尘粒电荷变化的尘埃等离子体中的MKP方程

使用约化摄动法得到了描述含有尘埃颗粒电荷变化、非热力学平衡离子和玻尔兹曼分布的电子的热尘埃等离子体中的二维尘埃声波的Modified KP(MKP)方程.数值模拟结果表明,诸多等离子体参数,如快离子数,尘埃电荷变化、尘埃流体、离子和电子的温度,以及离子的数密度等均会影响和改变孤波的振幅和宽度.     

含有非热离子及尘粒电荷变化的尘埃等离子体中的KP方程

使用约化摄动法得到含有非热离子、尘粒荷电变化的热尘埃等离子体中的KP方程.结果表明,非热离子分布会严重影响尘粒的电荷数.而且,高阶横向扰动的存在使得尘埃声孤波的振幅减小,而宽度增大.同时,该体系中稀疏形孤波和压缩形孤波共存.     

包含双温非热离子的尘埃等离子体中的三维尘埃声孤波

考虑高阶横向扰动的因素,使用约化摄动方法得到描述含有双温非热离子的无磁化尘埃等离子体中的尘埃声波的(3+1)维KP方程.详细讨论一些尘埃等离子体系统参数如电子与非热高温离子数密度v与μh、快离子数λ(α)、低温非热离子与电子的温度比1β、非热双温离子温度比2β对尘埃声孤波性质的影响.研究结果表明:这些因素均可显著影响和改变孤波结构.在考虑双温非热离子后,稀疏形孤波与压缩形孤波的临界条件也发生极大变化.     

含有双温非热离子的热尘埃等离子体中的尘埃声孤波

使用约化摄动方法得到含有双温非热离子的无磁化热尘埃等离子体中的KdV方程.研究结果表明,尘埃流体的温度会严重影响尘埃声孤波的结构,而且允许稀疏形孤波与压缩形孤波共存.     

锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究

通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.     

Tunable localized surface plasmon resonances in one-dimensional h-BN/graphene/h-BN quantum-well structure

The graphene/hexagonal boron-nitride(h-BN) hybrid structure has emerged to extend the performance of graphenebased devices. Here, we investigate the tunable plasmon in one-dimensional h-BN/graphene/h-BN quantum-well structures.The analysis of optical response and field enhancement demonstrates that these systems exhibit a distinct quantum confinement effect for the collective oscillations. The intensity and frequency of the plasmon can be controlled by the barrier width and electrical doping. Moreover, the electron doping and the hole doping lead to very different results due to the asymmetric energy band. This graphene/h-BN hybrid structure may pave the way for future optoelectronic devices.     

含有双温非热离子的尘埃等离子体中的非线性尘埃声孤波

使用约化摄动法得到了含有双温非热离子的尘埃等离子体中的KdV方程.结果表明,双温满足非热分布的离子会严重影响着尘埃声孤波的结构,而且,该体系中稀疏形孤波与压缩形孤波共存.     

n-GaSb/p-GaAs异质结二极管发光特性的数值分析

利用非平衡载流子的连续性方程,结合GaAs/GaSb异质结器件的特点,运用了大注入情况下的边界条件,对载流子的复合过程进行了数值分析,数值结果与所报道的实验结果符合。