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用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜(a-C:H),对样品进行了伏安特性测试,考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响,并结合Raman谱探索a-C:H膜的导电机制。 相似文献
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使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy).红外吸收光谱的结果表明,a SiOxNy薄膜主要由Si O Si和Si N键的两相结构组成,在存在氧流量的情形下,薄膜主要成分是SiOx相,而在无氧流量的情形下,薄膜则主要是SiNx相.使用565eV的紫外光激发,发现SiOxNy薄膜出现了位于460nm的光致蓝光主峰,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强.根据缺陷态发光中心和SiNx蓝光发射能隙态模
关键词:
ECR CVD
红外吸收光谱
非晶氮化硅薄膜
光致发光 相似文献
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采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷(CHF3)和氩气(Ar)作源气体制 备了氟化类金刚石(FDLC)薄膜,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2/sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响.结果表明在低功率(60W)、高气压(2.0Pa)和适当的流量比(Ar/CHF3=2∶ 1)下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的FDLC薄膜.
关键词:
反应磁控溅射
氟化类金刚石薄膜
红外透射光谱
XPS光谱 相似文献
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利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较高时 (Ts ≥4 50℃ ) ,薄膜样品中才出现Si的颗粒 我们还分析了样品的室温光致发光现象 ,从PL谱中可以看出 ,样品有~ 32 0nm、~ 4 10nm、~ 560nm和~ 630nm四个PL峰 ,并对其发光机理进行初步探讨 相似文献
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基于感应耦合等离子体的变压器模型,分析了感应耦合等离子体的功率耦合效率与线圈配置(几何尺寸、电学参量)及等离子体基本参量(等离子体电子密度、电子-中性粒子有效碰撞频率)之间的关系;然后,改变平板型线圈的匝数从而改变了线圈的几何尺寸、电学参量,并且测量出了不同的线圈所对应的功率耦合效率.实验结果表明,线圈的电感量是能否实现放电的决定性因素;而功率耦合效率则与感应线圈的Q值、放电参量(气压、功率)等密切相关,射频输入功率的增加、放电气压的上升都会导致感应耦合等离子体耦合效率的提高,这与感应耦合等离子体的变压器模型预测结果是符合的. 然而,变压器模型给出的提高线圈Q值可导致耦合效率增强的预测结果仅适用于同等电感量的线圈条件. 本文对于单线圈的感应耦合等离子体源的研究为线圈的优化设计甚至大面积的多线圈感应耦合等离子体源研制提供了理论依据.
关键词:
感应耦合等离子体
功率耦合效率
变压器模型 相似文献
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以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜. 通过对富氏变换红外光谱(FTIR)的分析,比较了反应源和薄膜键结构的差异,证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构,另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构,在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后,其介电常数由385降低到285,对其FTIR谱的分析指出,薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.
关键词:
低介电常数
SiCOH薄膜
化学键结构 相似文献
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We investigated photoluminescence characteristics of silicone oils treated by C2F6 and CHF3 plasma. The silicone oil treated by the C2F6 plasma emitted a white light mainly composed of 415 nm, 469 nm, and 554 nm emissions, while that treated by the CHF3 plasma emitted a pink light (415 nm). Fourier transformed infrared spectroscopy and Raman spectroscopy studies showed that the photoluminescence was correlated with the Si-C bond, the carbon-related defects and the oxygen vacancies. It was suggested that the light emitting at 554 nm was related to the Si-C bond and the carbon-related defects, while the pink emission at 415 nm was related to the oxygen vacancies. 相似文献
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以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.
关键词:
SiCOH薄膜
2掺杂')" href="#">O2掺杂
介电性能
键结构 相似文献