一种二级光纤网的优选方案

本文分析了二级有线电视光纤网“光／电／光转换中继方式”和“光放大器中继方式”两种联网方案，提出了在临频系统近于满载时采用１５５０ｎｍ系统“光放大器中继方式”的优选方案，赢得电缆分配系统分配比例裕量．对于１５５０ｎｍ参铒光纤放大器ＥＤＦＡ性能亦做了介绍．     

现代码分多址（CDMA）技术的研究与探讨

现代码分多址（ＣＤＭＡ）移动通信系统被称为第三代移动通信系统,发展极其迅速,并且向多方面拓展,本文探讨了ＣＤＭＡ的技术理论,现状及特点,并对其在扩频方法,容量的计算等方面的机理作了研究,对应用也作了介绍。     

高变比脉冲变压器的研究(摘要)

脉冲变压器是用于通讯、雷达、编码调制器、加速器等设备的重要部件。对于电子设备、特别是航空、航天电子设备的调制器,要减轻重量,缩小体积,增加可靠性,提高脉冲变压器的变比是一条捷径,从而可以实现电子设备的全固态化。     

红土镍矿真空碳热还原过程中镁的行为

以云南元江红土镍矿为研究对象,采用XRD,EM-EDS和化学成分分析等手段,研究红土镍矿真空碳热还原反应的热力学、还原产物的物相转变和金属镁的挥发冷凝机理,探讨红土镍矿真空碳热还原过程中镁的行为.实验结果表明:真空中氧化镁的还原是固体碳直接还原的固-固反应,临界反应温度为1 476 K,生成的金属镁极易挥发,在冷凝系统凝华收集;还原产物主要有SiC,Fe-Si合金,Mg2SiO4,Mg和SiO气体;SiO在冷凝系统生成Si和SiO2;反应温度的升高、还原煤用量的增加和反应时间的延长,镁的还原率都显著增大;不同种类的添加剂催化效果不同,CaO和CaF2的催化效果较好:在温度较低的冷凝系统,Mg容易与CO,O2和Si发生反应生成MgO和Mg2Si,影响金属镁的纯度.     

Zr的添加对 CeTiOx NH3-SCR催化剂抗碱金属中毒能力的提升

CeTiOx具有高的 NH3选择性催化还原(NH3-SCR)活性和 N2选择性,被认为是具有应用前景的催化剂.但是, CeTiOx不抗碱金属中毒,在含有大量 K离子的生物质柴油的燃烧装置中中毒尤为严重,因而限制了 CeTiOx催化剂在生物质燃料装置上的进一步应用.本文通过在 CeTiOx催化剂中掺杂 Zr元素来提升其抗 K+中毒的能力.采用共沉淀法制备了 CeTiOx (CT)和 CeZrTiOx (ZCT)两种 NH3-SCR催化剂.将不同含量的硝酸钾(K+/Ce =0.1,0.2)负载在催化剂表面,焙烧处理后得到 K+中毒的催化剂(K0.1-CT, K0.2-CT, K0.1-ZCT和 K0.2-ZCT).通过测定各催化剂的催化活性来研究 Zr的添加对 CT催化剂抗 K+中毒能力的影响. NH3-SCR活性数据表明, CT和 ZCT催化剂都达到了接近100%的 NOx转化率,且两种新鲜催化剂的催化性能基本无差别.浸渍不同含量的 K+之后, ZCT催化剂明显优于 CT催化剂： K0.1-CT和 K0.1-ZCT上的 NOx转化率分别为90%和62%;而 K0.2-CT和 K0.2-ZCT上分别为48%和13%.可见,随 K+添加, ZCT催化剂活性降低更缓慢,表明 Zr的添加提高了 CT催化剂抗 K+中毒能力. BET数据显示,在新鲜催化剂中, Zr的添加增加了催化剂比表面积和孔体积; K+中毒之后, ZCT仍然表现出比 CT更好的织构性能. X射线衍射和拉曼光谱结果显示,随着 K+负载量的增加,锐钛矿 TiO2的衍射峰逐渐变得尖锐,说明无定形 TiO2逐渐结晶并不断长大,从而导致催化剂比表面积下降.与 CT相比,随着 K+负载量增加,催化剂晶型并没有明显变化.这说明 Zr的添加可以抑制锐钛矿 TiO2的结晶及长大.由此可见 Zr的添加可抑制因 K+中毒而引起的催化剂结构变化,所以仍能保持较高的 NOx转化率.透射电镜(TEM)结果表明,随着 K+负载量逐渐增加,催化剂的晶粒尺寸逐渐变大： CT, K0.1-CT和 K0.2-CT的平均晶粒尺寸分别为7,13和15 nm,而 ZCT催化剂晶粒尺寸增大并不明显,分别为5,8和10 nm.很明显, Zr的添加抑制了催化剂晶粒长大,从而提高了其结构稳定性能.综上可见,由负载 KNO3而引起的“熔盐效应”得到了有效抑制. X射线光电子能谱结果表明,随着 K+负载量增加, CeZrTiOx催化剂的 Ce3+/Ce4+值下降得比 CeTiOx更缓慢,说明加入 Zr之后,催化剂具有更多的晶格缺陷和氧空缺,因而有利于 NH3-SCR活性的提高. 另外,催化剂酸性也是影响 NH3-SCR活性的关键因素. NH3程序升温脱附结果显示, Zr的添加可以使 CeTiOx催化剂在 K+中毒之后仍保持较高的酸性,即 Zr的添加抑制了 K+对催化剂表面酸性的巨大破坏作用.综上可知, Zr的添加提升了 CeTiOx催化剂抗 K+中毒能力.     

