准噶尔盆地沙窝地地区三工河组二段上亚段相序组合类型

准噶尔盆地沙窝地地区三工河组二段上亚段(J1S21)为曲流河三角洲前缘沉积,水下分流河道与河口砂坝2类主要储集砂体垂向上相互叠置,构成削截式与完整式水下分流河道、孤立式河口砂坝、河上坝、下残式与完整式坝上河等相序组合类型,分别形成于向上变深、向上变浅、向上变深复变浅及向上变浅复变深基准面旋回中.其中完整式水下分流河道、下残式与完整式坝上河相序组合类型有利于形成岩性油气藏.     

济阳拗陷深层隐蔽构造及其勘探意义

基于构造本身的复杂性,提出了隐蔽构造的概念,认为隐蔽构造是指那些受勘探技术限制以及构造自身的复杂性而不能明确其特征、性质和演化历史的构造。对于隐蔽构造的研究应以界面和变形标志的识别为基础,地层结构的分析为核心,以先进的构造思维和技术手段为保证。济阳拗陷深层发育有大型走滑断裂带、反转构造、构造转换带或过渡带、底辟构造带、潜山内幕构造、复杂的断裂带、隐伏断裂等隐蔽构造样式。对于潜山构造的勘探,可以顺走滑断裂带进行勘探。隐蔽构造样式的识别对拓展深层油气勘探新领域,优选与评价有利油气富集区带,以及进一步的油气地质综合研究等,均具有一定意义。     

重频直线变压器长脉冲高功率微波驱动源研究

阐述了长脉冲高功率微波驱动源模块化的实现思想,分析了快直线变压器的铁磁损耗与激磁电流之间的关系,研究了系统输出波形畸变的主要因素,并通过工程实验取得了功率为数GW、重复频率为数十Hz、脉冲前沿约40ns的长脉冲电子束流输出,从而为重复频率长脉冲模块化高功率微波驱动源的研制提供了新思路.     

强流束二极管绝缘子结构设计与实验研究

 介绍了一种应用于强流束二极管的径向绝缘结构,并对其在纳秒脉冲条件下的沿面闪络放电现象进行了研究。使用计算机模拟静电场的方法,对锥形结构绝缘子表面的电场分布进行了研究,优化了几何结构参数。在脉宽为40 ns,重复频率100 Hz的脉冲功率源上对绝缘子进行了实验研究。在历时18个月及100 000次脉冲实验后,发现绝缘子表面具有明显的树枝状放电现象,树枝状放电的根部碳化严重,绝缘子深度方向被完全击穿碳化,出现孔洞。基于固-液交界面闪络特性,对树枝状放电的可能原因进行了探讨。     

重复脉冲强流电子束引导磁场的设计及实验

对于强流脉冲电子束的传输，一般是利用引导磁场箍缩电子束使其无损的通过漂移管进入微波器件并进行束波互作用。与单次脉冲引导磁场相比，重复脉冲引导磁场的设计及强流电子束在其中的传输过程是非常复杂的，引导磁场既要满足与重复脉冲电子束的同步条件，又要满足束流传输的极限条件，同时也要满足微波器件对磁场位形和电子束几何尺寸的要求。     

强流电子束无箔二极管结构设计与特性研究

主要叙述高功率二极管的理论模型和结构设计,采用基于引导磁场和相对论近似情况下的空间电荷限制流模型,对磁浸没无箔二极管产生的空心相对论电子束进行了动态数值模拟,研究了二极管几何结构及引导磁场对二极管束流特性的影响。     

马克思剩余价值理论新探

剩余价值理论是马克思主义政治经济学的核心和基石。剩余价值本身是一定历史阶段的产物,作为商品价值构成的一部分,它除了反映资本主义的特性外,还具有社会主义市场经济条件下的共性。不但要看到剩余价值局限性的一面,更要看到它积极性的一面,以便于充分发挥剩余价值理论在社会主义市场经济中的积极作用。     

Lipases-Catalyzed Alcoholysis for the Preparation of Chiral 1-or 2- Hydroxyalkanephosphonates

Enzymatic alcoholysis has been developed for the preparation of some chiral 1-and 2-hydroxyalkanephosphonates with high optical purity.This method ensures the convenient access to the optically pure phosphocarnitine,phosphogabob and phosphomycin.     

重复频率电子束源技术研究

介绍了一台自行研制的基于Blumlein双形成线和脉冲变压器的调制器型脉冲发生器,该发生器可以输出300kV高压脉冲,输出特性阻抗100Ω,脉冲宽度500ns,能在重复频率100Hz下稳定运行.以此为实验平台,进行了重复频率电子束源技术研究,并得到了电压300kV、脉宽500ns、重复频率50Hz的电子束输出.     

长脉冲二极管绝缘子真空表面闪络

 在长脉冲强流无箔二极管实验过程中观察到绝缘子沿面闪络现象。分析实验现象认为是屏蔽环与绝缘子距离过近造成了屏蔽环边缘高场强,从而产生场致发射电子。电子在强电磁场作用下撞击绝缘子表面引起了二次电子雪崩从而导致真空表面闪络。运用静电场模拟和粒子束模拟,改进屏蔽环结构。改进后的二极管工作电压500 kV,电流12 kA,在1 T引导磁场下稳定运行,没有再发生真空表面闪络。