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研究了真空热处理对掺CH.的SiCOH低介电常数薄膜的电流.电压(I-V)特性、电容.电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低. 相似文献
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Effect of F doping on capacitance-voltage characteristics of SiCOH low-k films metal-insulator-semiconductor structure 下载免费PDF全文
This paper investigates the capacitance--voltage
($C$--$V$) characteristics of F doping SiCOH low dielectric constant
films metal--insulator--semiconductor structure. The F doping SiCOH
films are deposited by decamethylcyclopentasiloxane (DMCPS) and
trifluromethane (CHF7755, 6855 http://cpb.iphy.ac.cn/CN/10.1088/1674-1056/19/5/057701 https://cpb.iphy.ac.cn/CN/article/downloadArticleFile.do?attachType=PDF&id=111779 F-SiCOH, low-k dielectrics, capacitance--voltage
characteristic Project supported by the National
Natural Science Foundation of China (Grant No.~10575074). 2/4/2009 12:00:00 AM This paper investigates the capacitance--voltage
($C$--$V$) characteristics of F doping SiCOH low dielectric constant
films metal--insulator--semiconductor structure. The F doping SiCOH
films are deposited by decamethylcyclopentasiloxane (DMCPS) and
trifluromethane (CHF$_{3})$ electron cyclotron resonance plasmas.
With the CHF$_{3}$/DMCPS flow rate ratio from 0 to 0.52, the
positive excursion of $C$--$V$ curves and the increase of flat-band
voltage $V_{\rm FB}$ from $-6.1$~V to 32.2~V are obtained. The
excursion of $C$--$V$ curves and the shift of $V_{\rm FB}$ are
related to the change of defects density and type at the Si/SiCOH
interface due to the decrease of Si and O concentrations, and the
increase of F concentration. At the CHF$_{3}$/DMCPS flow rate ratio
is 0.12, the compensation of F-bonding dangling bond to Si dangling
bond leads to a small $V_{\rm FB}$ of 2.0~V. 半导体结构;电压特性;电容电压;绝缘体;薄膜;金属;电子回旋共振等离子体;兴奋剂 This paper investigates the capacitance-voltage (C-V) characteristics of F doping SiCOH low dielectric constant films metal-insulator-semiconductor structure. The F doping SiCOH films are deposited by decamethylcyclopentasilox-ane [DMCPS) and trifluromethane (CHF3) electron cyclotron resonance plasmas. With the CHF3/DMCPS flow rate ratio from 0 to 0.52, the positive excursion of C-V curves and the increase of fiat-band voltage VFB from -6.1 V to 32.2V are obtained. The excursion of C-V curves and the shift of VFB are related to the change of defects density and type at the Si/SiCOH interface due to the decrease of Si and O concentrations, and the increase of F concentration. At the CHF3/DMCPS flow rate ratio is 0.12, the compensation of F-bonding dangling bond to Si dangling bond leads to a small VFB of 2.0V. 相似文献
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采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
关键词:
氟化非晶碳膜
电子回旋共振化学气相沉积
红外吸收光谱 相似文献
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使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
关键词:
氟化非晶碳薄膜
ECR等离子体沉积
键结构
介电性质 相似文献
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本文介绍了微波电子回旋共振等离子体气相沉积装置的磁场设计原理和计算方法,给出了几种电流强度、线圈间距等主要参量下的磁场形态. 相似文献
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研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.
关键词:
SiCOH薄膜
Si—OH结构
介电性能
ECR放电等离子体 相似文献
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