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设Γ是具有某种性质的n阶(有向)图的度(得份)序列的全体,令h(s)=a1sp1+a2sp2+...+anspn,其中,s=(s1,s2,...,sn)∈Γ,p>1是正整数,0<a1≤a2≤…≤an.给出了求整数规划maxs∈Γ h(s)的图论方法,并且给出了使h(s)取得最大值时s的图的实现方法,该方法可在图上直接实施,为研究和解决某些整数规划问题提供了一种新的途径. 相似文献
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Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation
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Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
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更年期综合征是妇科常见病、多发病,此病严重影响了妇女的身心健康.本病肾虚为本,但往往会累及肝、心、脾及冲任之脉,在辨证时应谨守病机,通常变达,治疗时应补而不宜过于滋腻,用药轻灵平淡,泻火少用大苦大寒的栀子、龙胆草等,慎用重镇之品,滋阴勿寒凉,温阳勿干燥,灵活运用,同时,要善言开导,使病人心情舒畅,消除恐惧心理,生活要有规律,劳逸结合,才能取得较好的治疗效果. 相似文献
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运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了水分子H2O在速度为12.5a0/fs的重离子C^+和C^2+作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率,平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化,计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大;重离子远离分子时,重离子的电荷态越高,产生高电荷态分子的几率反而越小。 相似文献
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压型钢板在建筑工程中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过剖析压型钢板的物理构造,讨论了它的抗腐蚀机理,阐述了压型钢板在建筑工程中的应用现状、应用范围及其在不同应用中需要注意的一些技术问题,介绍了压型钢板的一些安装新技术,并对压型钢板的应用前景进行了展望。 相似文献
169.
文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400~700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1~2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值. 相似文献
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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献