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MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将金属离子掺杂到无色人工合成蓝宝石中。研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况。利用RBS研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况,XRD分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化,通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系。 相似文献
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选取质量差异很大的C,W和C+W对钢进行离子注入,用TEM对注入样品横截面进行结构分析.结果表明:注入层结构发生了明显的变化,形成了纳米相镶嵌复合层,W注入复合层的厚度大约是相应离子射程的16.3倍.C+W注入改性层是由注入层、过渡层和缺陷层构成的,其厚度为694nm,该厚度是离子射程的25.1倍.3种条件下注入, 其结构变化有明显的差异.用TRIM95程序对3种离子注入的碰撞参数进行了计算,结果表明其结构的变化明显地与注入参数相关.还分析了纳米相镶嵌复合层结构的形成机理. 相似文献
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用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 . 相似文献
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(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜,RBS分析表明铒原子分接受10%,即原子浓度约10^21cm^-3,XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多,显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌,而这些结构变化将直接决定(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光。 相似文献
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碳、钨离子共注入H13钢表面改性的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
将不同单质机械混合,在不增加注入机离子源数目的基础上实现了不同离子的共注入.发现C+W离子共注入使H13钢表面强化,硬度和抗磨损能力提高,且注量的增大加强了这种强化效果.共注入增强了H13钢的抗均匀腐蚀能力,且比双注入效果好.在开始的15个周期致钝电流密度保持为零.C+W离子共注入提高了H13钢点蚀电位,大注量(4×1017 cm-2)注入时,点蚀电位升高了200mV,而双注入则使点蚀电位有所降低. 相似文献
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金属离子注入纳米结构和特性 总被引:5,自引:1,他引:4
材料中纳米弥散相的形成对材料强化有着非常重要的作用,离子注入技术在材料表面容易形成这种结构.透射电子显微镜观察表明,经过Ti注入的钢,表面形成了直径为10~30nm丝状的FeTi和FeTi2相,其长度为150~320nm, 当束流密度分别为25~50μA*cm-2时,弥散相的密度分别为1.2×1011和6.5×1010 cm-2,其平均直径则分别为10和18nm. 扫描电子显微镜观察C+Ti样品表明, 注入后表面形成的抗腐蚀钝化层也为丝状纳米结构, 细丝直径25~60nm,长度100~200nm,密度约2.2×109 cm-2.这种致密的结构具有很强的抗磨损特性和抗腐蚀特性.抗磨损特性提高了8倍.电化学测量结果表明,随注量的增加,腐蚀电流密度Jp明显下降,用3×1017 cm-2注量的Ti注入H13钢Jp比未经注入之值降低到0.125%~0.050%; W注入聚脂膜(PET)形成了10~20nm W的析出相,这种相的析出使PET表面硬度增加,抗磨损和抗腐蚀特性增强,并使之形成了优良的导电层. 相似文献
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5×10~(16)cm~(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理. 相似文献
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钇离子注入的H13钢的抗氧化研究 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了强束流钇注入的H13钢高温氧化特性,同时分析了氧化层的结构和钢中注入钇后抗氧化的原因。结果表明,钇的注入改变了钢表面的氧化模式,同未注入区相比,注入区的氧化膜致密,与基体结合好,氧化速率下降。 相似文献