浅论西方建筑入口形式的历史风格

按时间和地区的顺序，举例阐述了西方建筑入口形式的主要历史风格，并简要分析其结构技术背景及相互间的历史关系．指出西方古代建筑入口乃至整个建筑造型的风格形式在文艺复兴之前、功能相对稳定的情况下主要取决于所采用的建筑材料、建造技术和制作工艺．而自文艺复兴盛期开始，建筑形式就常与建筑本身的功能、结构脱离，渐渐走向了集仿各种既有样式的折衷主义道路．     

沙冬青成熟胚囊助细胞的超微结构观察

本文对沙冬青（Ａｍｍｏｐｉｐｔａｎｔｈｕｓｍｏｎｇｏｌｉｃｕｓ）成熟胚囊助细胞的超微结构进行了观察，结果如下：１）开花前一天助细胞珠孔端有明显的丝状器，并在其附近的细胞质中有许多管状内质网，核位于珠孔端，细胞器主要集中在核周围和合点端细胞质中，两助细胞超微结构一致。２）开花当天，助细胞合点端细胞壁消失，近珠柄侧的助细胞中细胞器变得稀少，内质网膜和质体膜变得模糊不清，而远珠柄例的助细胞中细胞器发达，此时，两助细胞在超微结构上显示出明显的差异，表明与其功能、退化和花粉管进入有关。     

感应钢包炉电磁场和工作特性的数值分析

提出了感应钢包炉的等效电路以及感应钢包炉的漏磁场、空载磁场和负载磁场的数学模型，利用有限元法作了计算，进而给出了等效电路参数及工作特性的算法。     

不同Ti/Ba比钛酸钡纳米粉体及其陶瓷的制备和介电性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了不同Ti/Ba比的钛酸钡纳米粉体及其陶瓷。通过XRD、SEM和TEM对钛酸钡粉体及陶瓷进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能,研究了Ti/Ba比对陶瓷微观结构和介电性能的影响。结果表明:通过溶胶-凝胶工艺制备的纳米粉体主要为立方相钛酸钡,平均粒径约19~33 nm:随Ti/Ba比的增加,钛酸钡纳米粉体平均粒径呈先稍递减后增大的趋势,当粉体平均粒径大于30 nm吋,四方相在混合相中所占比例逐渐增大;Ti/Ba=1.01~1.03时,陶瓷中异常长大的晶粒较多,室温介电常数降低;1300℃烧结2 h的Ti/Ba=1.04的钛酸钡陶瓷具有较好的介电性能。     

反相高效液相色谱法测定血中布洛芬含量

布洛芬[2-(4异丁基苯基)丙酸]为临床上广泛使用的抗炎、抗风湿药。目前国内正在研制该药的控释剂型,以期克服普通片,药效短、服用剂量大等缺点。建立血中布洛芬的分析方法目的是评价各种不同剂型在人体内的差异,籍此作为选择合适的控释剂型的依据。同时,该法亦可用于临床的血药浓度监测。     

计算机前沿技术特色科普基地的建设与发展思考——以甘肃省计算中心为例

以甘肃省计算中心建设的计算机前沿技术科普基地为例,探讨基地的建设思路及发展途径。作为面向社会提供公益服务的计算机类事业单位如何定位和发挥科普基地的作用和意义,如何将专业领域的计算机前沿技术知识以生动活泼、丰富有趣、大众通俗易懂的方式进行传递和科普,以及如何协同其他科普机构共同做好科普工作进行了探讨与思考。     

PTCR纳米陶瓷粉及其烧结体的制备

The PTCR(positive temperature coefficient of resistance) nanosized ceramic powder was prepared by Sol-Gel process and characterized by XRD, DSC, SEM and BET techniques. The results showed that the nanopowder has an average crystallite size of 35nm with sphere-shaped, whose specific surface area is 27.80m²·g^-1 and the crystal structure is abnormal cubical perovskite phase at room temperature. In addition, the nanopowder was pressed into pellets and then sintered according to improved technique which was built based on the data of thermal analysis of the PTCR green-compact to yield PTCR ceramic materials with peculiar microstructure and higher properties, which has a resistivity at room temperature of ～20Ω·cm, a temperature coefficient of resistivity of ～19%·℃^-1, a withstand voltage intensity of >160V·mm^-1 and a resistivity jump of >10⁵.     

硅基GHz高速电光调制器研究进展

硅基高速电光调制器是新一代密集波分复用系统和光时分复用系统中的关键光电子器件，他的运用可以降低光通讯系统的制作成本并且大大有利于未来的硅基光电集成．目前国际上已经实现的硅基高速电光调制器件的调制速率已经超过6GHz．文章对国外硅基高速电光调制器的最新研究进展进行了介绍，评述了各种基于不同电学和光学结构的硅基电光调制器，对不同类型器件在制作和应用中的优缺点进行了比较．     

弥散体相关散射的体-面平均直径D_(32)的检测

本文应用分层模型处理较高浓度的弥散体产生的相关散射。计算各层满足单散射条件时的相函数,求得散射几率函数,利用它再计算前向散射的光能分布;对于较大微粒,按衍射理论计算,建立多重散射模型,应用迭代法计算多重散射的光能量分布;测量了不同浓度的玻璃微珠产生的散射光能量功率谱,将其与模拟计算值作比较,并以上限公布函数作有约束的优化处理,计算了D_(32)。文中用图像分析系统对样品作出二值化图,把统计数据与测量结果作了比较。