极端变形问题的物质点法研究进展

物质点法采用了拉格朗日和欧拉双重描述,将物体离散为一组在固定于空间的网格(欧拉描述)中运动的质点(拉格朗日描述),有效地综合了拉格朗日法和欧拉法的优点,是分析冲击爆炸等极端变形问题的一种有效方法. 本文系统总结了本课题组近年来针对冲击、爆炸和流固耦合等极端变形问题在物质点法算法方面的研究进展,并简要介绍了开发的三维显式并行物质点法数值仿真软件MPM3D及其在超高速碰撞、侵彻、爆炸、边坡失效、金属切削和流固耦合等问题中的应用.     

结构爆炸毁伤的浸没多介质有限体积物质点法

结构在爆炸载荷作用下的毁伤现象涉及强非线性激波、固体结构极端变形和破坏破碎、强流固耦合, 给数值计算方法带来了极大的困难与挑战. 针对结构爆炸毁伤问题, 建立了浸没多介质有限体积物质点法(iMMFV-MPM), 采用基于黎曼求解器的多介质有限体积法(MMFVM)模拟爆炸产物和空气的多介质流体, 采用物质点法(MPM)模拟固体结构, 并将提出的基于拉格朗日乘子的连续力浸没边界法(lg-CFIBM)扩展到多介质流体中以处理流固耦合边界条件. 该算法在每个时间步严格满足流固耦合界面处的速度边界条件及动量守恒方程, 不需要重构流固耦合界面, 能够有效地模拟近场爆炸下爆炸产物与结构的相互作用、激波与结构的相互作用和演化以及结构的动态断裂和拓扑变化. 利用iMMFV-MPM对近场爆炸下方形钢筋混凝土靶板的失效模式、外爆载荷下建筑物的毁伤现象以及多腔室内爆炸试验进行了模拟, 模拟结果与相关实验数据吻合良好, 验证了所建立的流固耦合算法的有效性及精度.      

盲均衡技术及其发展

分析了盲均衡技术的工作原理和均衡准则，介绍了其发展历程，提出了进一步研究的方向。     

弱磁场中的法拉第磁光效应实验

弱磁场中的法拉第磁光效应实验张雄（云南师大）法拉第（Ｍ．Ｆａｒａｄａｙ）磁光效应实验是高校近代物理实验中的一个重要实验，现行的实验教材中［１］，观察磁光效应现象、测定费尔德（Ｖｅｒｄｅｔ）常数或电子荷质比的方法很多，但这些方法所用实验仪器均采用了强磁...     

唐代岭南“僚”为壮、瑶先民略考

六朝时期,史籍称岭南古代民族为“俚”或“俚僚”,单称“僚”人者不多,到唐代时,除前朝延续而下的冯、宁、李、陈、庞等大姓“俚帅”之外,对居于岭南     

具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层.通过使用高分辨率X射线衍射仪、原子力显微镜和霍尔效应测试仪等表征方法,系统研究了Al组分从0到41％的非极性a面p-AlGaN外延层的结构与电学性质.特别针对具有较高Al组分的非极性a面p-AlGaN层的外延生长,创新性地研发了一种以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长工艺.研究结果表明,在非极性a面p-AlGaN外延层的MOCVD生长过程中采用以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长技术,可以显著提高非极性a面p-AlGaN外延层电导率.其中,利用该技术所生长的p-Al0.41Ga0.59N外延层样品的空穴浓度可高达7.0×1016 cm-3,为制备高发光效率的非极性a面AlGaN基紫外发光二极管打下了坚实的基础.     

类星体PKS 1510-089的X射线流量变化周期特性

使用罗西X射线时变探测器的数据,得到了类星体PKS 1510-089从1996年1月到2009年12月在X射线的1.5-12 keV能段上的光变曲线.运用离散相关函数方法、小波分析方法和功率谱方法分析和认证类星体PKS 1510-089的光变周期值,结果表明类星体PKS 1510-089 在X射线的1.5-12 keV能段具有(0.94±0.08)a的平均光变周期.采用不同模型对观测到的周期性光变进行分析后的结果表明,超大质量双黑洞模型是目前解释类星体PKS 1510-089周期性光变较为理想的模型,应用 关键词： 类星体PKS 1510-089 X射线流量变化 双黑洞模型     

PARK18基因多态性与中国汉族人帕金森病的相关性

目的研究PARK18基因多态性与中国汉族人群帕金森病(PD)的相关性,旨在探讨PD的发病机制,为PD的风险预测提供新的遗传标记.方法选取224例PD患者(PD组)及同期体检健康者309例(对照组),采用PCR、DNA测序等方法检测比较两组PARK18基因多态性位点,分析rs3129882与PD遗传易感性的相关性.结果两组对象rs3129882基因型频率和等位基因频率分布的差异均无统计学意义(均P>0.05).rs3129882多态性与PD发生风险的关联性在3种遗传模式下均无统计学意义(均P>0.05).结论本研究暂不支持中国汉族人群中PARKl8区域rs3129882位点单核苷酸多态性与PD的发生有显著关联性.     

Effect of ultrathin GeO_x interfacial layer formed by thermal oxidation on Al_2O_3 capped Ge

We propose a modified thermal oxidation method in which an Al2O3 capping layer is used as an oxygen blocking layer （OBL） to form an ultrathin GeOx interracial layer, and obtain a superior Al2O3/GeOx/Ge gate stack. The GeOx interfacial layer is formed in oxidation reaction by oxygen passing through the Al2O3 OBL, in which theAl2O3 layer could restrain the oxygen diffusion and suppress the GeO desorption during thermal treatment. The thickness of the GeOx interfacial layer would dramatically decrease as the thickness of Al2O3 OBL increases, which is beneficial to achieving an ultrathin GeOx interfacial layer to satisfy the demand for small equivalent oxide thickness （EOT）. In addition, the thickness of the GeOx interfacial layer has little influence on the passivation effect of the Al2O3/Ge interface. Ge （100） p-channel metal- oxide-semiconductor field-effect transistors （pMOSFETs） using the Al2O3/GeOx/Ge gate stacks exhibit excellent electrical characteristics; that is, a drain current on-off （Ionloft） ratio of above 1 104, a subthreshold slope of - 120 mV/dec, and a peak hole mobility of 265 cm2/V.s are achieved.