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41.
针对AlGaAs/InGaAs型高电子迁移率晶体管,利用TCAD半导体仿真工具,从器件内部空间电荷密度、电场强度、电流密度和温度分布变化分析出发,研究了从栅极注入1 GHz微波信号时器件内部的损伤过程与机理。研究表明,器件的损伤过程发生在微波信号的正半周,负半周器件处于截止状态;器件内部损伤过程与机理在不同幅值的注入微波信号下是不同的。当注入微波信号幅值较低时,器件内部峰值温度出现在栅极下方靠源极侧栅极与InGaAs沟道间,由于升温时间占整个周期的比例太小,峰值温度很难达到GaAs的熔点;但器件内部雪崩击穿产生的栅极电流比小信号下栅极泄漏电流高4个量级,栅极条在如此大的电流下很容易烧毁熔断。当注入微波信号幅值较高时,在信号正半周的下降阶段,在栅极中间偏漏极下方发生二次击穿,栅极电流出现双峰现象,器件内部峰值温度转移到栅极中间偏漏极下方,峰值温度超过GaAs熔点。利用扫描电子显微镜对微波损伤的高电子迁移率晶体管器件进行表面形貌失效分析,仿真和实验结果符合较好。 相似文献
42.
43.
车辆路径优化问题的均衡性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究车辆路径优化问题中配送线路之间的均衡性可以提高配送服务质量。利用C larke-W righ t算法,结合打包原则和装配线线均衡算法的思想,设计出一种称为θRC的启发式算法来处理两个目标的车辆路径优化问题:一是最小化总距离,二是均衡各条线路间负载。该算法包括3个主要部分:θ约束,R运算和C运算。将该算法应用于一个有38个用户的物流配送公司的配送路线求解,结果显示该算法在总路径增长12%的情况下,实现均衡值降低85%。该算法能较好实现车辆路径优化求解中的负载均衡。 相似文献
44.
装配式混凝土外挂墙板接缝宽度影响建筑的结构和防水性能,我国现行标准JGJ/T 458根据气温、抗震设防烈度等因素的不同,提出了设计计算方法,但计算过程十分繁琐﹒基于此,本文针对湖南地区气温、抗震设防要求和风荷载,分别按我国JGJ/T 458、美国PCI手册与德国DIN 18540的计算方法对比分析了混凝土外挂墙板的接缝宽度大小,并提出了适合湖南地区的装配式混凝土外挂墙板的接缝宽度的简易设计方法﹒ 相似文献
45.
46.
针对多岩性组合储集层的裂缝高度扩展问题,通过制备不同岩性的人工试样,并开展了室内压裂物理模拟试验,同时加入暂堵剂,分析不同岩性差异、射孔位置及排量下的水力压裂缝高扩展特征,创新了试样压后三维裂缝重构方法。结果表明:不同岩性组合试样下的主要缝高截止机制由岩石力学性质所决定,高杨氏模量岩层会阻挡缝高穿层。当层间力学性质差异较小时,裂缝发生转向扩展突破,缝高发生穿层;当层间力学性质差异较大时,裂缝扩展限制于同一岩层,缝高难以突破岩层界面。低排量下,缝高截止于应力区分界面,暂堵压裂后,裂高继续延伸突破高应力区;高排量下,裂缝沿最小主应力横向扩展,加入暂堵剂发生,裂缝转向形成新的裂缝。当射孔位置居上时,试样缝高倾向于向上扩展,暂堵压裂后形成新的起裂点;射孔位置居下,缝高扩展贯穿整个试样,暂堵压裂后形成相平行的新裂缝。研究结果为多岩性组合储集层现场压裂方案设计提供了室内试验指导。 相似文献
47.
三维定常对流扩散方程的经典边界积分方程,其类型关于未知对流扩散势导数是第一类积分方程,关于未知对流扩散势是第二类积分方程。本文从格林公式出发,通过建立位势的单、双场守恒积分公式,推导出三维定常对流扩散方程新的边界积分方程,其类型与经典方程相反。对不同的边界采用不同的方程,由此把双方程边界元方法推广到三维空间。 相似文献
48.
讨论A∈GL(n,c)时, X∈Mn(C),多项式恒等式d_M~H(AX)=d_M~H(XA)成立的充要条件,这里H是n次对称群S 的子群,而d_M~H表示由群H的酉表示M诱导的矩阵函数. 相似文献
49.
植物激素和糖用量对朱蕉试管繁殖的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
朱蕉以嫩茎茎段为外植体,用MS为基本培养基,附加一定种类的细胞分裂素与生长素能顺利地再生、增殖与生根。朱蕉的5个品种或变种已经建立了无性系并大量繁殖成功。本研究发现:1.在不定芽增殖阶段采用BA,ZT,KT等细胞分裂素,用量皆为2mg/1时,以BA效果最好;2.若用BA配合NAA时,以MS+BA2+NAA0.2对不定芽增殖最有利;3.以上述培养基添加20,30,40,50g/1食糖时,以30或20g/1较适宜;4.在诱导无根苗生根阶段,NAA用量在0.5~2.0mg/1范围内促进生根的效果相近;5.不同种类的生长素配合使用时。以MS+NAA1+IBA1mg/1的生根效果最好;6.MS无机盐的不同浓度,配合糖的不同浓度,以1/4 MS+食糖30g/1的生根效果最理想。 相似文献
50.
当前,科技创新与改革开放成为发展的主要推动力,企业逐渐成为技术创新的主体,市场在资源配置当中起到基础性作用。新形势下,政府推进创新型国家建设,主要有两方面的措施:一方面是完善优惠政策,创造更好的激励创新的宏观环境;另一方面是加大政府科技投入,提供更好的公共物品,并且引导社会投入,开展相关创新活动,解决发展当中的重大问题。 相似文献