首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12篇
  免费   32篇
  国内免费   2篇
化学   4篇
力学   5篇
物理学   33篇
综合类   4篇
  2024年   1篇
  2023年   1篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2013年   1篇
  2011年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   5篇
  2007年   6篇
  2006年   10篇
  2005年   7篇
  2004年   4篇
  2002年   1篇
  1998年   1篇
  1993年   3篇
  1991年   1篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Zn掺杂p型Ba8Ga16ZnxGe30-x笼合物的合成及热电性能   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
邓书康  唐新峰  张清杰 《物理学报》2007,56(8):4983-4988
用熔融法结合放电等离子烧结方法合成了Zn掺杂单相p型Ge基Ⅰ型笼合物Ba8Ga16ZnxGe30-x(x=3, 4, 5, 6),探索Zn取代Ge对其热电性能的影响规律,结果表明:所制备的Ba8Ga16ZnxGe30-x化合物为p型传导,随Zn取代量x关键词: p型笼合物 合成 热电性能  相似文献   
22.
采用1,2-环氧环己烷4,5-二甲酸二缩水甘油酯(TDE-85)、对氨基苯酚环氧树脂(AFG-90)及其混合树脂,以二氨基二苯砜(DDS)为固化剂,添加氨基化多壁碳纳米管(MWCNTs-NH2)制备了纳米复合材料。应用非等温差示扫描量热(DSC),红外光谱(FT-IR)和力学性能测试等方法,分析了添加MWCNTs-NH2前后,树脂体系固化反应、醚化反应与压缩性能的变化。研究结果表明,碳纳米管/环氧树脂复合材料的压缩性能与固化反应后期羟基和环氧基团之间的醚化作用有密切关系。MWCNTs-NH2的加入阻碍了TDE-85/DDS体系固化反应后期的醚化作用,与纯树脂体系相比反应热降低了50 J/g,红外光谱中脂肪族醚键与苯环吸收峰面积比值降低了7.7%,复合材料压缩强度降低了3.2%。与之相反的是,MWCNTs-NH2的加入促进了AFG-90/DDS体系固化反应后期的醚化作用,与纯树脂体系相比,反应热提高了80J/g,红外光谱中脂肪族醚键与苯环的吸收峰面积比值提高了13.8%,复合材料压缩强度提高了17.4%。  相似文献   
23.
CoSb3纳米热电材料的制备及热传输特性   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
余柏林  唐新峰  祁琼  张清杰 《物理学报》2004,53(9):3130-3135
以Sb,Co为起始原料,采用固相反应法合成了CoSb3.通过高能球磨制得CoSb3纳米粉末,用放电等离子烧结(SPS)方法制备出最小平均晶粒尺寸为150nm的块体材料.研究了晶粒尺寸与热传输性能之间的关系:CoSb3化合物结构纳米化对其晶格热导率κL有显著影响,当晶粒尺寸由微米尺度减小到纳米尺度,晶格热导率κL显著降低,但对载流子热导率κc的影响不甚显著.CoSb3化合物的热导率κ随晶粒尺寸的减小而降 低主要是由于晶格热导率κL随晶粒尺寸的减小而降低所致. 关键词: 纳米 Skutterudite 制备 热传输特性  相似文献   
24.
Sm和Ce复合掺杂Skutterudite化合物的制备及热电性能   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用熔融法结合放电等离子快速烧结(SPS)制备出了单相的Sm和Ce复合掺杂的Skutterudite化合物SmmCenFe1.5Co2.5Sb12,研究了Sm和Ce复合掺杂总量对其热电性能的影响规律.结果表明:随着Sm和Ce复合掺杂总量的增加,p型SmmCenFe1.5Co2.5Sb12化合物的Seebeck系数增加、电导率和热导率降低.当掺杂总量相近时,和Sm、Ce单原子掺杂相比,Sm和Ce复合掺杂使Skutterudite化合物的热导率低10%—40%.Sm0.22Ce0.20Fe1.54Co2.46Sb11.89化合物的最大热电性能指数ZTmax值在775K时为0.84. 关键词: 复合掺杂 方钴矿 热电性能  相似文献   
25.
