Why Do Deconfinement and Chiral Restoration Coincide at High Temperature？

The global colour model in free space is extended to finite temperature to study the deconfinement and chlral phase transitions at high temperature T and zero chemical potential in the mean field approximation. Both possibilities of coincidence and non-coincidence of the two distinct phase transitions are found when the model     

光子扫描隧道显微镜的光电成像系统研究

本文论述了光子扫描隧道显微镜（ＰＳＴＭ）的显微成像机理、成像规律，针对具体的物理模型进行数值模拟计算，并得到了与实际探测相一致的场分布规律。采用自行研制的光子扫描隧道显微镜（ＰＳＴＭ）的显微实验系统对多种样品进行了表面显微成像研究，获得了关于样品表面三维立体图像信息，通过多种图像处理手段对原始图像进行后期处理，得到了更具视觉效果、更为逼真的样品表面图像。     

在氨三乙酸中阳极溶出伏安法测定微量镓

本文研究了镓在氨三乙酸中的阳极溶出峰及其测定条件。在0.15mol/L氨三乙酸和0.8mol/L氯化铵(pH=5.7)混液中,富集电位-1.5伏,富集10分钟,镓的检出极限为1.77×10(-7)mol/L,在此条件下,测出纯铝样中镓的含量约为0.009％。     

聚醚类抗生素的崛起

聚醚类抗生素,在我国还正处在开发研究之中,人们对它的作用、应用范围以及经济效益还不够了解。然而在国外,尤其是美国、日本以及西欧诸国,已作为畜牧业、养禽业的一种重要的饲料添加剂。又由于它具有抗寄生虫,防病以及促进禽畜生长的显著效果,因此国外的一些大公司纷纷组织力量研究聚醚类抗生素,现在它已经逐步开发成为禽畜专用的抗生素。聚醚类抗生素最早是1951年美国的贝克等人所发现     

光化学的初级过程和次级过程

针对物理化学教材中有关光化学初级过程和次级过程、初级过程的量子产率、初级过程的反应速率表示以及是否是零级反应等问题发表了看法。     

典型卫星轨道辐射环境及在轨软错误率预计模型分析

使用最新版本的Space Radiation 7.0软件对典型卫星轨道（包括地球同步轨道、中地轨道和低地轨道）的空间辐射环境进行提取和计算,分析不同空间天气和屏蔽条件下的轨道离子通量-能量谱和通量-线性能量沉积（LET）谱特点。以一款SOI SRAM为例,结合地面加速器重离子试验获得的单粒子翻转截面-LET值关系曲线,预计该器件的在轨软错误率（SER）,并分析关键参数对预计结果的影响规律和内在机理。结果表明,使用Space Radiation软件的四种输入模式获得的预计结果可相差5倍左右;灵敏区厚度的增大导致在轨SER降低数个数量级,原因为灵敏区厚度的设置与灵敏区平均投影面积和符合条件的空间离子通量的大小直接相关;漏斗长度的大小对预计结果有一定的影响。最后,对SER预计模型的适用性和发展趋势进行了讨论。     

赣南客家传统建筑装饰图案的文化解读及当代应用

赣南客家传统村落民俗文化空间中的装饰图案,传承了客家文化基因,影响着客家乡村人居环境特色的营造.基于对赣南客家民俗文化和客家祠堂、庙宇等民俗文化空间的分析,阐述赣南客家民俗文化空间中的装饰图案分类与艺术特征,探讨赣南客家传统村落民俗文化空间装饰图案的美育价值,并以赣南客家乡村为例,提取客家具有代表性的装饰图案,研究其在...     

关于象棋的不败算法

给出了数学方法，根据它可以写出算法，依此算法，在高速大容量电子计算机的帮助下，象棋（中国象棋或国际象棋）棋手与任何人或机器下两盘（一盘先着子，一盘后着子）后，按总成绩计皆不输。     

Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation

The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the comparison of the transfer characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to a total dose of 2.7 Mrad(SiO₂. The experimental results show that the implantation of silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon implantation play an important role in the remarkable improvement in radiation hardness of SIMOX SOI wafers.