混凝土外加剂及其应用

在配制混凝土时掺入少量的外加剂，能明显改善混凝土的性能并节约水泥，提高技术经济效益，因而受到国内外的普遍重视。本文介绍了几种常用的混凝土外加剂及其使用要求、生产质量规范和检验标准，旨在为混凝土外加剂的应用提供参考和借鉴。     

n型多孔硅的制备及其光致发光性能

采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n-PS);在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光性能(PL)的影响。研究结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600 nm处产生较强荧光峰;随腐蚀时间、HF含量和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移;PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20 min、HF含量为6%和电流密度为60 mA/cm2时峰强出现极大值;而提高掺杂含量,PL性能降低。     

附载CeO2的纳米γ-Al2O3合成及其悬浮液的分散稳定研究

以异丙醇铝和六水硝酸亚铈为铈源和铝源,采用溶胶-凝胶法制备了前驱体,并将前驱体在800℃下空气中焙烧2 h得到附载CeO2的高纯纳米γ-Al2O3.样品经X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、比表面积(BET)、化学成分和杂质含量分析,结果表明:合成的粉末为由γ-Al2O3和CeO2组成的混合物相,两者均属立方晶系,其中γ-Al2O3空间群为O7H-FD3M,CeO2空间群为Fm3m;晶粒平均粒径为15.7 nm,颗粒平均粒径约60～80 nm,粒子呈类球形,比表面积为159.01 m2·g-1;粒子纯度不低于99.97%,CeO2含量为24.22%.红外光谱(IR)测试结果显示,有Al-O-Ce键生成,表明CeO2与Al2O3并非简单混合.进一步通过对其悬浮液体系Zeta电位和吸光度的测定,研究了不同pH值条件、分散剂种类和用量以及氧化剂对其悬浮液分散稳定性的影响;采用超声波分散法,选择硝酸、氢氧化钾溶液作为pH调节剂,异丙醇胺作为分散剂,过氧化氢作为氧化剂,成功制备了长期存放不沉降的附载CeO2的纳米γ-Al2O3CMP浆料,确定了配制的优化工艺条件.     

Grain Growth Kinetics of BaTiO3 Nanocrystals During Calcining Process

以醋酸钡和钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法合成了纳米BaTiO3粉体;运用差示/热重、X射线衍射及透射电镜对前驱体凝胶和产物进行了表征,并根据XRD结果,研究了纳米BaTiO3的晶格常数、晶格畸变度和晶粒尺寸随焙烧温度及时间的变化。结果表明,焙烧温度与时间对纳米BaTiO3晶格常数的影响不明显;随焙烧温度或时间的延长,纳米BaTiO3的晶格畸变度减小,晶粒尺寸增大,但晶格畸变度和晶粒尺寸更敏感于焙烧温度. 基于扩散控制机理的传统模型探讨了焙烧过程纳米BaTiO3晶粒生长动力学,得出其晶粒生长指数为7,晶粒生长活化能为75.49 kJ/mol. 将基于扩散与反应共同控制机理的新型等温模型应用于本研究中,结果表明,新型等温模型更能真实地反映纳米BaTiO3焙烧过程中的晶粒生长行为,说明纳米BaTiO3晶粒生长过程同时受溶质扩散和表面反应控制,其藕合晶粒生长活化能为27.23 kJ/mol.     

利用X射线光荧光谱法研究BaO-Tio_2-B_2O_3-SiO_2玻璃体系中Ti的配位数

本文采用X射线荧光光谱法,对BaO-TiO_2-B_2O_3-SiO_2玻璃体系中Ti的配位数进行了研究,测得了TiKα谱线的线形方差,将其结果与具有不同配位数的标样相比较,得到了玻璃中Ti的配位数。实验结果表明:在BaO-TiO_2-B_2O_3-SiO_2玻璃体系中,Ti的配位数主要为四,这与X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱的结果完全一致。     

