远紫外光子计数成像探测器的感应电荷读出方法

为了满足空间远紫外波段成像高空间分辨率和高计数率的探测需求,阐述了光子计数成像探测器的感应电荷读出方法,用于对地球电离层进行远紫外波段遥感探测的成像光谱仪.研究了具有成形网路的电荷灵敏放大器各参数间的关系,从理论上分析了电荷灵敏放大器的上升时间及成形网络的成形时间常数对电荷读出噪声和探测系统计数率的影响,并建立了它们之间的定量关系.提出了电荷读出网络参数的设计和选取原则,并采用适合空间环境的分立电子元件研制出基于楔条形阳极光子计数式成像探测器的电荷读出电路.实验结果表明,所设计的感应电荷读取链路在成形时间为500 ns时链路等效输入噪声电荷约为230 e,电荷灵敏放大器上升时间小于8 ns,与建立的模型计算值有较好的一致性.在入射光强计数率86.2 kcps条件下,所测图像的空间分辨率达到7.13 lp/mm,满足空间远紫外波段成像光谱仪的使用要求.     

钙和碳变质对AZ91D显微组织与性能的影响

镁合金的晶粒细化对于材质的金相组织和力学性能起着决定性作用.本课题通过在AZ91D中加入Ca和C2Cl6晶粒细化剂,分别研究了Ca,C对AZ91D组织以及力学性能的影响.利用熔剂保护法,制备了AZ91D标准拉伸试样,经过T4,T6处理后,采用金相显微镜(Olympus)、扫面电镜(SEM)和能谱分析仪(EDAX)对制备的试样进行了显微组织、断口形貌及成分进行了观察与分析,并测试了抗拉强度和布氏硬度.试验结果表明:经过显微组织和断口形貌观察,加入细化剂后形成Al4C3,有效的抑制了晶粒的长大,使晶粒得到细化,当Ca和C2Cl6复合应用时,使得AZ91D的晶粒细化更加明显,力学性能得到提高,抗拉强度最高达到216N/mm2,布氏硬度值达到60HB.     

表面特征与软X射线掠入射光学散射

介绍了短波段掠入射表面散射线性模型,并且根据这个理论,分析计算了不同的表面特征对软X射线掠入射光学散射特性的影响。实验发现:随着粗糙度的增加、自相关长度的减小,软X射线掠入射光学散射越来越严重。     

导数的一些应用

根据我們領导学生数学小組的經驗,利用导数来研究中学課程中一些已知的事实,引起了学生們很大的兴趣。让我們来举一些几何学方面的例子。在导出了整数指数冪的求导数公式以后,我們就可以对比下列已知公式: K=πR~2,c=2πR; V_(圆柱)=πR~2H,S_侧=2πRH; V_球=4/3πR~3,S_(球面)=4πR~2。学生們不难发現,在右边一列中半径R的函数,是从左边一列中相应的函数进行微分而得到的。下面,我們只須說明这些公式之間发生联系的原因。我們仅仅指出关于圓的公式K=πR~2与c=2πR之間发生这种联系的原因(对于圓柱体和球的討論是类似的)。     

解多维逆双曲问题的直接方法

双曲方程的逆问题（IPHE）是指由双曲方程（或方程组）的解的附加信息确定方程（或方程组）的系数，它出现在许多实际应用问题中，具有重要意义。特别是这类问题中有许多可以归结为Volterra算子方程，因而有可能将Volterra算子方程的理论结果和数值方法扩充到逆双曲问题。另外，这类问题的研究也有助于某些椭圆和抛物方程的逆问题的解决。本书着重讨论双曲方程的逆问题，并以动态型逆问题的直接方法为主，这也是当前文献中涉及较多的方面。     

皂角的播种育苗栽培技术

皂角，又称皂荚，学名：Glek：sinensislam[G．macrscsnthaDest；G．officinal sHe—msl]，苏木科，皂荚属，落叶乔木，高达30m，寿命长，可达600—700年；树冠广阔，荫浓，可作庭院荫树及环境绿化用树，是观赏和“四旁”绿化的优良树种：耐烟尘，也可选作工厂抗污染树种。经多年引种栽培实验，该物种在本地可作为主栽树种大规模栽培，以丰富我市的绿化植物品种。为此我园林科研所从2003年开始皂角播种育苗栽培。     

优化氰戊菊酯气相色谱检测条件的研究

应用计算机拟合技术进行了氰戊菊酯的毛细管气相色谱检测条件的设计与优化的研究,建立了相关的数学模型。成功地求出了柱温252℃、压力17Pa时能够满足出峰时间快、峰型好的气相色谱检测条件。文章提出的检测手段和方法与传统方法对比,具有即可减少实验次数,又可一次就准确地找到最佳检测条件的优点,而且拟合技术的处理过程全部通过计算机进行处理,比传统的处理方法简便,并且在其他类型样本的色谱检测条件的优化上有广泛的应用价值。     

5，8-二呋喃基萘基喹喔啉与对苯撑乙炔交替共聚物的合成及其性能

利用Stille耦合反应合成了新型单体5,8-二呋喃基萘基喹喔啉,溴化后与不同长链烷氧基侧链的对苯撑乙炔共聚,合成了聚[2,5-二（辛氧基）-1,4苯撑乙炔撑-5,8-二（呋喃基）萘基喹喔啉]（PⅠ）和聚[2,5-二（十二烷氧基）-1,4-苯撑乙炔撑-5,8-二（呋喃基）萘基喹喔啉]（PⅡ）。通过FT—IR、1H—NMR等手段对单体和共聚物的结构进行了表征,采用紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱和循环伏安法对聚合物的光、电性能进行了探讨。结果表明：单体和共聚物PⅠ、PⅡ在长波处的紫外-可见吸收峰分别为435、418、423nm,相应的荧光发射峰分别为551、589、579nm。2种共聚物均在1．54V处出现氧化峰,无相应的还原峰。     

同步辐射掠出射X射线荧光分析薄膜膜厚

掠射X射线荧光分析为薄层和多层膜特性分析提供了潜在的可能. 尤其是可以探测膜层厚度、界面形貌和组成. 以北京同步辐射光源作激发光源, 采用掠出射方法测试了Si基片上不同厚度的单层Cr膜样品, 测试结果与理论计算基本符合. 同时观察到一定厚度的薄膜样品产生的掠出射X射线荧光的干涉现象.