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791.
制备了单壁碳纳米管薄膜光电器件, 在偏压和激光器照射条件下可产生净光电流。分别研究了偏置电压、激光功率、照射位置对净光电流的影响。实验表明, 激光照射薄膜中点, 净光电流随着偏压的增大而增大, 随激光功率的增大而趋于饱和, 偏压为0.2 V, 激光功率为22.7 mW时, 净光电流达到0.24 μA;无偏压, 激光照射薄膜不同位置时, 净光电流值关于器件中心对称分布, 照射两端点输出最大光电流, 照射中点输出趋于“0”。经分析, 在偏压和激光照射薄膜中心位置的条件下, 器件因内光电效应可产生净光电流;在无偏压和激光照射的条件下, 因光热电效应可产生净光电流, 并建立了温度模型, 根据单壁碳纳米管的热电势特性推导出了净光电流与光照位置的关系, 其符合实验结果;内光电和光热电效应是光电流产生、变化的原因, 在偏压和激光照射的一般条件下, 净光电流应是两种效应的叠加结果。器件所具有的光电特性使其在光伏器件、光传感器有应用的潜力。 相似文献
792.
通过单体4′-甲氧基苯基-4-烯丙氧基苯甲酸酯(M1)、(S)-(-)-N-(5-己烯基)-6-(4′-(2-甲基丁氧基)苯基)-蒽醌-2,3-二羧酸酰亚胺(M2)与聚甲基氢硅氧烷间的硅氢加成反应,制得了3个新的具有近红外电致变色性质的侧链型液晶共聚物(PC5A10,PC5A20CB,PC5A30CB),并对其液晶性,电化学,光谱电化学和旋光开关性质进行了表征.当M2单体的含量为10mol%,20mol%时,共聚物可形成胆甾相液晶,而当其含量为30mol%时,所能形成的液晶相为近晶A相.3个共聚物的循环伏安曲线均出现了两对可逆的氧化还原峰,分别对应于蒽醌酰亚胺基团得电子而形成自由基阴离子和二价阴离子.中性态时,共聚物在420nm处有较强吸收,而当被还原为自由基阴离子后,在近红外区域840nm出现了新的强烈的吸收.以聚合物为阴极电致变色层,普鲁士蓝为离子储存层的全固态电致变色器件在800nm有较好的光学调制性.此外,本文还就该器件的电化学调控手性光开关性质进行了初步研究. 相似文献
793.
张洁 《应用数学与计算数学学报》2014,(1):86-95
展示了分析及认识金融市场结构的一种新方法.将这种方法实例应用在了股票指数CAC40的一篮子股票中,对股票价格走势进行分析,并将独立成分分析(ICA)方法与传统的主成分分析(PCA)方法进行了比较. 相似文献
794.
795.
以磺胺嘧啶为配体,合成了两种新的Zn(Ⅱ)配合物[Zn(L)2(bpy)](1)and{[Zn(L)2(bpp)]}n(2)(L=磺胺嘧啶,bpy=2,2’-吡啶,bpp=1,3-二(4-吡啶基)丙烷)。并对其进行了单晶X-射线衍射,粉末X-射线衍射,元素分析,热分析,红外光谱,紫外光谱和荧光光谱测定。单晶X-射线分析表明化合物1是单核结构,属三斜晶系,PP1空间群,Zn(Ⅱ)是四方锥配位结构。化合物2是一维结构,属单斜晶系,P21空间群,Zn(Ⅱ)是四面体配位结构。热分析表明化合物1和2都有很高的热稳定性。 相似文献
796.
采用冷凝回流的方法处理活性炭材料,讨论了硫酸与硝酸不同体积比(2:1、1:1、1:2、1:3)处理的活性炭材料对VO2+/VO2+电化学活性的影响.傅里叶变换红外测试表明,通过混酸处理,活性炭材料上只接入了羟基.比表面积仪和循环伏安分别检测了处理前后样品的表面特性及电化学性能.结果表明,VO2+/VO2+在处理后的碳材料上具有较大的活性,当硫酸与硝酸的体积比为1:2时,处理后的碳材料表现出最好的电化学性能,其ΔEp为154 m V,比未处理碳粉的ΔEp减少了3.3倍,氧化峰电流密度为28.24 m A·cm-2,提高了1.4倍,还原峰电流密度为19.73 m A·cm-2,提高了2.1倍. 相似文献
797.
提出当对无磁液氮玻璃钢杜瓦抽真空时 ,向无磁液氮玻璃钢杜瓦的真空夹层充注微量的二氧化碳气体 ,所充入的二氧化碳气体就会和玻璃钢表面的氢气、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等气体发生协同交换反应 ,使玻璃钢表面的氢气、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等气体的脱附速度大大增加 ,减少了抽真空时间。由于无磁液氮玻璃钢杜瓦内使用的活性炭吸附剂对二氧化碳的吸附性能远远大于对玻璃钢材料所放出的氢气、一氧化碳和甲烷等主要气体的吸附性能 ,从而使得抽好真空的无磁液氮玻璃钢杜瓦的真空保持时间大大增加 ,延长了无磁液氮玻璃钢杜瓦的使用寿命 相似文献
798.
A three-step growth process is developed for depositing high-quality aluminium-nitride (AlN) epilayers on (001) sapphire by low pressure metalorganic chemical vapour deposition (LP-MOCVD). We adopt a low temperature (LT) A1N nucleation layer (NL), and two high temperature (HT) A1N layers with different V/Ⅲ ratios. Our results reveal that the optimal NL temperature is 840-880℃, and there exists a proper growth switching from low to high V/Ⅲ ratio for further reducing threading dislocations (TDs). The screw-type TD density of the optimized AIN film is just 7.86×10^6 cm^-2, about three orders lower than its edge-type one of 2×10^9 cm^-2 estimated by high-resolution x-ray diffraction (HRXRD) and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). 相似文献
799.
采用化学腐蚀法制备锥形光纤,采用溶液化学沉积法将银纳米颗粒修饰到锥形光纤端面,形成光纤表面增强拉曼散射(SERS)探针。改变反应温度、沉积时间、硝酸银溶液浓度等关键参数,优化了光纤SERS探针的制备工艺。以R6G为探针分子,对不同工艺条件制备的光纤SERS探针进行拉曼测试实验。结果表明:在室温下,当沉积时间为120s、硝酸银溶液浓度为0.1mol/L时,最优的增强因子约为10~(10),此时光纤SERS探针的拉曼检测性能最好。对应10组样品的银纳米颗粒的直径和面积覆盖率,利用FDTD Solutions进行仿真建模分析,计算得到了拉曼增强因子理论值为10~7~10~8。 相似文献
800.