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大数据解决方案的分布式架构、海量数据存储、内存数据存储等特点给针对Hadoop的电子数据取证带来了巨大的挑战。概述了传统计算机取证的流程、要点以及在大数据取证过程中的局限性。以Hadoop为例,从Hadoop取证生态系统角度介绍了大数据解决方案的架构,分析了大数据取证的数据源、方法、流程、工具等,为调查人员进行大数据调查取证时提供参考。 相似文献
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以掺杂光子晶体光纤为介质的光纤激光器一直受到科研工作者的广泛关注,应用于光子晶体光纤纤芯的掺稀土元素玻璃的制备成为研制掺杂光子晶体光纤的关键问题。利用高温熔融工艺制备钕离子掺杂的40SiO_2-14Al_2O_3-(40-x)CdO-2Li2O-2K2O-2Na_2O-xNd_2O_3(x=0.07,0.14,0.21,0.35,0.42,0.56mol)重金属硅酸盐玻璃系统,测试了其吸收光谱和荧光光谱。采用Judd-Ofelt理论,计算了玻璃样品的强度参数Ωt(t=2,4,6)以及钕离子的自发辐射概率、荧光分支比、荧光辐射寿命等参数。利用测得的荧光光谱计算了钕离子能级跃迁4 F3/2→4 I11/2的受激发射截面及荧光有效线宽。结果表明:当掺Nd_2O_3的摩尔分数为0.42时,制备的镉铝重金属硅酸盐玻璃具有较大的受激发射截面和比较宽的荧光有效线宽,且与相关文献中的钕离子掺杂玻璃相比,具有良好的激光性能和增益性能,有望在研制掺杂光子晶体光纤中得到应用。 相似文献
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在HgI_2-HI-H_2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI_2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI_2晶体。结果表明,HgI_2-HI-H_2O溶液中存在[HgI_3]~-,[HgI_4]~(2-)和HgI_2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI_2晶体;负极主要是由中性HgI_2键合并相变形成的小颗粒HgI_2晶体。分析认为,HgI_2-HI-H_2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。 相似文献
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报道了一种基于电光-可饱和吸收主被动双调Q技术的窄脉冲宽度、高峰值功率946nm全固态激光器.该激光器采用808nm脉冲半导体激光侧面泵浦长尺寸Nd∶YAG晶体棒抽运方式和双凹型折叠谐振腔结构,并将横向加压式的双45°角切割掺氧化镁铌酸锂晶体电光调Q与单层二硒化钼被动可饱和吸收调Q相结合,通过优化设计谐振腔结构,在脉冲重复频率550 Hz时,获得了最大单脉冲能量3.15mJ、脉冲宽度9.1ns、峰值功率高达346kW的946nm主被动双调Q脉冲激光的稳定输出,脉冲宽度和能量的峰峰值不稳定度分别达到±2.87%和±3.42%,光束质量因子分别为M_x~2=3.851和M_y~2=3.870. 相似文献
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Ta2O5 films axe deposited on fused silica substrates by conventional electron beam evaporation method. By annealing at different temperatures, Ta2 O5 films of amorphous, hexagonal and orthorhombic phases are obtained and confirmed by x-ray diffractometer (XRD) results. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis shows that chemical composition of all the films is stoichiometry. It is found that the amorphous Ta2 O5 film achieves the highest laser induced damage threshold (LIDT) either at 355 or 1064nm, followed by hexagonal phase and finally orthorhombic phase. The damage morphologies at 355 and 1064nm are different as the former shows a uniform fused area while the latter is centred on one or more defect points, which is induced by different damage mechanisms. The decrease of the LIDT at 1064nm is attributed to the increasing structural defect, while at 355nm is due to the combination effect of the increasing structural defect and decreasing band gap energy. 相似文献
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