微通道板固定图案噪声及测试研究

叙述微通道板的噪声,着重介绍微通道板固定图案噪声及其简便新颖而又实用的一种测试方法,给出测试结果并进行分析。     

薄膜电致发光瞬态过程的物理模型及定量计算

本文利用桥式平衡电路及Sawyer-Towre电路系统地测量了薄膜电致发光(TFEL)器件的损耗电流波形,发光亮度波形及电荷电压回线.在实验基础上建立了TFEL电子传输过程的物理模型和等效电路,由克希霍夫定律可建立激活层的瞬态电压及电流的微分方程,由此导出损耗电流波形,发光亮度波形及Q-V回线的数学表达式.利用计算机模拟将计算结果与实验进行比较,利用四个调节参数即得到与实验相当好的拟合.     

H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

测量了50–250 keV H⁺和1.0–3.0 MeV Ar¹¹⁺ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar¹¹⁺入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar¹¹⁺的实验结果符合较好. 关键词： X射线 高电荷态重离子 多电离     

短波长自由电子激光器电子运动特性研究

短波长自由电子激光器的电子束在摇摆器中的传输通道长而狭窄, 须得电子具有良好的运动特性, 避免在传输过程中产生横向发散. 本文研究短波长自由电子激光器中超相对论电子在磁场具有横向分布的平面摇摆器中的三维运动特性, 用逐次逼近法推导相对论运动方程的解析表达式, 非线性数值计算模拟传输过程, 采用科尔莫 戈罗夫熵 方法分析运动的稳定性. 结果表明: 摇摆器磁场除使电子做周期性摇摆运动外, 还迭加了偏离轴线的横向漂移运动, 在没有外置的磁场聚焦系统情况下, 电子将偏离轴线横向发散; 但是, 恰当选取电子的横向初始速度, 可有效地防止电子运动的横向发散, 即使没有外置的磁场聚焦系统, 也能在长达10 m 的摇摆器中顺利传输, 横向位移范围不超过0.09 mm, 而且其运动是稳定的. 关键词： 短波长自由电子激光器 平面摇摆器 超相对论电子运动 运动稳定性     

异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点, 异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET, 通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料, 在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能. 本文结合其结构模型, 以应变Si NMOSFET为例, 建立了强反型时的准二维表面势模型, 并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型. 应用MATLAB对该器件模型进行了分析, 讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响, 获得了最优化的异质栅结构. 模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致, 证明了该模型的正确性. 该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考. 关键词： 异质多晶SiGe栅 应变Si NMOSFET 表面势 沟道电流     

Quantum Correlations in a Family of Two-Qubit Separable States

Quantum correlations in a family of two-qubit separable classical-quantum correlated states are intensively studied with four diferent approaches,namely,quantum discord[Phys.Rev.Lett.88(2002)017901],measurementinduced disturbance(MID)[Phys.Rev.A 77(2008)022301],ameliorated MID[J.Phys.A:Math.Theor.44(2011)352002]and quantum dissonance[Phys.Rev.Lett.104(2010)080501].Quantum correlations captured with diferent approaches are compared and discussed so that their three distinct features are exposed.     

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考. 关键词： 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型     

Laser output of radial-slab solid-state laser

In this letter, numerical simulation and experimental study of a radial-slab solid-state laser are presented. The laser includes four crossing-slabs pumped by four Xe flashlamps. The numerical simulation of coherent intensity in the near field and the far field indicates that the laser with the structure can improve the quality of output beam compared with incoherent beam combination. The radial-slab solid-state laser is fabricated, and initial experiments are carried out at a pulse repetition of 1 Hz. Nine beams in the near field and one combined beam in the far field are obtained in our initial experiment. The experimental results are consistent with the numerical analysis in the coherent condition. The results show that coherent beam combination is obtained by this laser.