在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ／CeO2缓冲层和带有CeO2／YSZ／CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况．基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的，Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法．XRD实验结果表明，Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构，并具有双向外延生长特性．在CeO2／YSZ／CeO2／Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102．8K，Jc（77K，0T）达到2．6MA／cm^2；在YSZ／CeO2／Ni基带上薄膜的Tc可达97．7K，Jc（77K，0T）也可以达到0．45MA／cm^2．     

约瑟夫森结在射频辐照下的亚谐波台阶仿真研究

利用PSp ice软件,采用电路仿真的方法深入研究了约瑟夫森结在射频辐照下的I-V特性,观察到了亚谐波台阶的存在,得出了台阶高度与射频电流幅度的关系,结果对于约瑟夫森结在电压标准和射频检测等方面的应用有重要的参考价值。     

海洋地震工程流固耦合问题统一计算框架——不规则界面情形

海底地震动场及海洋声场的模拟中,需要考虑复杂海床介质及海底地形的影响,涉及到海水、饱和海床、弹性基岩之间的相互耦合.传统的方法分别采用声波方程描述理想流体、Biot方程描述饱和海床、弹性波方程描述基岩,分别进行空间离散和界面耦合,十分不便.本文基于理想流体、固体分别为饱和多孔介质的特殊情形(孔隙率分别为1和0),由饱和多孔介质的Biot方程可退化得到理想流体的声波方程和固体的弹性波方程.然后,以饱和多孔介质方程为基础,经集中质量有限元离散,严格考虑不同孔隙率的饱和多孔介质在不规则界面的耦合条件,通过求解法向和切向界面力的途径,建立了不同孔隙率的饱和多孔介质耦合情形的求解方法,将流体、固体、饱和多孔介质间的耦合问题纳入到统一计算框架,并编制了相应的三维并行分析程序.考虑海水–弹性基岩、海水–饱和海床–弹性基岩体系中凹陷地形情形,采用本文提出的统一计算框架,结合透射边界条件,分析了P波入射时的动力反应,并通过结果是否满足界面条件,验证了该统一计算框架的有效性以及并行计算的可行性.     

海洋地震工程流固耦合问题统一计算框架——————不规则界面情形

海底地震动场及海洋声场的模拟中,需要考虑复杂海床介质及海底地形的影响,涉及到海水、饱和海床、弹性基岩之间的相互耦合.传统的方法分别采用声波方程描述理想流体、Biot方程描述饱和海床、弹性波方程描述基岩,分别进行空间离散和界面耦合, 十分不便.本文基于理想流体、固体分别为饱和多孔介质的特殊情形(孔隙率分别为1和0),由饱和多孔介质的Biot方程可退化得到理想流体的声波方程和固体的弹性波方程.然后, 以饱和多孔介质方程为基础, 经集中质量有限元离散,严格考虑不同孔隙率的饱和多孔介质在不规则界面的耦合条件,通过求解法向和切向界面力的途径,建立了不同孔隙率的饱和多孔介质耦合情形的求解方法,将流体、固体、饱和多孔介质间的耦合问题纳入到统一计算框架,并编制了相应的三维并行分析程序.考虑海水--弹性基岩、海水--饱和海床--弹性基岩体系中凹陷地形情形,采用本文提出的统一计算框架, 结合透射边界条件,分析了P波入射时的动力反应, 并通过结果是否满足界面条件,验证了该统一计算框架的有效性以及并行计算的可行性.      

六方晶系Brillouin散射的旋转对称性

指出六方晶系Ｂｒｉｌｏｕｉｎ散射具有围绕晶体六次轴的任意旋转对称性,给出该晶系含体积元转动贡献的散射张量的简洁形式,讨论了压电效应对这种旋转对称性的影响。     

高稳定性Tl2Ba2CaCu2Ox薄膜DC-SQUID

与YBCO薄膜相比,Tl2Ba2CaCu2Ox薄膜具有更高的Tc和更好的抗湿性能,所以Tl2Ba2CaCu2Ox薄膜器件不仅在液氮温度下具有更好的稳定性,而且在室温下具有更长的存放寿命.我们用磁控溅射的方法分别在24°和36.8°的STO双晶衬底上外延出Tl2Ba2CaCu2Ox薄膜并制备成晶界结DC-SQUID,比较了二者由于晶界夹角不同而产生的性能差异,并给出可工作在95K的DC-SQUID干涉曲线;对工作在77K的Tl2Ba2CaCu2Ox和YBCO薄膜双晶DC-SQUID,比较了二者在噪声特性及临界电流和结电阻随温度变化等特性,并对结果作了讨论.     

蓝宝石基片上制备大面积Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

在2英寸双面蓝宝石基片上采用CeO₂作为缓冲层制备了高质量Tl₂Ba₂CaCu₂O₈(Tl-2212)超导薄膜.以金属铈作为溅射靶材,采用射频磁控反应溅射法生长了c轴织构的CeO₂缓冲薄膜,并研究了不同生长条件对于CeO₂缓冲层的晶体结构及表面形貌的影响.超导薄膜采用直流磁控溅射和后热处理的方法制备.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,超     

Growth of TlBa_2Ca_2Cu_3O_9 Epitaxial Thin Films by Two-Step Method in Argon

TlBa_2 Ca_2 Cu_3 O_9(Tl-1223) films have promising applications due to their high critical temperature and strong magnetic flux pinning. Nevertheless, the preparation of pure phase Tl-1223 film is still a challenge. We successfully fabricate Tl-1223 thin films on LaAlO_3(001) substrates using dc magnetic sputtering and a post annealing two-step method in argon atmosphere. The crystallization temperature of Tl-1223 films in argon is reduced by 100℃ compared to that in oxygen. This greatly reduces the volatilization of Tl and improves the surface morphology of films. The lower annealing temperature can effectively improve the repeatability of the Tl-1223 film preparation. In addition, pure Tl-1223 phase can be obtained in a broad temperature zone,from 790℃ to 830℃. In our study, the films show homogenous and dense surface morphology using the presented method. The best critical temperature of Tl-1223 films is characterized to be 110 K, and the critical current J_c(77 K, 0 T) is up to 2.13 × 106 A/cm~2.     

本征约瑟夫森结阵列的PSpice模型及混沌行为研究

建立了电容耦合本征约瑟夫森结阵列在电路仿真软件PSpice中的模型，利用这个模型对恒定电流驱动下的本征约瑟夫森结阵列进行了仿真研究.通过与不存在电容耦合的本征约瑟夫森结的时域波形、频谱、分维和相图等结果的对比，发现了本征约瑟夫森结阵列中的混沌行为.这一发现对于本征约瑟夫森结的理论和应用研究有重要的意义.