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91.
单级式行星齿轮机构的矢量图画法,如图1:
S代表太阳轮转速,位于最下端。
R代表内齿圈转速,位于最上端。 相似文献
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本文首先利用正交试验确定了液相沉淀法合成纳米AgO粉体的最佳制备条件。接着研究了最佳条件下制备的纳米AgO粉体的性能。UV—vis DRS分析结果表明,反射率随着AgO含量的增加而降低,高纯度AgO在400nm-1100nm波长范围内具有较强的吸收能力。TG—DTG分析结果表明,在N2气氛下,AgO热分解为Ag2O。的温度范围为100℃—200℃,Ag2O热分解为Ag的温度范围为400℃-450℃。 相似文献
93.
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尹慧琼 《江西科技师范学院学报》2010,(Z1)
83年前,因为八一起义,南昌成为了名震海内外的英雄城.80多年间,八一起义孕育的八一精神已深深地融入到了这座英雄城中,成为这座城市生存和发展的精神支柱.如今,在南昌经济快速崛起的新时代,我们更应当大力弘扬八一精神,精心打造八一文化,使之为建设现代文明英雄城市提供强大的精神力量和思想基础. 相似文献
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97.
98.
Synchronization of different chaotic systems via active radial basis functions sliding mode controller
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This paper presents a new method to synchronize different chaotic systems with disturbances via an active radial basis function (RBF) sliding controller. This method incorporates the advantages of active control, neural network and sliding mode control. The main part of the controller is given based on the output of the RBF neural networks and the weights of these single layer networks are tuned on-line based on the sliding mode reaching law. Only several radial basis functions are required for this controller which takes the sliding mode variable as the only input. The proposed controller can make the synchronization error converge to zero quickly and can overcome external disturbances. Analysis of the stability for the controller is carried out based on the Lyapunov stability theorem. Finally, five examples are given to illustrate the robustness and effectiveness of the proposed synchronization control strategy. 相似文献
99.
Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
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This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature (HT) A1N layer and a low-temperature (LT) A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer. 相似文献
100.
用快速冷凝技术制备了一种铝-锂合金的微细粉末,粉末体经冷压、真空去气、真空热压致密化,之后在400℃挤压成材。研究了这种合金在不同热处理条件下的显微组织和力学性能。与成份相近但用铸锭冶金方法制备的铝-锂合金相比,快速冷凝-粉末冶金方法制备的铝-锂合金,其硬度、强度较高,但塑性偏低。文章讨论了塑性偏低的原因以及改善合金塑韧性的可能途径。 相似文献