甘氨酸燃烧合成多元掺杂YSZ电解质材料

为提高YSZ固体电解质材料的电性能,采用甘氨酸-硝酸盐液相燃烧法制备了Sc~(3 )(Dy~(3 ))和Yb~(3 )复合掺杂的YSZ材料.复合掺杂剂的加入使材料保持稳定的立方结构,且增大了样品晶格常数和氧空位迁移半径R值.试样电导率得到提高,1000℃电导率达0.15S/cm.显微结构分析表明,复合添加剂促进了ZrO_2晶粒的生长,晶粒间存在明显的第二相组分,限制了电导率的进一步提高.继续添加Al~(3 )、Ca~(2 )明显改善了晶界状况,晶界处较为洁净,但试样高温电导率略有降低.     

薄膜厚度的电子探针测定技术

0 前言Yakowitz-Newbury模型是用抛物线——指数曲线近似地代替x射线产生强度φ((?)z)曲线,如图1。这条曲线由(0,φ_0)开始,沿抛物线通过其极值点(h,k)到(1.5h,0.25[φ_0 3k]),再由此点沿指数曲线到(ρz_r,0.25[φ_0 3k]exp[-2])为止。该曲线的函数表达式为     

我国房地产法律体系建设问题探讨

目前我国房地产法律体系建设存在杂乱现象,国内理论界也没有形成统一认识。本文在分析我国房地产法律体系建设现状、存在问题的基础上,提出了我国房地产法律体系建设的基本思路。     

氧存在下钙钛矿LaCoO3硫化过程的XPS研究

 采用XPS,XRD和TEM对含氧气氛下钙钛矿LaCoO3硫化活化过程中不同阶段的催化剂进行了表征分析．在硫化初期,经SO2预中毒后,吸附氧种不存在,Co2p3／2结合能发生明显的位移,La3d的XPS双峰变得不明显,同时出现不稳态的S4＋物种,表明催化剂LaCoO3被SO2的强吸附所覆盖;催化剂LaCoO3仍为钙钛结构并没有新的物相产生,SO2中毒仅在催化剂表面进行．在进一步的硫化活化过程中,出现吸附氧物种,Co出现三种价态,分别对应于LaCoO3,Co3O4和CoSO4,La3d的XPS双峰变得特别明显,同时催化剂表面出现S2－物种和S6＋物种．可以认为,在含氧气氛下硫化LaCoO3的过程中,SO2预中毒为进一步硫化提供硫物种,吸附氧物种保证硫化过程中钙钛矿结构不会被完全破坏．     

沸腾炉中宽筛分物料的分层流化

临界流化速度是流化床技术中非常重要的参数之一,对评价床层流化特性,床内传热、床内化学反应进程有重要意义。沸腾炉是流化床技术的一个重要分枝,其主要特点为床料粒度分布很宽,传统的临界流化速度概念不适用。本文基于实验室研究及理论分析提出沸腾炉中分层流化的概念,并提出沿床高粒度分布及床层压降与空截面流速关系的计算式。     

多域特征融合的换脸视频检测算法

现有基于深度学习网络的换脸视频检测算法大多存在跨库检测性能较弱和泛化性能不足的问题。文章融合空域、频域和时域的图像特征信息,提出一种基于多域特征融合的换脸视频检测算法。采用多路卷积特征提取网络分别提取空域颜色通道特征、频域离散傅里叶变换特征以及时域光流特征,并引入通道注意力机制对各支路特征进行优化和有效融合。所提算法在4个公开数据库上进行了实验,与现有同类方法相比,在保持良好库内检测性能的同时,显著提升了跨库检测性能,表现出更为稳定的泛化性能。     

具有双重检测机制的图像篡改检测算法

针对单一基于相关性的图像篡改检测算法难以同时解决虚警和漏检的缺陷,提出一种具有双重检测机制的图像篡改检测算法——第一重检测利用待测图像各区域的相机指纹是否与参考相机的指纹具有相关性来确定疑似篡改图像块;第二重检测从疑似篡改图像块中抽取特征,送到训练好的支持向量机(SVM),由基于图像特征的SVM对其分类,把误判块和真实篡改块区分开来.实验结果表明,该算法优于经典的单一基于相机指纹相关性的篡改检测算法.     

联合SIFT特征点和CS-LBP特征描述子的复制粘贴篡改检测

针对现有数字图像复制-粘贴篡改检测中尺度不变特征变换(Scale Invariant Feature Transform,简称SIFT)算法计算复杂度高的问题,文章提出一种将SIFT特征点和中心对称局部二进制模式(Center Symmet-ric-Local Binary Pattern,简称CS-LBP)描述子相结合的篡改检测方法。首先提取SIFT关键点,再对每个关键点生成CS-LBP特征描述子,并利用K-D(k-dimensional)树和BBF(Best-Bin-First)搜索算法寻找符合特征匹配关系的匹配点对,判断是否存在图像区域的篡改。实验表明,与同类算法相比,所提出算法在不损失检测精度的同时有效地减少了运算量。     

铌酸锂晶体铁电畴电极化反转结构的ESEM观察

采用电脉冲极化方法制作出周期性反转电畴微结构.利用热腐蚀法制备出用于环境扫描电镜(ESEM)研究反转电畴结构的样品.通过ESEM的观察与分析,在光栅电极下方,铁电畴发生了极化反转,反转区域在y方向上有所扩展,在Z方向逐渐变窄,没能贯穿整个晶片.通过控制光栅电极的纵宽比和电压脉冲的参数,可以在晶片的表面或一定深度得到占空比为1:1的正、负铁电畴交替排列的结构,达到准相位配的目的.观测到竹叶状二次电子图像衬度,它是由制样过程中局部产生应力造成的,这说明利用ESEM可以研究压电材料中的电荷分布.