双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术

因其设备简单,沉积速率高等特点,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中,但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物,氮化物膜时,为了得到化学配比的膜层,9 反应激活基因,离子等的密度必须足够大,为此对原有的微波－ECR等离一源进行了改造,研究了双放电腔微波ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性,并用该方法制备了氮化碳膜,结果表明,该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术,用该方法制备的氮化碳膜,化学成分接近化学配比。     

Theoretical analysis of ion kinetic energies and DLC film deposition by CH4＋ Ar （He） dielectric barrier discharge plasmas

The kinetic energy of ions in dielectric barrier discharge plasmas are analysed theoretically using the model of binary collisions between ions and gas molecules. Langevin equation for ions in other gases, Blanc law for ions in mixed gases, and the two-temperature model for ions at higher reduced field are used to determine the ion mobility. The kinetic energies of ions in CH4 ＋ Ar（He） dielectric barrier discharge plasma at a fixed total gas pressure and various Ar （He） concentrations are calculated. It is found that with increasing Ar （He） concentration in CH4 ＋ Ar （He） from 20% to 83%, the CH4＋ kinetic energy increases from 69.6 （43.9） to 92.1 （128.5）eV, while the Ar＋ （He＋） kinetic energy decreases from 97 （145.2） to 78.8 （75.5）eV. The increase of CH4＋ kinetic energy is responsible for the increase of hardness of diamond-like carbon films deposited by CH4 ＋ Ar （He） dielectric barrier discharge without bias voltage over substrates.     

Diffuse dielectric anomaly of （Na0.5K0.5Bi）0.5TiO3 crystal at high temperature

This paper investigates the dielectric properties of (Na_0.5K_0.5Bi)_0.5TiO₃ crystal at intermediate frequencies (1kHz \le f \le 1MHz) in the temperature range of 30--560℃. A pronounced high-temperature diffuse dielectric anomaly has been observed. This dielectric anomaly is shown to arise from a Debye-like dielectric dispersion that slows down following an Arrhenius law. The activation energy E_r obtained in the fitting process is about 0.69eV. It proposes that the dielectric peak measured at low frequency above 400℃ is not related to the phase transition but to a space-charge relaxation.     

脉冲磁过滤阴极弧沉积中基片台悬浮电位研究

通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位，发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达－60V，而弧源悬浮时却只有－5V。因此，要获得相似沉积条件的沉积薄膜，弧源接地方式不同，给基片施加偏压也应有所不同。     

残余气体质谱仪的进样输运及其对定量分析的影响

使用QMS-200残余气体质谱分析仪,分别以空气、空气/氩气混合气体为样品,研究了质谱仪的进样输运效应.利用空气/氩气混合气体作为标准样品,进行了质谱峰强对浓度的标定,获得了分析仪对残余空气定量分析的标定关系.研究发现:由于输运过程,注入样品由于不同成分的输运速率、排空速率不同,样品不同成分在质谱仪内的量与其原始物质的量有所不同.     

用发射光谱法测量氮气直流辉光放电的转动温度

本文报道了氮气气压分别为10和20Pa时，对直流辉光放电的发射光谱进行测量和分析的结果。选择的研究对象为N2放电中形成的N2^ B^2∑u^ →X^2∑g^ 跃迁的Δv=v′-v″=0谱带系中v′=0→v″=0谱带的R支。在阴极背面辉光区、阴极鞘层区、正柱区以及阳极辉光区中分别选择一点进行了转动分辨的发射光谱的测量。利用自己编写的光谱拟合程序，获得了相应的实验条件下N2^ 的转动温度，给出了转动温度随放电电压的变化趋势，其结果可以用直流放电的帕邢定律得到很好的解释。在10和20Pa气压下，放电的阴极鞘层区、正柱区、阳极辉光区中的转动温度都随放电电压呈现出了不同的变化趋势，甚至是完全相反的变化趋势。我们认为这是由于气压不同时，放电状态不同所致：气压为10Pa时的放电是正常辉光放电，而气压为时20Pa的放电为反常辉光放电。     

模糊控制在电厂补给水加药系统中的应用

论述了火电厂给水处理的必要性及工作原理,介绍了加药控制系统和控制器的设计,进行了模糊控制器的仿真及其分析。     

常压CH4＋H2放电等离子体电子激发温度在线光谱诊断

大气压下低温等离子体甲烷偶联是利用可再生能源的绿色工艺．对大气压下CH4＋H2放电等离子体进行了发射光谱在线诊断以表征此放电体系,旨在为优化用于未来工业生产的等离子体甲烷偶联工艺参数打基础．主要介绍一种大气压下CH4＋H2放电等离子体电子激发温度在线诊断计算方法,此方法简便而又比较精确．修正了一个文献中曾用于诊断等离子体电子激发温度计算方程中的严重错误．     

CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构和电学性能

利用传统的固相反应工艺,在不同的烧结温度下制备了一系列的CaCu3Ti4O12陶瓷样品,考察了其微观结构以及介电和复阻抗方面的电学性质.研究发现这些样品在微观结构方面可分为三种类型,高介电性与微观结构有着密切的关联性.室温下,样品的低频介电常数随陶瓷晶粒尺寸的增大而提高.随着测试温度的升高,不同微观结构类型的样品呈现出不同的电学性质的变化,但其中也存在着一些相同的特征.高温下,介电频谱呈现出一个低频介电响应和两个类Debye型弛豫色散,复阻抗谱呈现出三个Cole-Cole半圆弧.将实验上观测到的电学性质的起因归于陶瓷多晶微结构中的晶畴、晶界和晶粒内的缺陷.     

基于有效驱替通量的油藏物性综合时变数值模拟技术及应用

水驱开发油田进入高含水期后在水的高倍冲刷下储层物性不断发生变化,影响储层剩余油分布与调控策略的制定.为精确模拟储层时变条件下剩余油的分布状况,根据室内试验和矿产资料利用有效驱替通量定量表征储层物性参数的时变规律,并形成基于驱替通量的时变数值模拟技术.建立概念模型对时变软件进行应用,分析不同时变参数对开发效果和剩余油分布...