Zn掺杂n型笼合物Ba8Ga16-2xZnxGe30+x的热电传输特性

用高温熔融结合放电等离子烧结法制备了Zn掺杂单相n型Ba₈Ga_16-2xZn_xGe_30+x笼合物，探索了Zn对Ga的取代对其热电传输特性的影响规律.研究结果表明,n型Ba₈Ga_16-2xZn_xGe_30+x化合物的电导率随着x的增加逐渐增     

Differential geometrical method in elastic composite with imperfect interfaces

I.IntroductionWhethertheinterfacesofcompositematerialsareperfectornotwillaffectitsmacromechanicaloreffectivepropertiesimportantly.Butsofar,almostallofthestudiesontheeffectivepropertiesofcompositematerialsarebasedontheassumptionthattheinterfacesareperfectl"2].Infact,thisisnotappropriateforallinterfaces[31.Thusthestudiesonmechanicalpropertyofcompositematerialswithimperfaceintert'acehavebeenconsideredrecentlyinsomeliteratures.Hashin16]hasextendedtheelasticextremumprinciplesofminimumpotentialandm…     

Ca和Ce双原子复合填充P型CamCenFexCo4-xSb12化合物的合成及热电性能

用高温熔融法合成了Ca和Ce复合填充的单相p型CamCenFexCo4-xSb12化合物,探索了两种原子复合填充对其热电性能的影响规律.研究结果表明,填充分数相同时,Ca和Ce两种原子复合填充的p型CamCenFexCo4-xSb12化合物的载流子浓度和电导率介于Ca或Ce一种原子单独填充的化合物之间,且随两种原子填充分数m+n的增加而降低;赛贝克系数随两种原子填充总量,尤其是Ce填充分数m的增加以及温度的上升而增加;在相同填充分数时,两种原子复合填充的p型CamCenFexCo4-xSb12化合物的晶格热导率较Ca或Ce一种原子单独填充的化合物的晶格热导率低,当总填充分数m+n为0.3左右,且Ca和Ce的填充量大致相等时,化合物的晶格热导率最低.p型Cao18Ce0.12Fe1.45Co2.55Sb12.21化合物的最大热电性能指数ZT值在750K时达到1.17.     

加筋板双重非线性动力有限元分析

本文利用有限元分析了非对称加筋板在瞬态载行作用下的弹-塑性大变形(双重非线性)动力响应;给出了可用来对该结构进行线弹性、几何非线性、材料非线性和双重非线性动力分析的通用计算机程序的编制原则.为舰船在砰击、碰撞及冲击波作用下的结构响应研究,提供了一种可供工程实用的分析方法.     

硅酸盐矿物中低含量元素的电子探针异点分步定量法

以电子探针分析硅酸盐矿物国家标准样品 ,研究了不同分析方法和实验条件对硅酸盐矿物的主量元素和质量分数<2 %的低含量元素的电子探针定量分析精度的影响;结果表明 ,在硅酸盐矿物的电子探针定量分析中 ,在假定不含低含量元素的情况下先用常规实验条件分析主量元素的含量 ,尔后用非常规实验条件异点分析低含量元素的含量 ,并让主量元素参与低含量元素定量计算的ZAF校正 ,可以保证不同含量的被测元素均具有较高的分析精度 ,并称该法为“异点分步定量法”。     

有机分子修饰铁粒子表面改善水基磁流变液的抗氧化性和稳定性

采用有机分子N-葡萄糖基乙二胺三乙酸(GED3A)修饰羰基铁(CI)粒子表面的方法, 制备了复合磁性粒子(CMPs)和水基磁流变(MR)液; 用扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和带磁场供应和控制器的流变仪表征了CMPs及水基MR液的性能; 同时, 通过稳定性试验、空气氧化试验、酸腐蚀试验分别分析了水基MR液的分散稳定性和抗氧化性. 结果表明, 用此方法制备的CMPs具有良好的软磁性能, 饱和磁化强度(Ms)为182.2 emu·g-1, 矫顽力(Hc)为4.17 Oe, 剩磁(Mr)为0.1944 emu·g-1. 与原CI粒子水基MR液比较, 制备的水基MR液的沉降率下降了约24.4%; 在酸的浓度为0.02-0.10 mol·L-1范围内, 抗HCl氧化的能力提高了92.6%-95.7%, 抗HNO3氧化的能力提高了86.1%-93.8%.     

n型Bi2–xSbxTe3–ySey基化合物的缺陷结构调控与电热输运性能

Bi₂Te₃基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi₂Te₃基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y基化合物的缺陷演化过程及其对热电输运性能的影响规律.Sb和Se的固溶引入的带电伴生结构缺陷使得材料的载流子浓度发生了巨大变化,在Bi_2-xSb_xTe_2.994Cl_0.006样品中,Sb的固溶降低了反位缺陷Sb_Te2形成能,诱导产生了反位缺陷Sb_Te2,使得少数载流子空穴浓度从2.09×10¹⁶ cm^-3增加至3.99×10¹⁷ cm^-3,严重劣化了...     

钐填充skutterudite化合物的晶体结构和热电性能

以Sm作为填充原子,用熔融法结合放电等离子快速烧结技术（SPS）制备出了单相的SmyFexCo4-xSb12化合物。Rietveld精确化结果表明：所制备的SmyFexCo4-xSb12化合物具有填充式skutterudite结构,Sm的热振动参量（B）比Sb和Fe／Co的大,说明Sm在SmyFexCo4-xSb12化合物中具有扰动效应。热电性能测试结果表明：随着Sm原子填充分数的增加,SmyFexCo4-xSb12化合物的电导率减小;Seebeck系数增加,在填充分数为0．38时达最大值;热导率减小,在填充分数为0．32时最低。Sm0．32Fe1．47Co2．53Sb12化合物在750K时具有最大热电性能指数ZTmax值为0．68。     

二芳基三嗪类化合物抗HIV-1活性的理论研究

应用分子力学方法、从头算法优化了28个二芳基三嗪(DATA)类抗野生型HIV-1化合物分子结构,从分子构象模型中提取了多类参数,结合电子类参数、几何类参数、分子物化参数与活性之间建立了QSAR多元线性回归模型.模型显示:分子中连接三嗪环与B环的X位置上净电荷量的增加以及分子中吸电子基团的引入有利于其抗HIV-1活性的增强,同时,前线轨道能级差ΔE的增大和分子体积适当的增大亦有利于其抗HIV-1活性的提高,并且后两者是影响该类化合物抗HIV-1活性的主要因素.