二氧化碳分子3σu轨道的电子动量谱测量

自从70年代实现（e,2e）电子动量谱测量以来,电子动量谱学获得了巨大的发展,成为探测物质结构的强有力的手段[1]。它可以分辨壳层来获得原子分子价壳层轨道的动量空间的电子密度分布,尤其是对低动量端的电子分布非常敏感。二氧化碳分子是一种典型的线性分子,对其结构的深入研究,具有相当的应用价值,尤其在环境保护领域。以前,CO2分子的电子动量谱曾被测量过三次[2-4],但由于能量分辨或动量分辨较低,研究结果不能令人满意。因此,用电子动量谱学的实验手段,进一步研究CO2分子,是非常有意义的。……     

日本落叶松无性系木材组织比量的遗传变异

对10个10年生的日本落叶松无性系木材组织比量进行了测定,结果表明,无性系间木射线比量、树脂道比量和管胞比量差异极显著。日本落叶松组织比量的径向变异规律为:管胞比量由髓心向外,前期变化曲线呈“梯形”,后期变化曲线呈“V”型;木射线比量由髓心向外,开始迅速下降,到第2年轮后缓慢波动下降或上升;树脂道比量由髓心向外,开始缓慢下降,然后迅速上升达最大值后又迅速下降。木射线比量与树木年轮间的变异模式(径向变异)以双曲线和乘幂式方程拟合效果较好,R2均在0.7以上;树脂道比量与树木年轮间的变异模式(径向变异)以指数式方程拟合效果较好,R2为0.609;管胞比量与树木年轮间的变异模式(径向变异)以三次多项式方程拟合效果较好,R2为0.845。日本落叶松的木射线比量、树脂道比量、管胞比量与树高、形率、冠幅、皮厚、主枝粗、枝干比、主枝夹角的相关关系不显著;木射线比量与主枝长显著负相关;木射线比量、树脂道比量与管胞比量之间的相关显著。木射线比量、树脂道比量和管胞比量都受到中等水平的遗传控制,无性系重复力分别是:0.571、0.453和0.607。按照20%的选择率,日本落叶松木射线比量、树脂道比量的遗传增益为16.70%和207.72%。     

Laser wakefield electron acceleration for γ-ray radiography application

An electron beam is obtained using laser wakefield electron accelerator, and converted into a γ-ray source after undergoing bremsstrahlung radiation in a dense material. A quasi-monoenergetic structure is observed when the length of the plasma channel was modified. The structure has a 58-MeV peak energy, 15mrad (full-width at half-maximum) divergence angle, and 340-pC charge. The γ-ray source generated by this high-quality electron beam is brighter and has higher spatial and temporal resolutions than other conventional sources. A γ-ray radiography demonstrational experiment is performed. Pictures of a ball with different layers made of different materials are taken. The results show a clear structure and density resolution.     

超短超强激光产生正电子的蒙特卡罗模拟

通过理论分析,建立了超短超强激光与固体靶作用产生正电子的蒙特卡罗模拟模型及Geant4模拟程序。模拟研究了靶材料、靶厚度及超热电子温度等对正电子产额的影响,结果表明：对铝、铜、锡、钽、金、铅6种靶材料,金靶的正电子产额最高,是优秀的正电子产生靶;不同超热电子温度下存在不同的最佳靶厚度,在最佳靶厚度以下,正电子产额随靶厚度增长而增大,靶厚度取3 mm较为合适;超热电子温度越高,正电子产额也越高,提高激光强度是增加正电子产额的有效途径。模拟研究给出了正电子角分布及其能谱,结果显示,正电子发射明显前倾,从大于90方向范围发射的正电子数量极少,且超热电子温度越高前倾特点越明显,能量呈类麦克斯韦分布,靶背法线方向出射的正电子的温度随超热电子温度升高而升高。

     

