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521.
孙文鑫 《重庆工商大学学报(自然科学版)》2015,32(3):12-15
首先定义了各论域上的支撑函数;其次通过支撑函数分别给出了不同论域一般多粒度模糊下上近似算子的定义,建立了双论域的一般多粒度模糊粗糙集模型;此外,还讨论了各近似算子的性质. 相似文献
522.
结构可靠指标求解的一种新的迭代方法 总被引:3,自引:0,他引:3
由国际安全度联合委员会推荐的一次二阶矩可靠度方法是国际工程界公认的一种较好的可靠度分析方法(简称JC法)。这种方法具有迭代格式简单,收敛快的特点。但许多实际计算表明,这种方法只适用于功能函数非线性程度不高的情况,否则不收敛。本文提出一种新的迭代方法,这种方法迭代格式与JC法同样简单,一般情况下均能保证收敛. 相似文献
523.
邹宇李昭陈衡慧刘伊辰童安玲颜惠英何若玮花国鑫曾伟东孙伟海 《发光学报》2021,(5):682-690
在钙钛矿太阳能电池(PSCs)中,光吸收钙钛矿层夹在电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)之间。钙钛矿层与电荷传输层之间的界面复合被认为是诱发器件电压损失的主要原因。通过对电荷传输层的修饰,不仅可以提高其电荷传输性能,而且还可以钝化界面缺陷,从而提高电池的光电转换效率(PCE)和稳定性。通过在平面二氧化钛层上引入一层双(三氟甲基磺酰基)亚胺钠(NaTFSI)来修饰二氧化钛ETL和钙钛矿之间的界面。实验结果显示,利用NaTFSI界面层修饰二氧化钛ETL不仅可以增大上层钙钛矿晶粒尺寸大小,减少晶界从而降低界面载流子复合;而且NaTFSI修饰后的ETL导电性增强,功函数降低。最后,通过优化NaTFSI界面层,实现了器件效率从18.62%至19.83%的显著提升。 相似文献
524.
通过化学浴沉积和水热法在泡沫镍上制备了NiO/MnO_2分级纳米片阵列复合材料,XRD和SEM测试表明NiO纳米片垂直生长在泡沫镍上,交叉形成网状阵列结构;MnO_2纳米介孔泡沫进一步生长在NiO纳米片两侧,与NiO形成了壳核式的复合结构。循环伏安和恒流充放电测试发现,NiO/MnO_2分级纳米片阵列复合材料的电化学性能相比复合前得到明显改善,在1 A·g~(-1)的电流密度下,比电容提高至1 297 F·g~(-1);2 A·g~(-1)下循环1 000次,比电容保持率高达97%,比电容和循环性能的改善是由于分级纳米片阵列复合结构方便了电解液传质,扩大了活性材料与电解液的接触,促进了赝电容反应,提高了NiO和MnO_2的结构稳定性。 相似文献
525.
目前,具有螺旋相位波前和环状光强分布的涡旋光束已在光学领域获得了广泛应用,其产生与调控自然成了研究的热点。利用三维粒子模拟程序对双色拉盖尔高斯激光驱动固体等离子激发同时携带自旋角动量与轨道角动量的高次谐波的物理过程进行了研究,根据高次谐波产生过程中的光子能量与角动量守恒定律对其内在物理机制进行了理论分析,并讨论了对谐波阶次、偏振态(自旋角动量)以及拓扑荷数(轨道角动量)进行调控的方法。研究结果为开发高亮度、超短超快、短波长、自旋与轨道角动量可调控的涡旋光束辐射源提供了理论依据,在光学微操控、超分辨成像、光通信以及离子加速等领域具有较大的实际应用前景。 相似文献
526.
非同轴激光雷达由于存在发射激光与接收望远镜之间的不完全重叠区, 造成近场回波信号与真实大气信号不一致. 对于多波长激光雷达, 这种不一致更为突出和复杂. 然而, 近场大气是人类活动最集中的区域, 因此对多波长激光雷达近场信号进行校正, 对于了解和探究边界层大气具有十分重要的意义. 提出了一种利用粒子谱仪测量近地层气溶胶尺度谱分布并运用Mie 散射理论和低层大气指数衰减规律, 进而直接校正多波长激光雷达消光系数廓线近场信号的新方法. 通过对晴天、多云天气和雾天多波长气溶胶消光系数廓线近场信号的校正, 证明了该方法的可行性和实用性. 该方法着重考虑了多波长激光雷达比的波长依赖性和气溶胶粒子谱分布的天气相关性, 将该方法用于近地层大气消光系数廓线校正, 减少了由于不考虑这两个因素带来的消光系数廓线反演和校正的不确定性. 该方法对于研究不同天气情况下边界层内的大气气溶胶物理、光学特性具有一定的实用价值和借鉴意义. 相似文献
527.
党的十七大把以人为本定位为科学发展观的核心,意味着要把我国经济社会发展问题提升到哲学高度、人格层面来加以认识和思考。实现经济社会科学发展必须坚持以人为本,应全面深刻地把握以人为本的科学内涵,真正把以人为本的理念贯彻落实到各项工作实践中去。 相似文献
528.
用手型表示环型导线中的电流方向和其周围的磁感线方向的空间分布,是教学中经常出现的难点。本文介绍了学生容易掌握的几种手型。 相似文献
529.
Annealing temperature influence on the degree of inhomogeneity of the Schottky barrier in Ti/4H–SiC contacts
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Tung's model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly' and the difference(△Φ)between the uniformly high barrier height(Φ0B) and the effective barrier height(Φeff B). Those two parameters of Ti Schottky contacts on 4H–Si C were deduced from I–V measurements in the temperature range of 298 K–503 K. The increase in Schottky barrier(SB) height(ΦB) and decrease in the ideality factor(n) with an increase measurement temperature indicate the presence of an inhomogeneous SB. The degree of inhomogeneity of the Schottky barrier depends on the annealing temperature, and it is at its lowest for 500-°C thermal treatment. The degree of inhomogeneity of the SB could reveal effects of thermal treatments on Schottky contacts in other aspects. 相似文献
530.