Al沉积n型多孔硅表面钝化及其发光性能

采用电化学沉积Al方法钝化用脉冲电化学腐蚀制备的n型多孔硅(n-type porous silicon,n-PS)表面以改善其发光性能和稳定性。通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)及在室温于500~700 nm范围内荧光光谱研究n-PS表面Al钝化后的表面结构、形貌及光致发光性能(PL),探讨Al在n-PS表面的钝化作用,并通过改变电压和时间研究钝化条件对PL性能的影响。研究结果表明:多孔硅经Al钝化后其表面结构显得更加致密均匀;与钝化前相比,其发光强度加强,约为钝化前的2倍,且分别在钝化电压为18 V及钝化时间为60 min或钝化电压为25 V及钝化时间为30 min左右时,其发光强度较高。     

钛钡硼硅酸盐玻璃结构的红外光谱研究

用红外吸收光谱系统研究了含钛钡硼硅酸盐玻璃的结构。     

BP人工神经网络在聚合物溶液体系活度预测中的应用

应用不同BP人工神经网络对不同聚合物溶液体系的活度进行了训练,共12个系统,613个数点,总的平均相对误差为0．0263,在采用相同BP人工神经网络对聚合物PS与不同溶剂溶液体系的活度进行试练时,总的平均相对误差为0．0212,而利用相同BP人工神经网络对同一聚合物不同溶剂溶液体系的活度进行预测时,总的平均相对误差为0．0484。     

Ag Deposition Forms and Uniformity on Porous Silicon by Electrochemical Method

采用电化学沉积Ag的方法对多孔硅表面进行钝化改善其发光性能,探讨了沉积电流密度大小与沉积Ag的形式以及多孔硅表面亲水性处理对沉积Ag均匀性的影响. 结果表明,改变沉积电流密度大小后出现了两个临界电流密度,即不发生Ag沉积和在PS表层形成Ag电镀,深入PS孔道内沉积Ag的电流密度范围为50～400 A/cm²;多孔硅表面亲水性处理对沉积Ag均匀性有积极作用,在相同的实验条件下,未经表面亲水性处理的疏水多孔硅表面沉积Ag不均匀,而经过SC-1溶液处理后的亲水多孔硅表面上沉积Ag分布较均匀. 进一步研究了均匀沉积Ag钝化处理对PS的光致发光强度和稳定性的影响,证明采用Ag钝化处理能有效地抑制发光强度的衰减;而过量的Ag沉积会使PS发生荧光猝灭现象.     

影响纳米CeO2沉淀法合成的工艺因素研究

以Ce(NO3)3·6H2O为铈源, (NH4)2CO3·H2O为沉淀剂, 加入少量表面活性剂作分散剂, 采用液相沉淀法成功合成了纳米CeO2. 研究了反应温度、反应时间、搅拌速率、表面活性剂种类及用量、焙烧温度和焙烧时间等因素对纳米CeO2晶粒尺寸和相对密度的影响, 得出优化工艺条件, 通过XRD, DTA/TG, TEM, BET比表面积、 N2等温吸附与脱附、 BJH脱附孔径分布及杂质含量分析等方法对合成产品性能进行了表征. 结果表明 采用浓度为0.1 mol·L-1的(NH4)2CO3·H2O溶液快速倒入浓度为0.1 mol·L-1 的Ce(NO3)3·6H2O溶液中以化学计量比进行反应, 同时加入0.4% (质量分数) PEG4000, 反应时间为10 min, 反应温度为40 ℃, 搅拌速率为800 r·min-1, 经水洗、醇洗、脱水和真空干燥后所得的前驱体于300 ℃的空气中焙烧1 h, 该条件下合成的CeO2属于立方晶系, 空间群为Fm3m, 原生晶粒粒径为5 nm左右, 颗粒粒径为20 nm以下, 比表面积达140.61 m2·g-1, 孔径分布为5～15 nm, 孔径峰值为9.3 nm, 纯度≥99.97%.