多元校正模型用于拼色食品中混合色素的同时测定

采用多元校正模型,不经分离,用吸光光度法同时测定拼色食品中混合合成色素,获得较满意的结果,同时对影响实际样品分析的因素进行了探讨。     

石羊河流域径流变化规律和趋势分析

根据石羊河八大河流径流量数据和径流极值比分析该流域径流变化规律。利用Mann-Kendall检验法分析石洋河流域径流变化的趋势;并通过数学建模预测未来径流演变的趋势。结果表明:南营的丰枯变化程度最剧烈,黄羊河次之,沙沟寺(东大河)的变化最趋向于缓和;由西向东,石羊河流域的各河流年径流的补给形式由冰雪和降水正逐步过渡到纯降水;至20世纪50年代以来,石羊河流域径流量总体上呈现减少的趋势;未来13年石羊河流域的出山径流总流量仍将会减少。     

粗糙集连续属性量化算法的灵敏度分析

简要介绍了粗糙集连续属性的一种量化算法—基于VDM (ValueDifferenceMetric)度量的划分法 ,并用该算法对实验数据为取自UCI机器学习数据库中心的数据集Iris进行量化 ,再对量化后的属性领域进行灵敏度分析     

胶东地区未发现金矿床资源总量的分形估计

随着分形理论的产生和发展及人们对矿产资源分布特征认识的深化,应用分形方法估计未发现的矿产资源总量便应用而生。基于矿产资源分形分布日益被揭示的事实,分形估计的结果具有较高的可靠性,利用分形方法对胶东地区未发现金矿床的资源总量进行了估计。     

类氦离子1,3P激发态Schrodinger方程的直接解

利用相关函数（CF）-超球谐（HH）-广义Laguerre(GLF)方法直接求解类氦离子n1,3P（n=1,2,3）低躺激发态的Schrodinger方程,得氦原子的本征能量分别为-2.13317Eh (13P),-2.12383Eh(11P),-2.05810Eh(23P),-2.05516Eh(21P),-2.03235Eh(33P)和-2.03109Eh(31P),它们与文献值在........第6位上很好地吻合。这说明CFHHGLF方法也适用于类氦离子1,3P激发态。还给出了总角动量L=1的对称超球谐基函数和有关矩阵元的解析式。     

流动注射-氢化物发生-非色散原子荧光光谱法直接测定海水中的砷(Ⅲ)和砷(Ⅴ)的研究

用流动注射-氢化物发生-非色散原子荧光光谱法对海水中 As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的直接测定进行了研究.氢化物发生的最佳条件为:KBH4 溶液浓度为 5 g·L-1(含KOH 5g·L-1),流速 10.0 mL·min-1;样品酸度为1.3mol·L-1 HCl,流速4.2 mL·min-1.对基体 NaCl,MgCl2,CaCl2,Na2SO4以及微量共存金属离子(Cd,Zn,Pb,Cu)的干扰实验结果表明,基体和微量共存金属离子对 As(Ⅲ)的测定没有干扰.样品中As(Ⅴ)的测定用硫脲进行预还原,通过总量和As(Ⅲ)含量的差减得到As(Ⅴ)含量.在优化实验条件下测得方法的检出限(3σ)为0.08 ng·mL-1;7次测定的相对标准偏差为0.48%～1.30%(8.0 ng·mL-1标准溶液).标准曲线和标准加入法对海水样品测定的对照结果表明,两种方法测定结果吻合较好.该方法已应用于近岸海水和大洋海水中As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的直接测定.     

远景经济指标的预测方法新见

本用预测决策原理给出了远景计划经济指标的一个新预测方法,并对一个具体问题给出了例解。     

Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation

The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the comparison of the transfer characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to a total dose of 2.7 Mrad(SiO₂. The experimental results show that the implantation of silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon implantation play an important role in the remarkable improvement in radiation hardness of SIMOX SOI wafers.     

Application of three-mode Einstein-Podolsky-Rosen entangled state with continuous variables to teleportation

We consider how to teleport two- and three-mode Einstein--Podolsky--Rosen entangled states (|\eta> and | p_t,\chi₂,\chi₃>) via a | p_t,\chi₂,\chi₃> quantum channel for continuous variables. Using the complete and orthogonal representation of the entangled states, we can not only find the a complete basis set for the joint measurement but also propose the specific scheme of teleportation. Our calculation can be greatly simplified by using their Schmidt decompositions.