你的信息安全吗？：中国信息安全盲区几重？

随着全球信息化步伐的加快，信息安全逐渐被广大公众所熟知，成为全世界关注≮。的焦点。然而，生活在中国的老百姓、在中国开展生产经营的企业们、中国的政府机构们。你们认为自己的信息足够安全吗？     

在体验中感悟数学知识

在以往的教学的活动中,我们不太重视儿童在教育生活中的体验.我们往往将成人的观念,披上"知识"的外表以标准化答案的方式剥夺着儿童独有的个性体验.如果剥夺了儿童在理解基础上的体验,以及在体验基础上的理解,那么除了死记硬背,孩子们还能干些什么?因此,作为数学老师庄为学生感悟数学创设和谐的情境,触动学生的生活积累,使学生能有所悟,能自悟自得,并能在实践活动中深化感悟.     

明初安多藏区藏传佛教汉式佛殿形制初探

安多藏区包括今甘肃南部、河西走廊、四川西北部及青海大部分地区,地处中原与西藏联系的交通枢纽,又称“前藏”,具有多民族共处,文化多元共生的特点。为强化对安多的控制,明初除建“西蕃诸卫”、“土流参设”、茶马互市外,尊崇藏传佛教成为重要国策。为此,皇帝曾在该地区敕建大批藏传佛教寺院,尤其是从兰州经永登、乐都至西宁一线更是寺院林立,现为全国或省级文物保护单位的乐都瞿昙寺及永登妙因寺、显教寺、大佛寺等至今保存完好,是研究14、15世纪藏传佛教寺院形制和甘青地区古建筑做法的的重要例证。例如瞿昙寺瞿昙殿(1392年)妙因寺万岁殿(1427年)、显教寺大殿(1482年),均以下檐副阶周匝成暗廊,作为右旋礼拜道,形制与西藏日喀则夏鲁寺门楼上所建重檐歇山周绕礼拜道的布敦堂类似,共同反映了元末明初藏传佛教的宗教仪轨。本文以大规模测绘为基础,结合文献考证,初步揭示了安多藏区明初汉式藏传佛教建筑的特征和价值。     

浅谈电气工程接地装置施工质量通病及其对策

本文从电气安全的角度，探讨了电气工程接地装置的施工质量通病，针对质量通病逐一讨论解决方法，为确保电力系统的安全运行提供保障。     

由Landauer-Bütiker公式推导Juliere和Slonczewski模型的电导公式

首先简要介绍了ＬａｎｄａｕｅｒＢüｔｉｋｅｒ公式和用来研究磁电阻效应的两个重要模型———Ｊｕｌｉｅｒｅ和Ｓｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉ模型，然后利用多通道的ＬａｎｄａｕｅｒＢüｔｉｋｅｒ公式推导了Ｊｕｌｉｅｒｅ和Ｓｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉ模型的电导公式     

含氟牙膏中氟离子含量的检测——介绍一个开放设计型实验

一个与生活密切相关的开放设计型实验。学生通过查阅文献,对牙膏中氟离子含量的常见测定方法进行综合评述,设计详细实验方案,进行不同方法、不同仪器、不同实验条件的对比,并对各种方法的可行性进行研究。     

双侧输卵管妊娠两次剖腹1例报告分析

双侧输卯管妊娠，实属罕见病例。本文报告了发现经过和两次剖腹探查术的全过程，以及对症治疗的经过。     

PANSYSTEMS METHODOLOGY AND CONSTRUCTION OF MAGIC SQUARES

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＡｒｅｆｉｎｅｄｅｐｉｔｏｍｅｏｆｖａｒｉｏｕｓｐａｎｓｙｓｔｅｍｓｍｅｔｈｏｄｓｉｓｔｏｃｏｍｐｒｅｈｅｎｄａｎｄｏｐｅｒａｔｅａｂｏｕｔ 2 0ｐａｎｓｙｓｔｅｍｓｃａｔｅｇｏｒｉｅｓｗｈｉｃｈｃａｎｂｅｅｘｐａｎｄｅｄａｓｔｈｅｆｏｌｌｏｗｉｎｇｐｉｔｈｙｆｏｒｍｕｌａｓｅｘｐｒｅｓｓｉｏｎｓ:Ｔｈｅｐａｎｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ (ｏｒｔｈｅｃｈａｎｇｅ＿ｃｈａｎｇｅｒｅｌａｔｉｏｎｓ)ｏｆｔｈｅｅｘｔｅｒｉｏｒ＿ｉｎｔｅｒｉｏｒ(ｏｒｔｈｅｆｕｎｃｔｉｏｎ＿ｓｔｒｕｃｔｕ…     

BAM网络及其在结构分析中的应用

基于BAM网络、有限元结构分析能量函数的相似性，建立了一种新的结构分析方法。 表明，BAM网络能有效地完成有限元模型求解。     

Depth-dependent mosaic tilt and twist in GaN epilayer:An approximate evaluation

An approach based on depth-sensitive skew-angle x-ray diffraction （SAXRD） is presented for approximately evalu- ating the depth-dependent mosaic tilt and twist in wurtzite c-plane GaN epilayers. It is found that （103） plane and （101） plane, among the lattice planes not perpendicular to the sample surface, are the best choices to measure the depth profiles of tilt and twist for a GaN epilayer with a thickness of less than 2 μm according to the diffraction geometry of SAXRD. As an illustration, the depth-sensitive （103）/（101） ω-scans of a 1.4-μm GaN film grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate are measured and analyzed to show the feasibility of this approach.