晶粒细化是提高Bi2Te3基热电材料力学性能的重要方法,但晶粒细化过程中伴随的类施主效应严重劣化了材料的热电性能,并且一旦产生类施主效应,就很难通过简单的热处理等工艺消除.本文系统研究n型Bi2Te3基化合物烧结前粉体颗粒尺寸对材料类施主效应和热电性能的影响规律.随着颗粒尺寸减小,氧诱导的类施主效应明显增强,载流子浓度从10 M烧结样品的3.36×1019 cm-3急剧增加到120 M烧结样品的7.33×1019 cm-3,严重偏离最佳载流子浓度2.51×1019 cm-3,热电性能严重劣化.当粉体颗粒尺寸为1—2 mm时,烧结样品的Seebeck系数为–195 μV/K,载流子浓度为3.36×1019 cm-3,与区熔样品沿着ab面方向的Seebeck系数为–203 μV/K和载流子浓度为2.51×1019  相似文献   
26.
Zn掺杂n型笼合物Ba8Ga16-2xZnxGe30+x的热电传输特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用高温熔融结合放电等离子烧结法制备了Zn掺杂单相n型Ba8Ga16-2xZnxGe30 x笼合物,探索了Zn对Ga的取代对其热电传输特性的影响规律.研究结果表明,n型Ba8Ga16-2xZnxGe30 x化合物的电导率随着x的增加逐渐增大,Seebeck系数随着x的增加而逐渐减小.当Zn完全取代Ga时,Ba8Zn8Ge38化合物的电导率反而急剧下降,Seebeck系数显著增大.Ba8Ga16-2xZnxGe30 x化合物的载流子迁移率随着温度的升高而降低,当Zn掺杂后,化合物的载流子迁移率有一定的增加,随着x的增加而逐渐增大.Ba8Ga16-2xZnxGe30 x化合物的热导率和晶格热导率变化规律类似,随着x的增加先减小后增大.在所有n型Ba8Ga16-2xZnxGe30 x笼合物中,Ba8Ga8Zn4Ge34化合物的ZT值最大,在1000 K时其最大ZT值达0.85.  相似文献   
27.
晶粒尺寸对CoSb3化合物热电性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
系统地研究了晶粒尺寸对CoSb3化合物热电性能的影响规律,结果表明晶粒尺寸对CoSb3化合物的晶格热导率κp、电导率σ、能隙宽度Eg和Seebeck系数α有显著影响.当晶粒尺寸由微米尺度减小到纳米尺度时,晶格热导率κp显著降低,Seebeck系数α有较大幅度的增加,能隙宽度Eg变宽,电导率σ有一定程度的下降.平均晶粒尺寸为200nm的CoSb3化合物在温度为700K时,ZT值达到0.43,比平均晶粒尺寸为5000 nm的试样增加了4倍.  相似文献   
28.
用高温熔融结合放电等离子烧结法制备了Zn掺杂单相n型Ba8Ga16-2xZnxGe30+x笼合物,探索了Zn对Ga的取代对其热电传输特性的影响规律.研究结果表明,n型Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的电导率随着x的增加逐渐增  相似文献   
29.
采用有机分子N-葡萄糖基乙二胺三乙酸(GED3A)修饰羰基铁(CI)粒子表面的方法, 制备了复合磁性粒子(CMPs)和水基磁流变(MR)液; 用扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和带磁场供应和控制器的流变仪表征了CMPs及水基MR液的性能; 同时, 通过稳定性试验、空气氧化试验、酸腐蚀试验分别分析了水基MR液的分散稳定性和抗氧化性. 结果表明, 用此方法制备的CMPs具有良好的软磁性能, 饱和磁化强度(Ms)为182.2 emu·g-1, 矫顽力(Hc)为4.17 Oe, 剩磁(Mr)为0.1944 emu·g-1. 与原CI粒子水基MR液比较, 制备的水基MR液的沉降率下降了约24.4%; 在酸的浓度为0.02-0.10 mol·L-1范围内, 抗HCl氧化的能力提高了92.6%-95.7%, 抗HNO3氧化的能力提高了86.1%-93.8%.  相似文献   
30.
I.IntroductionWhethertheinterfacesofcompositematerialsareperfectornotwillaffectitsmacromechanicaloreffectivepropertiesimportantly.Butsofar,almostallofthestudiesontheeffectivepropertiesofcompositematerialsarebasedontheassumptionthattheinterfacesareperfectl"2].Infact,thisisnotappropriateforallinterfaces[31.Thusthestudiesonmechanicalpropertyofcompositematerialswithimperfaceintert'acehavebeenconsideredrecentlyinsomeliteratures.Hashin16]hasextendedtheelasticextremumprinciplesofminimumpotentialandm…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号