Si83Ge17／Si压应变衬底上HfO2栅介质薄膜的电学性能

本文用射频磁控溅射方法在p-si83Ge17／Si压应变衬底上沉积制备Hf02栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积在无应变p-Si衬底上Hf02薄膜的电学性能进行对比研究．物性测试分析结果表明,沉积Hf02薄膜为单斜相（m-Hf02）多晶薄膜,薄膜介电常数的频率依赖性较小,1MHz时薄膜介电常数k约为23．8．在相同的优化制备条件下,沉积在si83Ge17／si衬底上的Hf02薄膜电学性能明显优于沉积在Si衬底上的薄膜样品：薄膜累积态电容增加;平带电压‰骤减至-0．06V;电容．电压滞后回线明显减小;-1V栅电压下漏电流密度,减小至2．51 x 10-5A·cm-2．实验对比结果表明Si83Ge17应变层能有效地抑制Hf02与si之间的界面反应,改善HfO2／Si界面性质,从而提高薄膜的电学性能．     

双荧光层靶Kα线强度比诊断靶内超热电子温度

利用双荧光层复合靶产生的Kα特征线强度比诊断了靶内超热电子的温度,即通过实验测量复合靶中两种不同材料荧光层辐射出的Kα特征线强度比,结合ITS3.0程序模拟结果,对超热电子温度进行诊断。将诊断结果与实验中利用电子磁谱仪测量的超热电子温度进行了比较,二者基本一致。结果表明,选取适当的荧光层靶厚,可以利用双荧光层复合靶产生的Kα特征线强度比对靶内的超热电子温度进行诊断。     

光学成像法和穿孔法测量飞秒激光焦斑特征

超短超强激光焦斑参数的精确测量是深入开展精密物理实验的前提。在SILEX-Ⅰ激光装置上,采用光学成像法和穿孔法测量了μJ级能量下的激光焦斑特性,采用光学成像方法得到了激光主瓣大小及能量集中度信息,通过穿孔法得到了激光能量透过率与不同大小孔径的关系曲线,并对两种方法得到的测量结果进行了比对研究。研究结果表明,光学焦斑测量法和穿孔法都可以比较准确地反映激光焦斑的能量分布情况,得到的能量分布偏差小于10%。     

超短超强激光在稀薄等离子体中的自聚焦传输

开展超短超强激光与次稠密等离子体相互作用实验,采用探针光对激光等离子体相互作用区域进行阴影成像,研究了不同激光功率与临界功率比值及不同激光脉冲长度与等离子体波波长比值下的激光在次稠密等离子体中的自聚焦传输。结果表明:相对论效应是超短脉冲在次稠密等离子体中的主要自聚焦机制,激光功率与临界功率比值是影响超短脉冲在次稠密等离子体中形成自聚焦的关键条件。     

Spectral Hole-Burning of Eu^3＋：Y2SiO5 Crystal at 16 K

By using an Ar^＋ ion laser, a tunable Rh 6G dye laser （linewidth 0.5cm^-1） pumped by the second harmonic of a YAG：Nd laser and a Coherent 899-21 dye laser as light sources and using a monochromator, a phase-locking amplifier and a computer as the data detecting system, we detect the optical properties of Eu^3＋-doped Y2SiO5 crystal. Persistent ,spectral hole burning （PSHB） are observed in the Eu^3＋ ions spectral lines （^5 Do-T Fo transition） in the crystal at the temperature of 16K. For 15mW dye laser burning the crystal for 0.1 s spectral holes with hole width about 80 MHz both at 579.62nm and at 579.82nm are detected and the holes can remain for a long time, more than 10h.     

康普顿照相中的背景噪声分析北大核心CSCD

康普顿照相是用于压缩靶丸成像、诊断内爆压缩对称性的一种有效技术手段。如何屏蔽成像过程中的背景噪声是康普顿照相技术的重点问题,同时也是一个难点问题。分析了靶环境以及各种背景信号的来源,并提出了相应的屏蔽建议。通过分析可以看到,在中子产额小于1013sr-1、压缩靶丸中心温度小于5 ke V时,通过使用相应的屏蔽措施并采用合适的诊断措施和记录设备,可以把背景噪声降至109sr-1以下,使康普顿照相中的面密度测量精度达到5%左右。