二氧化硅在真空碳热-氯化法炼铝过程中的行为

采用XRD,EDS及热力学分析等方法,对二氧化硅在真空碳热-氯化法炼铝过程中的行为进行研究.研究结果表明:碳热还原过程SiO2在较低温度下发生碳热还原反应生成SiC,在更高的温度条件下碳热还原生成低价氧化硅SiO气体;另外还有一定量的SiC与Al4C3结合生成Al4SiC4.碳热还原过程生成的低价氧化硅SiO气体进入低温区歧解得到单质硅与二氧化硅;同时还有氧化铝碳热还原生成的低价氧化铝Al2O气体进入低温区与CO发生二次氧化反应生成氧化铝与碳,低价氧化铝Al2O与低价氧化硅SiO气体在低温区发生反应的可能性较小.碳热-氯化过程冷凝产物金属铝的EDS检测分析显示,SiO2碳热还原生成的低价氧化硅SiO歧解产物没有混入最终产物中,从而不会影响金属铝的纯度,该金属铝平均纯度达97.03％.     

采用图像处理技术防止高速公路汽车碰撞的研究

近年来随着汽车车速的提高和汽车数量的增加,交通事故也与日俱增.为了避免高速公路上车辆之间发生碰撞,研制开发了一种自动控制的防碰撞系统模型.该模型是一种主动安全系统.在系统中使用双摄像头采集立体图像并通过特殊的图像处理做出高精度的判断,经分析判断,对构成危险的目标按程度不同进行报警,控制刹车,防止碰撞.     

基于MgCl2-HoCl3熔盐镁直接脱除钛废料中固溶氧研究

针对现有钛脱氧方法存在成本高、效率低、金属/熔盐分离困难等问题,本研究提出了一种在MgCl₂-HoCl₃熔盐中,采用Mg作脱氧剂直接脱除钛中固溶氧的新方法。在1273 K下开展了热力学计算和实验研究,结果表明：在MgCl₂-HoCl₃熔盐中,借助Ho OCl(O(in β-Ti)+Mg(l)+HoCl₃(l)=MgCl₂(l)+HoOCl(s))的生成,有效降低了脱氧副产物MgO的活度,促进了镁深度脱氧,钛中氧含量可降低至1000×10^-6以下(甚至500×10^-6以下)。随着熔盐中HoCl₃活度的增加,钛中的氧含量降低,当HoCl₃的活度为1.0时,氧含量可降至80×10^-6左右。基于以上研究结果,本研究提出了一种新的脱氧工艺,该工艺具备成本低、效率高、金属/熔盐分离简单等优势,有望在未来实现工业化应用。