Electron Holography of Barrier Structures in Co／ZrAlOx／Co Magnetic Tunnel Junctions

We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co.     

有效二能级原子与压缩相干光场相互作用过程中场熵的特性

本文研究了包括Stark效应时,双光子Jaynes-Cummings模型与单模压缩相干光场发生相互作用过程中场熵的特性,讨论了Stark移动参数、光场参数对场墒演化的影响.     

发挥“数学应用”教学的多方面素质教育功能

素质教育要求数学教学要培养学生的数学应用能力，我们认为培养学生数学应用能力既是目的，也是手段，在培养学生的数学应用能力的过程中，还应努力挖掘其它的素质教育功能，充分发挥“数学应用”教学的多层次素质教育作用．１．在“数学应用”教学中培养学生的数学应用能...     

一般两速离散lllner模型的1＋1维精确解

ｌｌｌｎｅｒ模型是最一般的Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方程的两速模型，它包括Ｃａｒｌｅｍａｎ模型和ＭｃＫｅａｎ模型作为两种特殊情形。离散ｌｌｌｎｅｒ模型１＋１维精确能够以一种简洁的方式进行研究，前人的结论需要修正。我们得到了一类新的１＋１维精确解，这给出了研究类似的离散Ｂｏｌｚｍａｎｎ方程精确行波解的一般方法。     

我关心中国珠算教育的由来

算盘是中国的伟大发明。关于算盘是何时传入日本,当时的情况又是如何,铃木久男先生在为纪念珠算史研究学会成立20周年再版的《珠算的历史》一书中有详细的论述。之后,算盘融入日本文化,并伴随着时代的发展被继承和发扬下来。那么自古以来正宗的珠算在中国是如何被继承和发扬下来的?这在日本除了少数的珠算史研究家以外     

物理化学实验多媒体课件的设计与应用

论述了物理化学实验课件经过多年的制作实践是如何从内容到方法逐步完善的设计理念 .使完成的物理化学实验课件在教学中得到广泛的应用 ,并收到传统教学所不能获得的教学效果 ,同时也得到了学生和专家以及同行的肯定 .     

垃圾填埋场选址问题的模糊数学模型研究

为有助于在环境和经济框架内评价垃圾填埋场选址决策,本文建立了关于该问题的多目标模型,模型中既考虑了安置和运营设施需要的固定成本和可变成本,也考虑了居民区承受的风险,以及各居民区承担风险的公平性。并进一步讨论了用模糊方法处理的一般多目标规划模型的模糊最优解与有效解及弱有效解之间的关系。最后使用两种模糊目标规划方法求解数值例子以分析所建模型的适用性,结果表明,加权模糊方法可以为决策者提供更接近期望值的满意方案。     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.     

政府对技术跨国界流动的影响

长期以来,政府政策对技术跨国界流动影响颇大。众所周知,随着全球经济的增长,跨国界生产和货物交换比先前任何时候都更加普遍,特别是在新技术领域,新产品的出现(与之常伴的是新市场的开拓),迅速改变了国家作为发明人、产品生产者和消费者的地位。世界各国政府未能紧随上述变化,调整其关税、税收政策,以适应世界市场的新形势。本文将概括阐述政府政策影响跨国技术转让的主要方面,并对政府为适应新形势近期政策发生的变化加以评述。     

目标函数扰动的集值优化问题的稳定性

本文研究了由目标函数扰动的集值优化问题的有效点集所定义的集值映射的半连续性.讨论了目标函数扰动的集值优化问题在上半连续意义下的稳定性.特别地,在广义适定性条件下,证明了集值优化问题在上半连续意义下的稳定性.