一定压强下CaH2单晶的光学性质分析

根据密度泛函理论,采用平面波赝势方法,对单晶CaH2在0～500?GPa的静水压下的光学性质进行了理论研究。结果表明单晶CaH2在0～500?GPa的静水压范围内没有好的透明性,且吸收波段随压强的增加出现了蓝移的现象。计算的晶格常数与实验值符合得很好。     

基于全局熵值法和数据包络分析的效率评价——以湖南省经济发展指标为例

在结合道格拉斯生产函数的基础上,从投入和产出角度对湖南省的经济发展建立了评价指标体系,并运用全局熵值法和DEA模型实现了对湖南省2009—2017年的经济发展效率评价及2018年的经济发展效率预测.结果表明,2009—2017年湖南省经济发展处于高效水平,综合实力得到了显著提升;与2013—2017年相比,2018年湖南省经济发展效率将取得进一步突破.     

广义二阶流体涡流速度的衰减和温度扩散

将分数阶微积分运算引入到二阶流体的本构关系中,建立了带分数阶导数的广义二阶流体模型．研究了广义二阶流体涡流速度的衰减和温度扩散,利用分数阶导数的Laplace变换和广义Mittag-Leffler函数,得到了涡流速度场和温度场的精确解,分析了分数阶指数对涡流速度的衰减和温度扩散的影响．     

教学成果评估体系与标准研究

针对教学成果的特点，依据教育评价理论，对教学成果的评估体系和评估标准进行系统研究，提出对教学成果评价应包括创新性、先进性、实用性、教育效益等几个方面，同时指出了在评估时应注意的问题。     

基于XML的信息模型的研究

深入研究信息交换平台的信息描述,提出了基于XML的开放信息模型(OIM),对信息进行统一的描述,使信息可以跨平台发布.OIM的研究目标为信息模型的设计及其在信息交换平台里的实现.主要功能包括:信息交换系统的基本结构、体系结构和信息模型,PowerGate系统的部署及层次结构,SQL语句的定义、发布、接收和浏览过程,数据采集,XML文档的处理等.该方案具备良好的封装性、松散耦合性、可扩展性、可靠性和见效及时等特点,该系统的实施将会使得信息应用系统具有更好的互操作性、开放性,实现了分布式的数据查询与交换功能,较有效地解决了信息孤岛问题.     

旅游非优区开发策略

讨论了旅游非优区的概念和开发非优区旅游资源的意义 ,从资源区位、经济区位、客源区位、交通区位、文化区位、认知区位等角度分析了旅游非优区的区位特征 ;从驱动机制的角度提出了旅游非优区开发的驱动方式可分为资源突变驱动、经济增长驱动、交通发展驱动、消费市场驱动、观念更新驱动、政策改革驱动 ;并就非优区旅游开发战略定位、空间开发战略、时间开发战略、产品开发战略、服务设施战略和创新战略诸方面提出了决策思路 ,强调旅游非优区旅游业的发展必须确定科学可行的发展战略 ,不能因为开发其“非优”的旅游资源而一哄而上 ,搞“政绩工程” ,从而干扰甚至影响其主导产业的发展 .     

两圆锥相接平面的定位计算及其应用

用自动绘图机绘制接口为平面曲线的两圆锥表面展开图,先要准确计算接口平面的位置,再按接口展开的曲线方程,编制两圆锥相交后的表面展开的绘图程序。本文探讨了不同锥度的两圆锥相接平面的定位计算,得出了两圆锥相接平面的定位计算公式。最后,应用本文所推导的公式,简化和论证了有关圆锥相接的若干作图方法。     

多梯度流域变换算法与传统算法比较

流域变换是图像分割的有力工具，流域分割方法的性能主要依赖于图像梯度。文中利用传统单尺度梯度算子流域分割算法和多尺度形态梯度流域变换算法，分别作用于计算机视觉细胞图像和水果图像，结果显示传统分割算法和多尺度算子流域分割算法在不同的图像中显示出各自的优越性，第一种算法更适合于交叠区域不是很多，但质地不必十分均匀的图像；第二种则更适合于交叠区域较多，质地较均匀的图像。     

圆管弯道内部流动数值模拟及湍流模式比较研究

运用有限体积法数值离散雷诺平均的Navier-Stokes方程,对90°大曲率圆形截面弯管内的湍流流动进行了计算模拟(其中雷诺应力分别采用标准k-ε模型、RNG k-ε模型、Realizable k-ε模型进行封闭),并将计算结果与实验资料进行了比较.结果表明,RNG k-ε湍流模型结合双层壁面区域处理方法能够较为准确地模拟大曲率管道中的流动现象.     

基于FIB和TEM的纳米材料中界面分层破坏的实验方法研究与应用

本文针对三维尺寸均处于纳米量级的材料与结构中常见的界面分层破坏问题,利用聚焦离子束技术(FIB)和透射电子显微镜(TEM)开发设计了一套研究纳米材料中界面端部裂纹启裂行为的实验方法.采用FIB成功从宏观多层薄膜材料(硅/铜/氮化硅,Si/Cu/SiN)中切割制备出了由硅基体(Si)和200 nm厚铜薄膜(Cu)及1000 nm厚氮化硅层(SiN)构成的纳米悬臂梁试样.利用高精度微小材料加载装置,在TEM中对该试样进行加载实验,并原位观测了不同试样中Cu/Si界面端部裂纹启裂的行为.通过对启裂瞬时Cu/Si界面上临界应力分布的有限元分析发现,不同尺寸试样中的界面上法向应力与剪切应力均集中在距界面端部100 nm的范围内,且临界法向应力远大于剪切应力.对应力分布的进一步分析则发现,距界面端部5 nm区域内的法向应力场控制着Cu/Si界面的分层破坏过程,可用于表征界面分层破坏的局部控制准则.