排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 8 毫秒
11.
第三代移动通信系统性能的增强和长期演进已成为目前的研究执点,这种长期演进系统不仅要求性能上的增强,而且还必须考虑与已有3G系统共存的问题,CATT等公司共同提出的对TDSCDMA系统演进的帧结构参数备受人们关注。给出了一种新的基于OFDM技术的演进的TDD系统帧结构参数,能满足与已有3G系统共存的要求,并且有更大的吞吐量和频谱效率。仿真表明,新参数在短CP时性能优于CATT的参数,而在使用长CP时,2组参数的性能几乎是一致的。 相似文献
12.
13.
14.
15.
16.
基于实例的故障诊断方法研究与应用 总被引:4,自引:0,他引:4
实例推理(Case Based Reasoning,CBR)适于表达复杂的综合性知识,其思想和工作机制对故障诊断有重要意义,实例的表示形式和快速,有效的检索机制直接影响CBR系统的效率,该文提出基于框架的实例表示形式,利用框架将相关故障关联起来,在此基础上给出一种实例库的组织方法,讨论实例的检索和更新方法,并给出应用实例。 相似文献
17.
经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时,在650~750 nm区域有很强的受激发光峰。这些受激发光峰的半高宽小于0.5 nm。激光辐照和高温退火后,在样品上能形成某些特殊的氧化结构。在傅里叶红外光谱分析中,显示有硅氧双键或硅氧桥键在硅表面形成。计算结果表明:当硅氧双键或硅氧桥键形成时,电子的陷阱态出现在纳晶硅的带隙中。价带顶和陷阱态之间的粒子数反转是解释这种受激辐射的关键。 相似文献
18.
第三代移动通信系统性能的增强和长期演进已成为目前的研究执点,这种长期演进系统不仅要求性能上的增强,而且还必须考虑与已有3G系统共存的问题,CATT等公司共同提出的对TD-SCDMA系统演进的帧结构参数备受人们关注。给出了一种新的基于OFDM技术的演进的TDD系统帧结构参数,能满足与已有3G系统共存的要求,并且有更大的吞吐量和频谱效率。仿真表明,新参数在短CP时性能优于CATT的参数,而在使用长CP时,2组参数的性能几乎是一致的。 相似文献
19.
经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品,在650—780 nm处检测到很强的光致荧光(PL)峰,并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明,这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现,样品表面用SiO 双键和Si—O—Si桥键钝化,能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面SiO双键和Si—O—Si桥键的密度,而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.
关键词:
多孔硅量子点
硅氧钝化键
电子局域态 相似文献
20.
研究了OFDM技术在TD-SCDMA第3代移动通信系统中应用OFDM的符号同步问题,并结合TD-SCDMA的帧结构,提出了一种基于多个OFDM符号联合实现符号定时同步和载波同步的算法。对其在“case3”信道的性能进行仿真,仿真结果表明,提出的算法有较高的精度。 相似文献