高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。     

流动注射化学发光法检测甲醛含量的研究

甲醛能与氨基硫脲反应,从而抑制鲁米诺—氨基硫脲-Au(Ⅲ)体系的化学发光.在优化的条件下,甲醛加入量在0.2～15μg范围与发光强度呈良好的线性关系,方法的检测限为0.1 μg.方法可用于密胺餐具浸泡液中甲醛含量的检测.     

蓝宝石基片上制备大面积Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

在2英寸双面蓝宝石基片上采用CeO₂作为缓冲层制备了高质量Tl₂Ba₂CaCu₂O₈(Tl-2212)超导薄膜.以金属铈作为溅射靶材,采用射频磁控反应溅射法生长了c轴织构的CeO₂缓冲薄膜,并研究了不同生长条件对于CeO₂缓冲层的晶体结构及表面形貌的影响.超导薄膜采用直流磁控溅射和后热处理的方法制备.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,超     

直流调速系统的模型参考自适应控制

在某些场合下,利用常规PD控制方法,直流调速系统得不到满意的结果.提出了一种新的模型参考自适应控制方案,并应用到直流调速系统中.分析了系统和参考模型的结构,确定了适应结构的参数,并利用MATLAB对其进行了仿真验证.     

A new model analysis of the third harmonic voltage in inductive measurement for critical current density of superconducting films

The critical current density J c is one of the most important parameters of high temperature superconducting films in superconducting applications,such as superconducting filter and superconducting Josephson devices.This paper presents a new model to describe inhomogeneous current distribution throughout the thickness of superconducting films applying magnetic field by solving the differential equation derived from Maxwell equation and the second London equation.Using this model,it accurately calculates the inductive third-harmonic voltage when the film applying magnetic field with the inductive measurement for J c.The theoretic curve is consistent with the experimental results about measuring superconducting film,especially when the third-harmonic voltage just exceeds zero.The J c value of superconducting films determined by the inductive method is also compared with results measured by four-probe transport method.The agreements between inductive method and transport method are very good.     

西霞院10号水轮发电机组上套管漏油处理

本文着重介绍西霞院10号水轮发电机组上套管漏油处理发现的问题及在检修过程的处理方法。     

龙口一号水轮发电机组A级检修机械部分发现的问题及处理方法

本文着重介绍三门峡黄河明珠水利水电建设有限公司承担龙口一号水电机组A级大修中机械部分发现的问题及在检修过程的处理方法。     

约瑟夫森结在射频辐照下的亚谐波台阶仿真研究

利用PSp ice软件,采用电路仿真的方法深入研究了约瑟夫森结在射频辐照下的I-V特性,观察到了亚谐波台阶的存在,得出了台阶高度与射频电流幅度的关系,结果对于约瑟夫森结在电压标准和射频检测等方面的应用有重要的参考价值。     

利用一种改进模型研究谐振器耦合时的约瑟夫森结的响应

提出了一种改进的谐振器耦合时的约瑟夫森结模型,模型考虑了结与谐振器之间的耦合强度。利用这种模型,研究了谐振器耦合时的约瑟夫森结的响应,包括单结的电压自锁定和结阵列的相位互锁定现象。研究了耦合强度、谐振器的品质因数和谐振频率对电压自锁定的影响,并给出了合理的解释。此外,还对结阵列的相位互锁定强度对锁定电压和结数量的依赖关系进行了研究,并与理论值进行了比较。所得结果对谐振器耦合下的约瑟夫森结的应用具有指导意义。