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591.
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响.衬底温度为室温时生长的薄膜经过800 ℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构.衬底温度为400 ℃时生长的薄膜经过800 ℃退火处理后呈现无序的多晶形态.当退火温度进一步升高至1000 ℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构.表面形貌分析表明:衬底温度为400 ℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷. 相似文献
592.
碳纳米管/铜纳米结构电极材料在葡萄糖检测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电化学沉积法制备了碳纳米管/铜纳米结构电极材料, 采用扫描电子显微镜和电化学方法对电极表面的形貌和电化学性质进行了表征. 结果表明, 碳纳米管/铜纳米结构电极材料具有较大的电化学活性表面积、 高稳定性、 良好的导电性以及高葡萄糖电氧化活性, 有望用于葡萄糖的检测. 相似文献
593.
前两讲中,对目标量的估计都是简单估计.即对于总体平均数的估计,在简单随机抽样,用的是样本(算术)平均数;在分层抽样,用的是各层样本平均数的加权平均.这些估计量都是简单的,线性的.在这讲中,我们将介绍另一类较复杂的非线性估计,主要是比估计与回归估计.此时,每个单元除调查指标Yi外,还有另一个指标Xi可以利用.我们称Xi为辅助变量.我们利用Yi与Xi之间的比例关系或相关关系来提高对目标量估计的精度.在实际问题中,Xi常是Yi的前期资料(例如上一次普查资料),或对现期Yi的粗略估计,或表示单元规模的某个量.无论何种情形,辅助指标Yi总体平均… 相似文献
594.
高吸水性树脂的合成和应用 总被引:14,自引:0,他引:14
本文综述了近年来高吸水性树脂的研究进展,主要包括3个方面:(1)高吸水性树脂的制备;(2)高吸水性树脂的结构及性能表征;(3)高吸水性树脂的应用开发。 相似文献
595.
现代修正主义主要的、最典型的表现如下: 为资本主义辩护,宣传在当前历史时期资本主义制度的根本矛盾可以“克服”的思想; 宣传资本主义“和平长入”社会主义的理论,修正马克思列宁主义关于防级斗争和无产阶级革命的学说。歪曲芬共第二十次代表大会提出的无产阶级在一定的情况下不通过内战而利用议会可能取得国家政权的理论; 掩饰现代帝国主义的侵略性,低估战争危险。其些修正主义者不正确地解释在现阶段战争并非是注定 相似文献
596.
597.
高斯光束通过复杂光学系统的变换 总被引:1,自引:0,他引:1
使用矩阵光学技巧和方法详细研究了高斯光束通过复杂光学系统的传插问题。将结果推广于:(1)物像空间析射率不相等(n_1≠n_2);(2)光学系统矩阵元为复数或C元素为零的情况。就高斯限模光阑对光束传输的影响作了讨论。经典光学和高斯激光束光学(n_1≠n_2,n_1=n_2)的比较,清楚地说明了它们的区别和联系。 相似文献
598.
599.
600.
用于半导体加工的腔耦合-磁多极型ECR源的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本实验室研制出一台谐振腔耦合一多极场位形的电子回旋共振(ECR)微波等离子体源(MEP)。采用朗谬探针和离子能量分析器,测量了MEP中Ar等离子体的放电特性。实验结果表明.MEP能在很宽的运行参数范围,高效率地产生具有较高密度、较低离子温度和空间电位的大面积均匀等离子体,特别适合于半导体加工应用研究。 相似文献