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102.
深度脑刺激(DBS)是治疗帕金森症和癫痫等神经疾病的有效方法之一.针对其开环控制的缺点,以MorrisLecar神经元为节点模拟病态同步神经元网络,提出了基于H∞变论域模糊的DBS闭环控制方法,实现了神经元网络的精确去同步控制.采用变论域模糊逼近神经元非线性动态和H∞抑制逼近误差,利用李雅普诺夫稳定性理论证明控制算法的稳定性并进行了仿真分析.仿真结果验证了所提方案的有效性及鲁棒性,该方法可作为由病态同步引起的神经疾病的一种潜在电刺激治疗方案. 相似文献
103.
大比例尺基础地形图数据生产流程研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文基于笔者多年从事地理信息系统建设的相关工作经验,以1∶5000基础地形图数据生产为研究范例,探讨了大比例尺基础地形图的数据生产流程,为叙述方便,笔者选择曾经参与的某项目中某县地形图数据生产为例开展研究,全文既是来自于笔者工作实践的技术总结,同时,笔者通过参阅大量相关文献将其提升到一定理论高度,高屋建瓴地探讨了大比例尺地形图建设的相关知识,相信本文的研究对从事相关工作的同行有着重要的参考价值和借鉴意义。 相似文献
104.
105.
分析了大学校园危机防范与应对中普遍存在的问题,即大学生危机意识不强,高校危机应对措施难以到位,高校危机管理保障难以长效。大学校园危机防范,应当建立校园危机防范和预警机制,厘清校园危机类型理性应对,实施校园危机处理全过程联动应对等策略。 相似文献
107.
Synchronization of different chaotic systems via active radial basis functions sliding mode controller
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This paper presents a new method to synchronize different chaotic systems with disturbances via an active radial basis function (RBF) sliding controller. This method incorporates the advantages of active control, neural network and sliding mode control. The main part of the controller is given based on the output of the RBF neural networks and the weights of these single layer networks are tuned on-line based on the sliding mode reaching law. Only several radial basis functions are required for this controller which takes the sliding mode variable as the only input. The proposed controller can make the synchronization error converge to zero quickly and can overcome external disturbances. Analysis of the stability for the controller is carried out based on the Lyapunov stability theorem. Finally, five examples are given to illustrate the robustness and effectiveness of the proposed synchronization control strategy. 相似文献
108.
Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
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This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature (HT) A1N layer and a low-temperature (LT) A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer. 相似文献
109.
110.
用快速冷凝技术制备了一种铝-锂合金的微细粉末,粉末体经冷压、真空去气、真空热压致密化,之后在400℃挤压成材。研究了这种合金在不同热处理条件下的显微组织和力学性能。与成份相近但用铸锭冶金方法制备的铝-锂合金相比,快速冷凝-粉末冶金方法制备的铝-锂合金,其硬度、强度较高,但塑性偏低。文章讨论了塑性偏低的原因以及改善合金塑韧性的可能途径。 相似文献