高压合成立方氮化硼用的新触媒材料的研究

 本文研究了合成立方氮化硼用新触媒材料Mg₃B₂N₄及Ca₃B₂N₄的制备方法，并对它们的稳定性及其催化作用进行了讨论。氮化硼原料的结晶状态及合成温度、合成时间、气流量等对新触媒的合成有着重要的影响。本文还在高温高压下利用新触媒进行了立方氮化硼的合成实验，结果表明，与碱土金属触媒相比新触媒具有合成压力低、转化率高、合成温度和压力范围宽、产物杂志含量低、破碎强度高等优点，是一种应用前景很大的触媒材料。     

核参数敏感度的Monte Carlo研究

对核参数敏感度和不确定性分析的理论方法进行了探讨，在敏感度系数的基础上所定义的积分指标Esum能定量地表示出两个不同核裂变装置的相似性，即可用于定量地比较一个基准核裂变实验装置与一个欲评估核裂变装置的相似程度。不确定性的分析提供了一个计算核裂变系统中由于截面数据方差而导致系统中七疆方差的方法，并且也提供了一个计算不同核裂变系统中Keff协方差的方法。不确定性的分析方法是将截面数据的方差信息通过与能量有关的敏感度系数传播给Keff行。某一材料截面数据的方差可以传播给所有含有该材料的临界装置。有着相同材料的临界装置将产生关联。     

创新工作机制建设研发平台

近年来，合肥市加强政策引导。创新工作机制，按照“全面规划、总体布局、分步实施、重点建设”的总体思路．瞄准产业发展需求．积极推进工程技术研究中心建设。不断完善以企业为主体、产学研相结合的技术创新体系。通过近5年的努力．到目前为止合肥市已建市级工程技术研究中心（以下简称“中心”）32家，其中在建10家，已验收22家。截至2008年底，中心累计投资23424万元，建设实验室面积42790平方米．固定研发人员数993人。     

电磁内爆模拟技术实验研究进展

开展了中俄Z—pinch联合实验和强光一号实验，重点对双层丝阵内爆动力学模式、单层丝阵填充泡沫构建动力学黑腔及能谱相对强度的测量等进行了研究，取得了一批重要的物理研究成果。实现了双层丝阵内外层等离子体的同时内爆聚心，产生5．6TW的峰值辐射功率，     

人体颈、腕动脉压力波互相关特征及在冠心病上的应用

采用Hilbert-Huang变换(HHT)方法对人体颈动脉、腕动脉脉搏压力波进行同步信号分析,对健康志愿者以及冠心病患者术前、术后的颈、腕同步脉搏波分别进行模态分解,同时引入互相关方法,从而得到健康志愿者以及冠心病患者术前、术后的颈、腕同步脉搏压力波各阶相应模态之间的互相关特征.通过互相关特征曲线发现,健康人体颈、腕动脉第2阶模态的波形周期对应于其脉搏周期的1/3,第3阶模态的波形周期对应于其脉搏周期的1/2,第4阶模态与脉搏波周期相近.健康人体颈动脉、腕动脉第1阶模态均呈现较为标准的X波模态.冠心病患者颈、腕动脉第1阶模态互相关特征明显变异,术后相应模态特征得到显著改善.     

输电线路OPGW光纤网络可靠性分析与设计

文章针对基于OPGW单芯光纤的输电线路监测系统网络的远距离、高带宽特点和低抗毁性的缺点,提出了一种基于多级级联技术的OPGW光纤网络的组网方法,给出了二级级联模式下系统失效的马尔科夫模型与概率计算公式,与单芯传输模式下的可靠性进行了分析对比,并分析了该模式下系统的抗毁性.采用多级级联技术的网络可靠性优于单芯传输模式,并且可靠性随着级联数的增加而提高.     

城市生活垃圾原料性质对干馏及气化过程的影响

将城市生活垃圾样品经预处理后置于φ40×750不锈钢间歇式固定床气化炉内进行气化反应,考察不同原料组分对垃圾干馏与气化过程的影响。认为城市生活垃圾的有机物部分作为制气原料,气化活性较高(1000℃时CO_2转化率达92％)。气化强度大,燃气组分与煤制气组分基本接近。试验结果得干馏阶段燃气热值一般在9.62～10.04 MJ/m~3(2300～4000 Kcal/m~3),气化阶段燃气热值在3.35～4.18 MJ/m~3(800～1000 kcal/m~3),垃圾有机物中灰分、固定碳和挥发分对干馏和气化过程均有影响。考察干馏和气化的综合效果,当反应温度为900℃,混合气为气化剂时,燃气热值可达4.60～5.65 MJ/m~3(1100～1350 kcal/m~3),但气体产率不大于1.5 m~3/kg。     

偏光因子与Pendell sung条纹

本文用完整晶体的动力学理论讨论了 Pendell sung 条纹的形成条件。以 Si、Ge 为试样用同步辐射光源,模拟出了偏光因子剧烈变化条件下容易产生 Pendell sung 条纹的参数,并依照这些参数在同步辐射上最先观测到这一由偏光因子的变化而形成的新型的 Pendell sung条纹。     

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。