造价控制的基础和前提,在项目造价控制中起着至关重要的作用。本文强调了在设计阶段控制工程造价的重要作用,并提出了控制工程造价的具体措施。     

单圆柱微通道内流动特性实验研究

采用Micro-PIV实验系统和压差测试系统，研究了含有单个微圆柱的通道内去离子水在10相似文献   

住宅小区建筑雨水利用

该文根据厦门的降雨特点及地质条件,结合新建住宅小区建筑,阐述设计中如何进行雨水的收集与利用.     

你的信息安全吗？：中国信息安全盲区几重？

随着全球信息化步伐的加快，信息安全逐渐被广大公众所熟知，成为全世界关注≮。的焦点。然而，生活在中国的老百姓、在中国开展生产经营的企业们、中国的政府机构们。你们认为自己的信息足够安全吗？     

在体验中感悟数学知识

在以往的教学的活动中,我们不太重视儿童在教育生活中的体验.我们往往将成人的观念,披上"知识"的外表以标准化答案的方式剥夺着儿童独有的个性体验.如果剥夺了儿童在理解基础上的体验,以及在体验基础上的理解,那么除了死记硬背,孩子们还能干些什么?因此,作为数学老师庄为学生感悟数学创设和谐的情境,触动学生的生活积累,使学生能有所悟,能自悟自得,并能在实践活动中深化感悟.     

明初安多藏区藏传佛教汉式佛殿形制初探

安多藏区包括今甘肃南部、河西走廊、四川西北部及青海大部分地区,地处中原与西藏联系的交通枢纽,又称“前藏”,具有多民族共处,文化多元共生的特点。为强化对安多的控制,明初除建“西蕃诸卫”、“土流参设”、茶马互市外,尊崇藏传佛教成为重要国策。为此,皇帝曾在该地区敕建大批藏传佛教寺院,尤其是从兰州经永登、乐都至西宁一线更是寺院林立,现为全国或省级文物保护单位的乐都瞿昙寺及永登妙因寺、显教寺、大佛寺等至今保存完好,是研究14、15世纪藏传佛教寺院形制和甘青地区古建筑做法的的重要例证。例如瞿昙寺瞿昙殿(1392年)妙因寺万岁殿(1427年)、显教寺大殿(1482年),均以下檐副阶周匝成暗廊,作为右旋礼拜道,形制与西藏日喀则夏鲁寺门楼上所建重檐歇山周绕礼拜道的布敦堂类似,共同反映了元末明初藏传佛教的宗教仪轨。本文以大规模测绘为基础,结合文献考证,初步揭示了安多藏区明初汉式藏传佛教建筑的特征和价值。     

浅谈电气工程接地装置施工质量通病及其对策

本文从电气安全的角度，探讨了电气工程接地装置的施工质量通病，针对质量通病逐一讨论解决方法，为确保电力系统的安全运行提供保障。     

一段有源支路欧姆定律的教学及推广应用

本文通过对电工基础中一段有源支路欧姆定律的教学探讨,总结了电路中任意两点间电压的求取方法,并阐述了这一解题思路在基尔霍夫定律、回路电流法及节点电压法等教学过程中的推广应用。     

重度颅脑损伤病人早期实施肠内营养的临床观察

目的 探讨重度颅脑损伤后通过鼻-胃管进行早期肠内营养支持的临床应用效果。方法 将60例重度颅脑损伤病人随机分为两组。实验组30例，于伤后24h开始实施肠内营养，对照组30例，按传统的方法于伤后72h开始实施肠内营养，观察两组病人与营养有关的肠道并发症的发生率，两组病人院内感染发生率、ICU病死率、存活率及住ICU时间。结果 两组胃肠道并发症发生率分别为实验组26．6％，对照组23．3％，差异无显著意义（P〉0．05），但实验组院内感染发生率、ICU病死率、存活率及住ICU时间明显低于对照组（P〈0．05）。结论 重度颅脑损伤病人早期实施肠内营养安全有效。     

Characteristics of High In-Content InGaN Alloys Grown by MOCVD

InN and In0.46 Ca0.54N films are grown on sapphire with a CaN buffer by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. Both high resolution x-ray diffraction and high resolution transmission electron microscopy results reveal that these films have a hexagonal structure of single crystal. The thin InN film has a high mobility of 4 75 cm^2V^-1s^-1 and that oflno.46 Gao.54N is 163 cm^2 V^-1s^-1. Room-temperat ure photoluminescence measurement of the InN film shows a peak at 0.72eV, confirming that a high quality InN film is fabricated for applications to full spectrum solar cells.