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991.
以patch-match为核心的算法在双目立体重建中有着广泛应用,因其具有低内存消耗、重建精度高等优良性能;然而,传统patch-match算法需要有序地对图像中的每一个像素点进行迭代求取最优视差值d,从而导致运行时间较高。为了解决该问题,在传统patch-match算法的基础上引入基于学习的模型作为指导来降低运行时间,提高立体重建精度。利用深度学习模型输出每个像素伴有异方差不确定度的初始视差图,异方差不确定度用于衡量网络模型所预测视差值的准确度;将异方差不确定度和初始视差作为patch-match算法的先验信息;在平面细化步骤中,利用每个像素点的异方差不确定度大小动态调整其搜索区间,实现减少运行时间的目标。在Middlebury数据集上,通过与原有算法比较可知,改进后的算法在运行时间上减少20%,同时,在不连续等区域上的重建精度得到略微提高。 相似文献
992.
993.
以双甘氨肽(Gly-Gly)为印迹分子,丙烯酰胺(AM)、二甲基丙烯酸乙二醇酯(EDMA)分别作为功能单体和交联剂,在低温条件下采用乳液聚合于水相中制备了双甘氨肽分子印迹聚合物微球(Gly-Gly-MIPMs)。通过静态、动态平衡吸附和薄层色谱(TLC)分离实验,研究了Gly-Gly-MIPMs的选择吸附性能,并进行了Scatchard模型分析。结果表明,Gly-Gly-MIPMs对Gly-Gly分子具有较好的特异性吸附,最大单位饱和吸附量0.428mmol/g,印迹因子2.19。 相似文献
994.
依据中药大黄的近红外光谱信息,采用最小二乘双胞胎支持向量机( LSTSVM)算法,通过MATLAB软件编程,建立参数可优化识别模型,实现了对中药大黄的真伪鉴别.将实验材料98个大黄样品随机划分为训练集和测试集,对于训练集60个样品采用留1/5法交叉验证优化模型参数,以所选最优化参数结合训练集样品的近红外光谱建立最优识别模型,对测试集的38个样品的真伪迸行识别,识别率可达97.4%.结果表明,LSTSVM算法是一种有效的识别方法,可依据中药大黄的近红外光谱对其真伪进行快速识别.同时,本研究将大黄样品6次随机划分为训练集和测试集,建模预测平均识别率为93.4%,表明采用LSTSVM算法建立识别模型具有较好的稳健性. 相似文献
995.
用固相反应法制备La4/5Sr1/5MnO3及在其A位分别掺K、Ag系列样品,通过X射线衍射(XRD)谱,电阻率-温度(ρ~T)曲线,磁电阻-温度(MR~T)曲线,研究了在A位同时掺入一价、二价元素而保持Mn3+/Mn4+比值(摩尔比n(A)/n(B))不变的钙钛矿锰氧化物体系A位离子半径及A位离子的无序度σ2对电输运性质及磁电阻的影响.结果表明:A位离子的无序度σ2对电输运性质的影响比A位平均离子半径对电输运性质的影响大;电阻率曲线出现双峰是由于表面相电阻率与体相电阻率竞争的结果;MR的温度稳定性是本征磁电阻与隧穿磁电阻竞争的结果;掺K样品在253~175K温区MR从8.1%缓慢上升到9.5%,掺Ag样品在260K以下温区MR都在7.4%以上,纯的La4/5Sr1/5MnO3样品在318~259K温区MR都在7.0%以上,在如此宽温区MR几乎不变有利于MR的实际应用. 相似文献
996.
采用模块化结构,设计了一种卷绕式螺旋形薄膜介质脉冲形成线,并且对绝缘材料、电极材料的选择依据进行了分析。基于模块化卷绕式脉冲形成线,研制的重复频率脉冲方波产生器采用4个开关同步触发四级形成线模块,从而实现多模块的电压串联叠加,以达到产生高压的目的。开关采用气体火花间隙开关,每级开关及充放电采用电感隔离。研制的脉冲产生器输出电压220 kV,脉冲宽度182 ns,前沿50 ns,可10 Hz重复频率稳定运行。 相似文献
997.
998.
2012年高考尘埃落定,江苏省高考数学试卷继续遵循了新课程高考方案的基本思想,试卷结构稳定,突出双基,重视能力,知识点广,容易上手,难度递增,区分明显,利于选拔,各种层次考生可以充分展现自己的真实能力.仔细研读江苏高考数学试题,感觉整个试卷风格比较平和,知识考查平中见奇,尤其 相似文献
999.
我从事珠心算教育工作十几年,在珠心算实验教学中,经历了从艰难摸索到不断提高创新两个阶段,并取得一定成绩。参与珠心算学习者大部分是低龄儿童,在教学活动中,教师应针对儿童特点设计教学,以寓教于乐的方式开展教学。如把有益的智力游戏、数字游戏 相似文献
1000.
ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算.得到了ZnO的能带和态密度曲线.研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1 eV处的宽度为1.1 eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9 eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值. 相似文献