迈克尔逊干涉仪调节中的故障处理

对迈克尔逊干涉仪调节过程中出现的几种特殊现象进行解释。     

Mn(Ⅲ,Ⅲ)配合物及含酚配体[N4O3]3--Ru(bPy)3模型化合物的性能研究

为了对绿色植物光系统Ⅱ给体部分进行模拟,合成了1个新的高价双核配合物[Mn2(Ⅲ,Ⅲ)L(μ-OAc)2]*PF6 (2a),其中H3L为2,6-二{[(2-羟基-5-叔丁基苄基)(吡啶-2-亚甲基)胺基]亚甲基}-4-甲基苯酚.与目前的PSⅡ模型化合物[Mn2(Ⅱ,Ⅱ)-(bpmp)(μ-OAc)2]*ClO4 (1) [Hbpmp 2,6-二{[N,N-二(吡啶-2-亚甲基)胺基]亚甲基}-4-甲基苯酚]相比,配合物2a中增加了2个酚羟基及2个叔丁基,由此带来的改进使新模型更接近于自然界四核锰簇(OEC)的真实结构.在此基础上,我们将该配体通过酰胺键与[Ru(bPy)3]2+相连设计了光诱导电子转移模型化合物2b.其中[Ru(bPy)3]2+具有良好的光电性能,用于模拟PSⅡ中酶P680.通过紫外可见、红外、荧光发射光谱及电化学对化合物进行了光、电性能研究,结果表明配合物2b具有良好的光物理性质,而且2b中Ru3+/Ru2+的氧化还原电位比Phenol+/Phenol和Mn(Ⅲ,Ⅳ)/Mn(Ⅲ,Ⅲ)的高,说明2b配位金属Mn后可满足自然界PSⅡ电子转移的基本要求,是用来模拟PSⅡ给体部分较理想的模型.     

云南晾晒烟中小分子的荧光光谱及显微成像

为提高晾晒烟中化学成分的研究利用，进一步拓展烟草资源的用途，以云南地方晾晒烟为研究对象，分离得到2个荧光小分子化合物2-甲基喹啉（QND）和3-羧酸吲哚（YD），对其进行了光谱分析和药理学毒性与成像分析. 2个荧光小分子均显示出较高的荧光量子产率，在一定范围的p H条件下，对环境p H的变化表现出良好的响应，且呈现互补特征.细胞实验结果表明，实验条件下两个小分子细胞毒性较低，细胞成像结果均呈现出较好的荧光成像能力，具有在生物领域应用的可行性，为晾晒烟资源的综合应用以及探究烟草的新用途新用法展示出良好的应用前景.     

对接欧洲企业服务网络体系助推天津科技型中小企业发展

通过对欧洲企业服务网络这一国际化创新服务网络体系的服务模式、服务内容、服务步骤以及实施效果的研究,建立完善科技型中小企业服务平台,形成外接欧盟各国,内联我市区县的协同服务网络体系,为中小企业提供一站式服务,形成科技型中小企业与欧洲企业技术对接、商务对接的桥梁和纽带,为营造天津中小企业发展的良好环境和氛围提供服务和支持。     

左手介质对谐振腔谐振频率的影响

在谐振腔设计过程中, 谐振腔的品质因数以及谐振频率都是需要考虑的关键因素. 传统的方法是通过减小谐振腔的尺寸或者利用高次模来提高谐振腔的谐振频率, 但是由于两种方法都有其局限性, 导致设计结果并不理想. 通过理论计算与模拟仿真相结合的方法, 对影响谐振腔谐振频率的因素进行分析, 得出了填充介质的材料属性与谐振腔谐振频率的关系. 理论计算显示: 当用“左手介质”作为谐振腔的填充物质时, 可以在不改变谐振腔尺寸的基础上提高谐振频率. 高频结构仿真器(high frequency structure simulator)的仿真数据也证明了以上结果, 从而得出谐振腔的谐振频率可以不受谐振腔尺寸的限制. 相较于传统理论而言, 研究结论有进一步的发展, 为探索和设计新颖的谐振腔提供了理论依据.     

激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化

本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar~+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm~2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。实验发现经第一种情况处理后光致发光峰位蓝移了约0.1eV,发光强度衰减了二十几倍,相应的其红外光谱中与氧有关的吸收峰强度大幅度增长,而经第二,三两种情况处理后它们的光致发光及红外吸收谱则无大的变化。研究表明在氧气中激光辐照能大大加速多孔硅内表面的氧化。我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移,由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。     

大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚

改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释. 关键词：     

中子辐照高掺硅砷化镓的光致发光研究

研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃-500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照前的1/36。在退火温度超过250℃时,积分发光强度显著增长,当退火温度达400℃以上时,在带边峰的低能侧出现能量为1.35eV、1.30eV和1.26eV的发光峰。假设250℃退火阶段对应于较大的空位团分解为较小的空位团,400℃退火阶段对应于较小的空位团分解出VGa,可以较好地解释实验现象。     

富锂气相输运平衡对MgO∶LiNbO3晶体表面折射率的影响

研究了富锂气相输运平衡(VTE)对同成分MgO∶LiNbO3晶片表面折射率的影响.VTE结果使晶体Mg浓度发生变化对其表面寻常光折射率no影响很大,包括随VTE时间的变化趋势和折射率变化幅度;同时Li浓度的变化影响了表面异常光折射率ne,但幅度变化比no要小.     

感知、表象和体育教学

体育教学过程是通过教师的讲解、示范和学生的反复练习,经过感知—表象—形成技能技巧等几个阶段,使学生掌握正确、完整的动作概念,增强学生体质,培养良好道德品质的过程。动作概念的掌握与学习文化科学知识不同,除了大脑神经在活动外,学生的整个有机体都在直接参加活动。所以体育运动过程和肌肉运动觉和肌肉运动表象有特别的联系。美国